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半导体电极
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种蚀刻厚度均匀的
半导体
电极
本实用新型公开了一种蚀刻效果均匀的
半导体
电极
,包括
电极
,所述
电极
表面设有呈环状分布的气孔,
电极
表面设有曲面,曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出,最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本实用新型中
电极
作为等...
许赞
朴永哲
一种蚀刻厚度均匀的
半导体
电极
本发明公开了一种蚀刻效果均匀的
半导体
电极
,包括
电极
,所述
电极
表面设有呈环状分布的气孔,
电极
表面设有曲面,曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出,最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本发明中
电极
作为等离子蚀刻...
许赞
朴永哲
一种超薄氧化物修饰的
半导体
电极
及其制备方法
本发明公开了一种超薄氧化物修饰的
半导体
电极
的制备方法,并将该
电极
应用于光电化学转化器件中。该制备方法包括以下步骤:S1:首先在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备
半导体
薄膜;S2:取一定量的金属源,溶于溶剂中,配制成为前驱溶...
曹大鹏
王岸晨
一种亚氧化钛表面喷涂金属
半导体
电极
制备方法
本发明公开了一种亚氧化钛表面喷涂金属
半导体
电极
制备方法,包括以下步骤:基材准备与预处理,准备喷涂设备,准备喷涂材料,气体供给,冷喷涂,涂层修补,质检。提供了一种对亚氧化钛的光催化性能改善效果良好、难度低易实施、加工效果稳...
李羿含
黄成进
张世涛
王亮
一种光
半导体
电极
及其制造方法、光电化学电池
本发明公开了一种光
半导体
电极
及其制造方法、光电化学电池,属于光电化学电池技术领域,包括第1导电体层;第一N型
半导体
层,其被设置在第1导电体上;第二N型
半导体
层,其被设置在第一N型
半导体
层上;
半导体
层:第2导电体层,其被设...
李俊
张涛
唐新桂
王银海
刘家豪
一种电力
半导体
电极
及模块
本实用新型涉及
半导体
模块技术领域,尤其是一种电力
半导体
电极
及模块,包括竖直部和水平部,所述水平部上设置有用于放置芯片的凹槽,所述凹槽为圆弧面凹槽,本申请使得芯片与
电极
的接触面积显著增大,由原先的最大27mm²,增加至50...
陈晨
杜芳芳
孙祥玉
一种
半导体
电极
欧姆接触电阻参数提取方法
本发明公开了一种
半导体
电极
欧姆接触电阻参数提取方法,本发明采用
半导体
欧姆接触各
电极
间距相同,而
电极
宽度不同的方案,由此带来了新的更加准确的欧姆接触电阻计算模型。方案简单、易用、准确,由于在该方案中考虑到实际情况中金‑半接...
黄火林
孙仲豪
曹亚庆
李飞雨
胡礼中
制备高质量
半导体
电极
接触的设备及其金属原子沉积方法
本发明公开了一种制备高质量
半导体
电极
接触的设备及其金属原子沉积方法,所述的
半导体
电极
接触的设备包括在真空腔体(7)中的控温单元(3)、热界面黏附层(4)、衬底(5)、沉积源(6)、进气口(1)、出气口(2);将氩气通过进...
万能
陈若望
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王明渊
束俊鹏
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谭淋丰
超薄
半导体
电极
铁电隧穿结工程
铁电隧穿结(FTJ)作为最优秀的新一代超低功耗的非易失性存储器件的选择之一。它具有简单的结构,超低写入/读取功耗,良好的CMOS工艺兼容性,以及非破坏读取特性等诸多优秀的性能。其不仅有望替代传统存储单元,还具有打破冯诺伊...
闫钦元
关键词:
量子效应
二氧化钛糊、多孔
半导体
电极
基板、光
电极
以及染料敏化型太阳能电池
本发明的目的在于提供一种二氧化钛糊,其能够形成与导电性基板的密合性优异的多孔
半导体
层。本发明的二氧化钛糊的特征在于包含二氧化钛纳米颗粒及水,pH为2.6以上且3.5以下。
清水基寻
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刘倩倩
作品数:71
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作品数:118
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陈炎
作品数:50
被引量:0
H指数:0
供职机构:比亚迪汽车股份有限公司
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巩金龙
作品数:265
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作品数:22
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