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低介电常数材料
本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可...
黄心岩罗清郁陈海清包天一
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低介电常数材料
本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可...
黄心岩罗清郁陈海清包天一
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一种低介电常数材料及其显示装置
本发明涉及光电材料应用科技领域，公开了一种低介电常数材料，其包含25‑50重量份含氟丙烯酸酯单体、1‑5重量份聚倍半硅氧烷、1‑5重量份光引发剂及其他功能助剂，含氟丙烯酸酯与聚倍半硅氧烷协同作用，使得材料的介电常数显著下...
穆广园金江江张景晖
低介电常数材料薄膜及其制备方法
本申请涉及一种低介电常数材料及其制备方法，所述低介电常数材料薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用原子层沉积技术在基底表面沉积金属氧化物薄膜；以及将沉积有金属氧化物薄膜的基底和配体溶液混合，进行溶剂热反应。本申请提供的低介电...
陈蓉曹猛杨帆任浩楠宋吉升
无卤耐高温低介电常数材料及应用研究进展
2024年
文中综述了无机非金属类、有机高分子类和复合材料类无卤耐高温低介电常数功能类材料的介电常数、耐温、含卤等情况;介绍了相关工艺的改进方法,并对国内常规信号传输用电缆料及产品研发进展进行了简要分析;列举了国内现行常规信号传输用电缆料(发泡电缆)标准,并分析了其局限性,为无卤耐高温低介电常数功能材料在特种信号传输电缆的研发和应用提供参考与借鉴。
吴仲孝洪宁宁高磊
关键词：功能材料
低介电常数材料层的去除方法
一种低介电常数材料层的去除方法，所述方法包括：提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆的表面具有低介电常数材料层；采用氧等离子体对所述待清洗晶圆进行干法刻蚀，以降低所述低介电常数材料层中的甲基含量；采用第一浓度的刻蚀溶液，对所述待...
孙冉
一种使用高沸点碳氟气体刻蚀低介电常数材料的方法
本发明提供了一种使用高沸点碳氟气体刻蚀低介电常数材料的方法，该方法为：在刻蚀系统腔室内通入刻蚀前驱气体；将刻蚀系统的温度降到一定温度下；在低温环境下会形成类醇副产物，类醇副产物在低温下凝结到低介电常数材料的空隙中，形成保...
陈润泽徐海云路光辉李丹丹于平吝秀锋李欣王子一
一类分子玻璃的合成方法及其作为高频低介电常数材料的应用
本发明提供了一类分子玻璃的合成方法及其作为高频低介电常数材料的应用。具体地，本发明提供了一种分子玻璃单体，其具有如下式(I)所示的分子结构，所述分子玻璃单体具有优异的加工性能，经高温处理会形成不熔不溶的树脂，这种分子玻璃...
房强黄港孙晶
一类分子玻璃的合成方法及其作为高频低介电常数材料的应用
本发明提供了一类分子玻璃的合成方法及其作为高频低介电常数材料的应用。具体地，本发明提供了一种分子玻璃单体，其具有如下式(I)所示的分子结构，所述分子玻璃单体具有优异的加工性能，经高温处理会形成不熔不溶的树脂，这种分子玻璃...
房强黄港孙晶
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低介电常数材料与其前驱物
本揭露提供的低介电常数材料的前驱物，包括：(a)清漆组合物；5‑30重量份的(b)聚四氟乙烯与聚硅氧烷的复合微粉；以及0.05‑3重量份的(c)界面活性剂，其中(a)清漆组合物包括：(a1)100重量份的聚苯醚树脂、20...
林学佐王志勇陈欣宏钟迪克
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张卫
作品数：794被引量：296H指数：9
供职机构：复旦大学
研究主题：原子层淀积 存储器 晶体管 电极 隧穿
丁士进
作品数：219被引量：165H指数：8
供职机构：复旦大学
研究主题：原子层淀积 低介电常数 电荷 铜互连 快速热退火
姜标
作品数：522被引量：303H指数：10
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：催化剂 氯乙烯 乙炔 克雷伯氏肺炎杆菌 化合物
杜丽萍
作品数：12被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：低介电常数材料 乙基 二氯硅烷 含氟 金属杂质
王万军
作品数：16被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：低介电常数材料 提纯 乙基 二氯硅烷 含氟