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一种二氧化硅薄膜的高压磁控溅射设备
本发明公开了一种二氧化硅薄膜的高压磁控溅射设备，包括：主体框架、反应器、翻转装置和真空泵，其中主体框架内设置分别设置有反应器和翻转装置，并且真空泵工作端与主体框架内部空间相连接；反应器处在翻转装置下方；翻转装置包括：支撑...
司荣美刘彩风鲍彦广付丽华
一种LED二氧化硅薄膜的制作方法
本发明公开一种LED二氧化硅薄膜的制作方法，按照第一预设射频功率基于第一预设流量的硅烷对清除后的二氧化硅种子层进行化学气相沉积，得到完善后的二氧化硅种子层，所述第一预设射频功率大于80W，所述第一预设流量大于220scc...
尚大可李刚林武李文浩林静
二氧化硅薄膜及其制备方法
本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一...
夏志强余辉朱洪力胡家兴洪悦邹黎明穆堂杰
一种用于二氧化硅薄膜生长的微波等离子装备
本发明公开了一种用于二氧化硅薄膜生长的微波等离子装备，涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，包括基座和盖于基座顶部的罩盖，所述基座和罩盖之间形成反应腔，还包括天线内导体，天线内导体顶部形成有沉积区，且天线内导体与基座之间...
刘伟彭世云王一东
一种用于二氧化硅薄膜生长的微波等离子装备
本发明公开了一种用于二氧化硅薄膜生长的微波等离子装备，涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，包括基座和盖于基座顶部的罩盖，所述基座和罩盖之间形成反应腔，还包括天线内导体，天线内导体顶部形成有沉积区，且天线内导体与基座之间...
刘伟彭世云王一东
一种Gemini型非离子表面活性剂及其在二氧化硅薄膜蚀刻液中的应用
本发明公开了一种Gemini型非离子表面活性剂及其在二氧化硅薄膜蚀刻液中的应用，二氧化硅薄膜蚀刻液主要成分包括氢氟酸、氟化铵、Gemini非离子表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液中氢氟酸用于蚀刻二氧化硅薄膜；氟化铵用于...
肖龙强郑月川侯琳熙赵玉来蔡静宇
硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置
本发明涉及硅单晶片加工领域，尤其涉及硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置。现有的剥离装置不方便使得装置与硅单晶片接触的地方充分与氢氟酸接触，且硅单晶上表面剥离后的附着物容易粘附在硅单晶片表面，放入硅单晶片时硅单晶片下表面容易...
黄永恩
一种半导体封装用二氧化硅薄膜及其制备方法
本发明提供一种半导体封装用二氧化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一衬底；将衬底置于中频磁控溅射腔室内，向溅射腔室内通入溅射气体和反应气体；其中，溅射腔室内安装硅靶作为溅射靶，溅射气体为氩气，流量为350～400sccm，反...
宁德章文丽陈炳安杨春雷钟国仿吴唯钱玖通王思达胡永军李伟民钟国华
一种履带式化学气相沉积二氧化硅薄膜金属含量控制方法
本发明涉及晶圆制造领域，公开了一种履带式化学气相沉积二氧化硅薄膜金属含量控制方法。本发明中，一种履带式化学气相沉积二氧化硅薄膜金属含量控制方法为在对硅片进行履带式化学气相沉积二氧化硅薄膜前，对履带表面进行一层二氧化硅薄膜...
马爱
一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并将所述衬底置入反应腔室内，向所述反应腔室内通入反应气体，所述反应气体包括硅源和氧源；所述反应腔室的压力为2000mTorr～...
周璐王鹏龙俊舟
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杨德仁
作品数：967被引量：890H指数：15
供职机构：浙江大学
研究主题：太阳电池 硅 欧姆接触电极 硅片 直拉硅单晶
陆卫
作品数：750被引量：648H指数：11
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱
陈坤基
作品数：269被引量：234H指数：7
供职机构：南京大学
研究主题：纳米硅 多层膜 硅基 光致发光 硅
徐骏
作品数：234被引量：214H指数：7
供职机构：南京大学
研究主题：纳米硅 多层膜 硅基 硅 光致发光
李伟
作品数：478被引量：323H指数：8
供职机构：南京大学
研究主题：纳米硅 可重构 多层膜 片上网络 硅基