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一种基于GaN基的单片集成CMOS电路
本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种基于GaN基的单片集成CMOS电路。本发明的电路将传统固定Al组分的AlGaN势垒层替换为Al组分是线性渐变的，具体为从下到上呈线性递减的线性渐变AlGaN势垒层，线性渐变Al...
周靖贵周琦张波唐磊高欢杨宁黄启航马滦熙刘文正
一种基于GaN基外延结构的单片集成CMOS电路
本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种基于GaN基外延结构的单片集成CMOS电路。本发明的电路将传统固定Al组分的AlGaN势垒层替换为具有高Al组分，2n‑1层不同Al组分AlGaN规律堆叠而成的AlGaN势垒层...
周靖贵周琦张波刘文正陈匡黎黄书婷高欢刘雨琪王龙
硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片
本发明涉及半导体器件制备技术领域，并公开了一种硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片，方法包括将介质材料沉积在硅基底的表面，在N阱和P阱上方开设隔离槽并在槽内形成外延叠层；沉积硬掩膜层并进行图形化工艺处理，在外延叠层...
杜勇刘文亮张永奎
一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用
本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：在衬底上生长缓冲层材料，在激光器区、放大器区和调制器区上分别生长对应的有源材料后，覆盖第二介质掩膜，将二氧化硅材料覆盖在第...
姚广峰付文锋
一种单片集成的平坦电光光学频率梳产生系统
本发明公开了一种单片集成的平坦电光光学频率梳产生系统，属于光学频率梳技术领域，能够解决现有光梳产生系统的集成化程度低，工作稳定性较差的问题。所述系统包括：衬底；埋氧化层，形成在衬底上；电光调制器，包括光波导和两个调制臂；...
王简夫魏源赵振宇王斌
单片集成多功能复合传感器及其制备方法
本发明提供了一种单片集成多功能复合传感器及其制备方法，采用单硅片单面体硅微制造技术，预定义并覆盖气体流量感知单元的第一微槽，先形成压力参考腔体及压力敏感膜片，再通过第一微槽和侧壁保护，预定义单晶硅热偶臂和加热电阻图案，后...
王家畴李昕欣鲍海飞
准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路
本发明公开了一种准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路，二极管包括：由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、异质超结结构层；异质超结结构层内沿纵向以同心环分布方式间隔设置有P‑BN环区域和N GaN环区域；P‑BN...
侯斌杨凌常青原马晓华朱宥军武玫芦浩张濛郝跃
具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件。该结构通过添加一个与半桥下管并联的，具有与下管相同开关状态的Sub晶体管，在Sub晶体管开启的过程中实现了对衬底中所积累的电...
薛刚邓高强李江欢骆成涛魏杰罗小蓉
一种单片集成光接收芯片的制备方法
本发明公开一种单片集成光接收芯片的制备方法，属于基本电气元件的技术领域。该制备方法主要包括：在InP HBT外延片上制作跨阻放大器；在InP半绝缘衬底上生长InP PIN光电探测器外延层；将InP PIN光电探测器外延层...
李冠宇牛斌王宇轩戴家赟孔月婵陈堂胜
一种Bi基有机-无机钙钛矿单晶薄膜的单片集成
本发明提出一种Bi基有机‑无机钙钛矿单晶薄膜的单片集成，包括将基于空间限域策略，以A<SUB>3</SUB>B<SUB>2</SUB>X<SUB>9</SUB>为基础结构，调控A位置有机阳离子与金属阳离子化学计量摩尔比例...
苏莉张大伟金贤宇范家亮郝博颜徐皓天周渤堃
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张海英
作品数：523被引量：219H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：频率综合器 单片集成 脉搏波 GAAS 砷化镓
王圩
作品数：368被引量：193H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
赵玲娟
作品数：202被引量：123H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单片集成 激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 半导体激光器
陈堂胜
作品数：421被引量：344H指数：9
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
张文栋
作品数：1,210被引量：1,700H指数：19
供职机构：中北大学
研究主题：矢量水听器 MEMS 电容式 加速度计 超声换能器