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一种增强光输出功率的深紫外LED芯片及其制造方法
本申请涉及一种增强光输出功率的深紫外LED芯片，包括：外延层，外延层包括缓冲层、N型半导体层、量子阱层、和P型半导体层；N型欧姆接触层，N型欧姆接触层覆盖N型半导体层，与N型半导体层形成欧姆接触；反射电流阻挡层，反射电流...
周圣军吕振兴廖喆夫蒋晶晶
一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬...
何苗黄波熊德平杨思攀周海亮
一种增加光输出功率的多共振腔半导体激光芯粒结构
本实用新型公开了一种增加光输出功率的多共振腔半导体激光芯粒结构，涉及半导体激光芯粒领域，包括芯粒，芯粒由第一金属接面层、P‑InGaAs层、主动层、p‑InP层、第一n‑InP层、第二n‑InP层、第二金属接面层组成；芯...
黄国闵 温鉌语
用于监测光输出功率的方法和装置以及粒子传感器装置
本发明公开了用于监测光输出功率的方法和装置以及粒子传感器装置。本发明提供了用于监测具有关联的光电二极管(PD)的激光二极管(LD)的光输出功率的方法和装置、以及粒子传感器装置。所述光电二极管(PD)可与所述激光二极管(L...
罗伯特·沃尔夫泽伦·索夫克菲利普·格拉赫苏珊·魏登费尔德里科·斯罗维克
光输出功率自感知发光器件
发光器件包括n型AlGaN结构，p型AlGaN结构，以及夹设于n型AlGaN结构与p型AlGaN结构之间的发光有源区。第一p接触形成于p型AlGaN结构上以界定发光结构；第二p接触形成于p型AlGaN结构上以界定光探测结...
高英周瓴陆内夫·亚历山大张剑平
控制激光二极管的光输出功率的方法、控制装置以及相关系统
本发明涉及光学粒子传感领域，特别是涉及一种控制激光二极管(10)的光输出功率的方法。提出了一种控制激光二极管(10)的光输出功率的方法，其中激光二极管与光电二极管(20)相关联，光电二极管将从激光二极管接收的光转换成光电...
S·巴德尔R·沃尔夫
一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
本实用新型公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，包括紫外LED器件，所述紫外LED器件输出端表面插接有限位圈，所述限位圈表面插接有外延罩，所述外延罩顶部和底部表面均开设有限位槽，所述限位槽内腔底部安装有螺钉，所述...
南琦刘银
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用于监测光收发器中的光输出功率的两部分光耦合子组件
一种两部分光耦合子组件，包括：形成有腔的主透镜，该主透镜包括两个表面，该两个表面形成在腔中，并且从腔的中心垂直平面相对地倾斜非垂直角度，使得该两个表面相对于中心垂直平面对称；嵌入腔中的光束路由器，该光束路由器包括分别位于...
麦永强
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用于监测光输出功率的方法和装置以及粒子传感器装置
本发明公开了用于监测光输出功率的方法和装置以及粒子传感器装置。本发明提供了用于监测具有关联的光电二极管(PD)的激光二极管(LD)的光输出功率的方法和装置、以及粒子传感器装置。所述光电二极管(PD)可与所述激光二极管(L...
罗伯特·沃尔夫泽伦·索夫克菲利普·格拉赫苏珊·魏登费尔德里科·斯罗维克
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光输出功率自感知发光器件
发光器件包括n型AlGaN结构，p型AlGaN结构，以及夹设于n型AlGaN结构与p型AlGaN结构之间的发光有源区。第一p接触形成于p型AlGaN结构上以界定发光结构；第二p接触形成于p型AlGaN结构上以界定光探测结...
高英周瓴陆内夫·亚历山大张剑平
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李国强
作品数：707被引量：76H指数：5
供职机构：华南理工大学
研究主题：衬底 SUB LED芯片 石墨烯 非掺杂
周朴
作品数：874被引量：965H指数：16
供职机构：国防科学技术大学
研究主题：光纤激光 相干合成 光纤 光纤激光器 高功率
周圣军
作品数：157被引量：36H指数：4
供职机构：武汉大学
研究主题：LED芯片 光提取效率 倒装 半导体发光器件 多量子阱
黄波
作品数：27被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学
研究主题：掺杂 多量子阱结构 电子阻挡层 LED器件 光输出功率
王建军
作品数：338被引量：490H指数：12
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
研究主题：光纤激光器 光纤 激光 高功率 激光器