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(Nd,Dy)-Fe-B烧结复合磁体交换耦合作用及磁性能: Nd-Fe-B永磁材料由于其优良的磁性能特性而被广泛地用于各种领域,成为当前应用范围最广的磁性材料之一。由于烧结钕铁硼的矫顽力和耐热性都很差,这将会限制其在高温环境中的应用。为了解决这一问题,研究人员发现通过添加重稀土元...; 魏磊; 关键词：磁性能交换耦合作用

一种具有良好交换耦合作用的双相硬软磁微纳米复合磁性块体材料及其制备方法: 本发明涉及磁性材料制备技术领域，具体涉及一种具有良好交换耦合作用的双相硬软磁微纳米复合磁性块体材料及其制备方法，该方法首先采用化学法分别合成硬磁性MFe12O19铁氧体(M＝B...; 刘志愿王永贵杨婷张慧燕李海玲夏爱林

纳米复相永磁材料交换耦合作用的评述: 2022年; 对比纳米复相永磁材料一维到三维的不同交换耦合作用模型,交换耦合作用会抑制软磁相的磁化反转,不同交换耦合作用模型对矫顽力影响不同。Henkel曲线δM峰值越高表明晶粒间交换耦合作用越强,一阶翻转曲线(first order reversal curve,FORC)相互作用峰值增高对应交换耦合作用增强。纳米复相永磁材料有效各向异性K_(eff)随晶粒尺寸减小而下降,当晶粒尺寸一定时,软磁相体积分数越高K_(eff)越低。为了得到最大磁能积高并且K_(eff)不低的纳米复相永磁材料,软磁相晶粒尺寸应在10 nm左右,软磁相体积分数不能超过50%。; 弭弘尧张颖隆李冰蕾冯运莉; 关键词：交换耦合有效各向异性

FeCo基高频软磁薄膜的四角畸变及层间交换耦合作用研究: 现代电子元器件趋于微型化、集成化,而高频软磁薄膜可以满足当代电子设备对微型化以及处理速度的应用要求,例如将其应用于微型电感器等。在实际应用中,由于软磁薄膜具有饱和磁化强度高、磁导率高、矫顽力低以及自然共振频率高等优点,因...; 王乐

一种层间交换耦合作用可控的磁性多层膜结构及控制方法: 本发明涉及一种层间交换耦合作用可控的磁性多层膜结构，包括衬底和设置在衬底上的多层膜，多层膜包括铁磁层和设置在铁磁层之间的绝缘层，结构包括FM1/MgO/FM2，其中FM1与FM2为铁磁性薄膜。本发明还公开了一种基于该多层...; 唐东明张旭阳黄乔李威杨燚张豹山王啸坤; 文献传递

界面交换耦合作用对铁磁薄膜磁化翻转的影响: 由于铁磁(FM)与反铁磁(AF)存在交换偏置效应,FM/AF的界面交换耦合作用会使FM层中产生单向磁各向异性并诱导一个共线的单轴磁各向异性,这两种各向异性与磁晶各向异性叠加,决定了FM层的磁化翻转过程。FM与FM界面间存...; 张慧; 关键词：磁滞回线交换耦合作用磁各向异性; 文献传递

一种具有交换耦合作用的双相复合永磁铁氧体及其制备方法: 本发明涉及磁性铁氧体技术领域，具体涉及一种具有交换耦合作用的双相复合永磁铁氧体及其制备方法，首先利用水热法获得的SrM铁氧体粉末和纳米碳球制备多孔的SrM铁氧体圆片，再将水热法获得的CoFe2O<S...; 夏爱林朱雪松王芳宇晋传贵张慧燕李海玲刘志愿; 文献传递

MgO磁性隧道结层间交换耦合作用研究: 磁性多层膜中的层间交换耦合作用在GMR与TMR领域有着非常重要的应用。如果可以使用电场来控制磁性多层膜的层间交换耦合作用,进而控制GMR或者TMR的高低阻态,无疑可以在提高稳定性的同时大幅度降低能耗。本论文研究了CoFe...; 张旭阳; 关键词：磁性隧道结 MGO COO; 文献传递

Nb添加对Nd-Ce-Fe-B合金的磁性能及晶间交换耦合作用的影响被引量：6: 2018年; 研究了不同含量的Nb添加对(Nd0.5Ce0.5)13Fe82-xNbxB5快淬合金的磁性能、物相组成、交换耦合作用及其初始磁化机制的影响.发现Nb添加能抑制α-Fe的形成,显著改善合金的磁性能.当Nb的添加量(原子分数)为0.5%时,合金获得较优的磁性能.随着Nb的添加量(原子分数)从0增加到0.5%,合金的矫顽力由未添加时的777 kA/m提升到900 kA/m,最大磁能积也从未添加Nb时的64 kJ/m^3增加到78 kJ/m^3,而合金的剩磁仅由未添加Nb时的0.71 T轻微下降到0.70 T.合金中晶粒间的交换耦合作用随着Nb的添加而增强.合金的初始磁化机制也有了显著的变化.; 何伦可权其琛胡贤君江庆政Sajjad Ur Rehman钟明龙黎业生; 关键词：磁性能交换耦合作用

Nd-Ce-Fe-B纳米复合薄膜的磁性及交换耦合作用被引量：1: 2017年; 采用磁控溅射技术制备了具有永磁特征的Nd-Ce-Fe-B多层纳米复合薄膜,并对其进行了退火处理.通过改变退火温度,研究其对薄膜磁性能和晶体结构的影响.结果表明,随着退火温度的提高薄膜磁性能逐渐增大,但当温度达到695℃以上时,薄膜的磁性能急剧下降.当退火温度为675℃时,薄膜的矫顽力Hci=10.1 kOe(1Oe=79.5775 A/m),垂直于薄膜表面方向的剩余磁化强度4πM_(r⊥)=5.91 kG(1 G=10~3/(4π)A/m).薄膜的X射线衍射结果表明,磁性薄膜具有较好的c轴取向.通过对薄膜磁化反转过程的研究,发现随着外加磁场的增大,M_(rev)的极小值向M_(irr)减小的方向移动,这与畴壁弯曲模型类似,表明在薄膜中存在较强烈的局部钉扎作用,而剩余磁化强度曲线表明这种钉扎作用在薄膜矫顽力机制中并不占支配作用.此外,薄膜的Henkel曲线结果表明在薄膜中存在较强的交换耦合作用,在经过685℃退火的薄膜中磁相互作用更加显著.; 孙亚超朱明刚石晓宁宋利伟李卫; 关键词：磁性能磁化反转交换耦合作用

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