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- 赵峥熊凌飞陈琦琛张一鸣郑宽冮明泽樊林禛查鲲鹏闻福岳姜广鑫
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- 刘圆圆张臻郭飞飞李朋高原王彤
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- 杨建红尹晋超师楷郭小星王红侠陈豪翔许炎周明
- 多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构
- 本发明涉及一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，阳极管壳陶瓷壳体的侧面设有一对四分光器连接器，内部通过分光器将1路光信号分配至4个光敏区，分光器能够均匀分配光能量，尽量减少光损失，光纤的末端是四个激光头，通...
- 马宁强乔旭秦浩
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- 方慧风和巍巍汪之涵张振中孙军
- 具有低温度依赖性和过压保护功能的光控晶闸管及制备方法
- 本发明涉及一种具有低温度依赖性和过压保护功能的光控晶闸管及制备方法，属于电力电子器件领域。该光控晶闸管包括：n base区；形成于n base区一表面的p bsae区；形成于pbase区表面的光触发区；形成于p base...
- 董益钦 张浩 王浪 晏红梅 胡长顺 汤双燕
- 单管集成光控晶闸管的研制
- 随着新能源产业链的蓬勃发展，功率半导体器件向着更高效率、更高可靠性和更低成本的方向发展。光控晶闸管（Light-triggered Thyristor, LTT）以其控制回路与主回路高度绝缘、多器件同时精确控制等优势在电...
- 尹晋超
- 关键词：光控晶闸管参数设计光电特性
- 一种高压大功率半导体激光光控晶闸管
- 本实用新型公开了一种高压大功率半导体激光光控晶闸管，包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤，所述晶闸管本体包括壳体，所述壳体内部开设有芯片腔，芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路；所述光纤穿过壳体伸入芯...
- 黄曹斌聂强任成贤
- 6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
- 2021年
- 基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。
- 杨燎陈宏郑昌伟白云杨成樾
- 关键词：脉冲开关
- 一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管
- 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径，使电流绕过阴极左侧电流集中区，以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的电流上升率耐量。本发...
- 陈万军邓操刘超魏东高吴昊左慧玲夏云
- 文献传递
相关作者
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- 陈万军
- 作品数：247被引量：11H指数：3
- 供职机构：电子科技大学
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- 杨建红
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- 研究主题：静电感应晶体管 静电感应器件 CMOS工艺 草原生态系统 野外
- 刘超
- 作品数：174被引量：25H指数：3
- 供职机构：电子科技大学
- 研究主题：漂移区 导通压降 极区 双极型晶体管 脉冲功率
- 谭胜武
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