搜索到285篇“ 压力敏感芯片“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
一种SOI压力敏感芯片
本发明涉及一种SOI压力敏感芯片，SOI衬底硅正面设有倒梯形的微腔构成的感压膜片，其特征在于：衬底硅背面制有顶层硅围堰（1），感压膜片区域（4）制有敏感桥阻R1—R4；感压膜片区域对角制有一字型顶层硅互连线（2），其端部...
焦贵忠陈传钊盛健
压力敏感芯片中硅岛的加工方法、压力敏感芯片及其制作方法和压力传感器
本发明公开了一种压力敏感芯片中硅岛的加工方法、压力敏感芯片及其制作方法和压力传感器，该加工方法包括依次对硅片进行清洗、背面制备SiO<Sub>2</Sub>层、在硅片内形成回形凹槽、对回形凹槽内的口形区域进行刻蚀，形成硅...
金忠薛勇何峰曾庆平
介质层嵌入型电容式压力敏感芯片
介质层嵌入型电容式压力敏感芯片属于微机电系统（MEMS）技术领域，尤其涉及一种介质层嵌入型电容式压力敏感芯片。本发明提供一种测量效果更好的介质层嵌入型电容式压力敏感芯片。本发明包括第一极板（1）和第二极板（2）,其特征在...
姜贵民张振华
一种双动极板电容式压力敏感芯片
本发明公开了一种双动极板电容式压力敏感芯片。该芯片包括刻有凹槽及进压通道的单晶硅衬底，感压上极板，感压下极板，介质层，密封腔体，其特征在于：敏感结构中上、下两极板均可感压并可动，通过在结构中设置进压通道，使得外界压力可由...
揣荣岩
线接触联动薄膜电容式压力敏感芯片及其制造方法
本发明公开了线接触联动薄膜电容式压力敏感芯片及其制造方法。该芯片主要包括刻有凹槽的单晶硅衬底，采用MEMS技术制作的上极板和下极板，密封腔体和二氧化硅介质层等。其特征在于：敏感结构中上、下两极板均感压可动，当有外界压力存...
揣荣岩张冰王健行
一种正负压对称的SOI压力敏感芯片设计方法
本发明公开了一种正负压对称的SOI压力敏感芯片设计方法，包括：针对压力敏感电阻设计敏感膜片的中心和边缘两个不同区域的情况，对敏感膜片进行应力模拟分析；根据发生最大应变力位置确定所述压力敏感电阻的区域，并确定所述压力敏感电...
黄炜高国民田开芳周岚生陈林玉朱宁牛孟霄
一种多硅片叠层式差频谐振压力敏感芯片及其制作方法
本发明公开了一种多硅片叠层式差频谐振压力敏感芯片及其制作方法，差频谐振压力敏感芯片是采用晶面晶向相同、参考面晶向不同的下硅片、SOI硅片和上硅片，通过气密性熔融叠层界面原子结合力构成的硅同质一体硅。下硅片上设置有两个下凹...
盛健陈传钊周宇飞陈信琦
联动薄膜电容式压力敏感芯片研究
MEMS电容式压力传感器具有温度特性好、功耗低、灵敏度高等优势,长期处于MEMS领域的研究热点位置。然而,传统电容式压力传感器存在输入与输出之间非线性严重、过载能力低等不足。接触式电容压力传感器虽然可以在一定程度上改善线...
张冰
关键词：压力敏感芯片电容式
一种隔离封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法
一种隔离封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低和温度漂移，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏...
刘兴宇孙权孟宪宁石庆国夏露李修钰
一种应力平衡的SOI压力敏感芯片制作方法
本发明提供一种应力平衡的SOI压力敏感芯片制作方法，所述方法包括将背面的二氧化硅的氮化硅按照确定的各向异性腐蚀窗口进行光刻与刻蚀；对底部凹槽在特定环境下进行各向异性腐蚀；去除背面的二氧化硅和氮化硅，同时测量正面的应力；采...
田开芳高国民黄炜周岚生陈林玉朱宁牛孟霄
加载更多 ∨

相关作者

李新
作品数：154被引量：316H指数：8
供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院
研究主题：压力传感器 压力敏感芯片 微全分析系统 集成化 SOI
揣荣岩
作品数：142被引量：109H指数：5
供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院
研究主题：应变电阻 沟道 压力传感器 晶体管 迁移率
金琦
作品数：32被引量：9H指数：1
供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司
研究主题：压力传感器 传感器 压力敏感芯片 旋转变压器 接口
李颖
作品数：66被引量：69H指数：5
供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司
研究主题：硅电容 极板 压力传感器 传感器 电容压力传感器
郑东明
作品数：32被引量：11H指数：3
供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司
研究主题：压力传感器 敏感电阻 硅 压力敏感芯片 硅基