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基于3,6-二氯噻吩并[3,2-b]噻吩的共轭聚合物的直接芳基化缩聚合成及其半导体性质: 2024年; 以β位氯代的噻吩衍生物3,6-二氯噻吩并[3,2-b]噻吩(2ClTT)为C-H单体、溴代噻吩取代吡咯并吡咯二酮(DPPC14-Br)或溴代异靛蓝(IIDC14-Br)为C-Br单体,采用直接芳基化缩聚(DArP)合成了共轭聚合物DPP-2ClTT和IID-2ClTT.氯原子的引入可大幅提高并噻吩α-C-H键的反应活性,理论计算表明,2ClTT的直接芳基化反应活性与文献报道的高活性氯代联噻吩C-H单体的活性相当.此外,利用氯原子较强的电负性,可以降低聚合物的前线轨道能级,DPP-2ClTT和IID-2ClTT的HOMO/LUMO能级分别为-5.35/-3.66 eV和-5.88/-3.73 eV.由于具有合适的HOMO和LUMO能级以及离域的HOMO和LUMO轨道,以DPP-2ClTT为活性层制备的有机薄膜晶体管(OTFT)表现出双极传输特性,最高电子和空穴迁移率分别为1.36和0.89 cm^(2)/V/s. IID-2ClTT具有较低的HOMO能级以及较为定域的HOMO轨道,因而该聚合物在OTFT器件中表现出n型传输特性,最高电子迁移率为0.029 cm^(2)/V/s.相比于IID-2ClTT,DPP-2ClTT高的电子迁移率可归因于其好的骨架平面性、有序的分子堆积以及优异的薄膜形貌.; 林琳琳张栩文石毅博邓云峰耿延候; 关键词：共轭聚合物噻吩衍生物

一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法: 本发明公开了一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法。该配合物的化学式为[Co(C18H12S2N2)(C9</Su...; 石智强左有鹏杜军张天任刘琳

一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法: 本发明公开了一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法。该配合物的化学式为[Co(C18H12S2N2)(C9</Su...; 石智强左有鹏杜军张天任刘琳

一种基于半导体性质评价镀锡板表面钝化膜特性的方法: 本发明属于镀锡钢板表面质量的生产控制技术领域，公开了一种基于半导体性质评价镀锡板表面钝化膜特性的方法，通过测试不同镀锡板表面钝化膜的Mott‑Schottky曲线来确定其半导体类型，再根据Mott‑Schottky方程算...; 李建中李旭东兰剑王鹏李秀军唐超徐清亮; 文献传递

铁基材料钝化膜的电化学半导体性质和测试方法研究进展: 2021年; 铁基材料因具有较高的力学强度、较好的环境相容性和较低廉的价格等综合性能在日常生活、生产中广泛应用。而铁基材料在多元环境中的长期服役性能取决于其耐受环境侵蚀的能力—耐腐蚀性,这一能力与其表面性质高度相关。为了提高铁基材料的耐腐蚀性,通过添加合金元素的方法发展出了如"不锈钢"、"耐候钢"、"哈氏合金"等不同系列应用于不同场合的材料。添加元素一方面改变了金属的互熔特性,一方面使得铁基材料表面可以形成具有保护性的"钝化膜",进而提高其耐蚀性。铁基材料表面钝化膜通常具有半导体的特性,其性质可以通过电化学分析测试获得。介绍了光电化学响应、交流阻抗等测试方法在钝化膜半导体性质评价方面的研究进展,并介绍了在多种环境下纯铁、纯铬、纯镍和不锈钢上形成的钝化膜的性质。; 檀玉张浩孙晨皓焦洋张胜寒梁可心; 关键词：铁基材料钝化膜电化学响应电子能带

金属材料的氧化膜半导体性质研究方法综述: 2021年; 金属材料氧化膜半导体性质的研究方法目前鲜有论述。根据文献讨论总结金属氧化膜半导体性质的研究方法,而交流阻抗、Moot-Schottky曲线、光电化学这些方法的文献相对较少。本次通过讨论上述方法的原理、反应过程、数据处理和得到的结论,精确的呈现出金属腐蚀所得到的氧化膜经过这些实验方法所到达到的效果。旨在详细分析研究方法过程中加强对其的应用。; 李文腾孟旭铮王晓欢张胜寒; 关键词：金属腐蚀研究方法数据处理

缺陷及其扩散动力学对新型半导体性质和稳定性影响研究: 现代半导体技术推动着人类社会飞速发展,同时来自不同领域的需求也刺激着研究人员开发各种新功能半导体材料。先进的实验仪器和高性能理论计算相结合使得定向地研发新型半导体材料越来越得心应手,各种新材料相继问世。关于半导体中缺陷性...; 张才鑫; 关键词：层状材料晶格热导率居里温度第一性原理计算

3,2′:6′,3″-三联吡啶银配合物的晶体结构及其半导体性质: 2021年; 以4′-二茂铁基-3,2′:6′,3″-三联吡啶为配体,和AgPF_(6)合成了一种新型银配合物Ag_(2)L_(2)(PF_(6))_(2),配合物经红外光谱、元素分析和单晶X射线衍射进行表征。晶体结构分析表明,配合物为三斜晶系,Pī空间群,配体采用顺式-顺式结合形式配位,Ag^(+)配位数为2,配合物为[2+2]金属环状。通过对配合物的紫外可见光谱进行Kubelka-Munk函数计算,配合物带隙为1.90 eV,具有半导体性质。; 肖陆飞孟飞周玲玲汪蓓蓓梁建军王慧; 关键词：三联吡啶配合物晶体结构带隙

多双键链接的噻二唑共轭聚合物的设计、制备及半导体性质研究: 共轭聚合物半导体材料具有成本低，可溶液加工，柔性好以及器件制备程序简单等优点，作为电子元器件的半导体活性层，广泛应用于有机场效应晶体管。高迁移率的共轭聚合物往往需要具备高结晶性，但高结晶性限制了其机械耐受和延展能力，阻碍...; 梁先峰; 关键词：有机场效应晶体管共轭聚合物双键噻二唑

一种基于半导体性质评价镀锡板表面钝化膜特性的方法: 本发明属于镀锡钢板表面质量的生产控制技术领域，公开了一种基于半导体性质评价镀锡板表面钝化膜特性的方法，通过测试不同镀锡板表面钝化膜的Mott‑Schottky曲线来确定其半导体类型，再根据Mott‑Schottky方程算...; 李建中李旭东兰剑王鹏李秀军唐超徐清亮; 文献传递

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