搜索到1489篇“ 互补金属氧化物半导体工艺“的相关文章
- 与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器
- 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，属于红外探测器的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，包括承载衬底；所述承载衬底上设有隔离支撑层，所述隔...
- 孙蕾王玮冰
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- 与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器
- 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，属于红外探测器的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，包括承载衬底；所述承载衬底上设有隔离支撑层，所述隔...
- 孙蕾王玮冰
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- 互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法
- 本发明互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法解决了现有技术中互补金属氧化物半导体工艺器件通常包含CMOS、异质结NPN管和寄生的PNP管导致的基区宽度较宽，电流放大系数和频率特征较低的问题，由此方法制作的垂直...
- 徐炯魏峥颖郭明升
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- 一种互补金属氧化物半导体工艺中填充铝的方法
- 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体工艺中填充铝的方法，以解决现有技术中在对0.8微米CMOS芯片填充铝之后容易产生断铝从而导致产品良率较低的问题。该方法包括：在晶圆表面形成光阻膜并对所述晶圆进行图形光刻处理之后，对所述...
- 闻正锋谭志辉
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- 与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
- 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100)单晶硅各向异性腐蚀特性采...
- 李铁刘义冬王翊熊斌王跃林
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- 在双极－互补金属氧化物半导体工艺中减少籽晶层外形的方法
- 一种在双极器件形成外延基极层的方法。该方法包括步骤：提供具有邻接活性硅区(10)的场隔离氧化物区(12)的结构件；在场隔离氧化物区(12)的上方形成氮化硅/硅叠层(14，16)；其中，氮化硅/硅叠层(14，16)包括硅顶...
- J·J·T·M·东克尔斯P·H·C·马尼E·昆宁F·I·诺伊利
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- 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺
- 本发明是与标准互补金属氧化物半导体(Complementary Metal－Oxide－Semiconductor，CMOS)工艺兼容的高压CMOS(High Voltage CMOS，HVCMOS)双栅氧制备工艺，采用...
- 宋李梅李桦海潮和杜寰夏洋
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- 与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
- 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal－Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100)单晶硅各向异性腐蚀特性采...
- 李铁刘义冬王翊熊斌王跃林
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- 使用互补金属氧化物半导体工艺制造双极性晶体管的方法
- 本发明公开一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制造双极性晶体管的方法，与寄生BJT相比，该方法通过使用一般P型晶片作为基底来额外执行一CMOS逻辑工艺及一Nbase(N型基极)和Pbase(P型基极)工艺，而得以...
- 洪大郁
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- 互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构
- 具有期望的恒定电容特性的累积电容器结构包括并联耦合的四个电容器。第一电容器包括与第一端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的第一累积/耗尽区底极板。第二电容器具有与第二端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第一端子耦合的累积...
- 马克·L.·塔拉比尔约瑟夫·Y.·阐杰弗里·B.·霍尔
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