搜索到16篇“ 低阈值电流“的相关文章
MOCVD生长阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器
2006年
通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。
夏伟王翎李树强张新马德营任忠祥徐现刚
关键词:MOCVD低阈值电流
阈值电流、高量子效率脊形波导激光器被引量:2
2001年
研制了阈值电流、高量子效率670nm压缩应变单量子阱GaInP/AlGaInP脊形波导激光器。测量解理成的激光器条,腔长为300μm时,阈值电流为12.8mA,双面外部量子效率之和达到94.6%。
高峰吴麟章
关键词:低阈值电流半导体量子阱激光器量子效率
阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器被引量:4
1997年
利用分子束外延技术,生长了极阈值电流密度、内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.在腔长900μm时,80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm2,在腔长为2000μm时是113A/cm2,这样阈值电流密度是目前国内报道的最值.激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm-1和84%.
徐遵图徐俊英杨国文张敬明陈昌华何晓曦陈良惠沈光地
关键词:量子阱激光器分子束外延
阈值电流的1.3μm GaInAsP/InP DFB PPIBH 激光器
1989年
陈庆祥
关键词:半导体激光器阈值电流激光器
850nm分布反馈单模面发射激光器
随着光通信和光传感技术近年来逐步向小型集成化发展,半导体激光器的应用越来越广泛。其中,面发射激光器因其具有功耗、成本的优点,在数据中心和三维传感中得到了大量应用。然而,现在面发射激光器大都是多横模的。为了在光通信中提...
刘灿
关键词:半导体激光器面发射激光器分布反馈激光器单模低阈值电流
A study of the operating parameters and barrier thickness of Al_(0.08)In_(0.08)Ga_(0.84)N/Al_xIn_yGa_(1-x-y)N double quantum well laser diodes
2011年
The operating parameters such as the internal quantum efficiency (η), internal loss (α) and transparent threshold current density (J0) of double quantum well laser diodes were investigated and identified using the program, Integrated System Engineering-Technical Computer Aided Design (ISE-TCAD). Various thicknesses (6, 7, 8, 10, 12 rim) of AlxInyGa1-x-yN barriers with (3 nm) Al0.08In0.08Ga0.84N wells as an active region were studied. The lowest threshold current (lth), and the highest output power (Pop) were 116 mA and 196 mW respectively, at barriers thickness of 6 nm, Al mole fraction of 10% and In mole fraction of 1%, at an emission wavelength of 359.6 nm.
A.J.GHAZAIS.M.THAHABH.ABU HASSANZ.HASSAN
关键词:QUATERNARY
半导体激光器
2004年
TN248.4 2004064104 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁(中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京(100083)),宋国峰…∥半导体学报.—2004,25(5).—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-xAs的铝组分和最佳位置,并制备出了阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12(严寒)
关键词:大功率半导体激光器垂直腔面发射激光器国家工程中心低阈值电流收缩应力
量子阱半导体激光器发展动态被引量:2
1995年
综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状,着重阐述了在提高器件性能方面获得阈值电流
孙再吉
关键词:量子阱激光器低阈值电流大功率半导体激光器
阈值稳定基横模1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器
1989年
采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最10mA。在3~5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。
肖建伟衣茂斌薄报学苗忠礼马玉珍高鼎三
关键词:半导体激光器低阈值电流基横模
High efficiency low threshold current 1.3  <i>μ</i> m InAs quantum dot lasers on on-axis
Jung, Daehwan [Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Norman, Justin [Materials Department, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Kennedy, M. J. [Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Shang, Chen [Materials Department, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Shin, Bongki [Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Wan, Yating [Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Gossard, Arthur C. [Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, California 93106, USA, Materials Department, University of California Santa Barbara, California 93106, USA, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, California 93106, USA];Bowers, John E. [Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, California 93106, USA, Materials Department, University of California Santa Barbara, California 93106, USA, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, California 93106, USA]

相关作者

李树强
作品数:28被引量:19H指数:3
供职机构:山东大学
研究主题:激光器 半导体激光器 MOCVD生长 击穿电压 量子阱激光器
吴麟章
作品数:4被引量:5H指数:2
供职机构:清华大学机械工程学院精密仪器与机械学系
研究主题:半导体量子阱激光器 光纤陀螺仪 集成光路 量子效率 低阈值电流
高鼎三
作品数:90被引量:246H指数:9
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院
研究主题:半导体激光器 激光器 半导体 INGAASP/INP 超辐射发光二极管
衣茂斌
作品数:95被引量:116H指数:5
供职机构:吉林大学
研究主题:半导体激光器 电光采样 电光 激光器 砷化镓
高峰
作品数:8被引量:35H指数:3
供职机构:清华大学机械工程学院精密仪器与机械学系
研究主题:GAINP/ALGAINP 并行工程 DFA 集成化 可视化