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一种绝缘栅双极型晶体管及控制电路
本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管及控制电路，包括栅结构、N+源区、P型体区、N基区及P+漏注入区，绝缘栅双极型晶体管包括覆盖设置于N+源区上的发射极、及覆盖设置于P+漏注入区上的集电极；N基区包括靠近P型体区设置的N基区...
朱敏林新春王福龙
绝缘栅双极型晶体管芯片焊接方法
本发明涉及绝缘栅双极型晶体管生产技术领域，尤其涉及绝缘栅双极型晶体管芯片焊接方法，包括以下步骤：步骤1、铜框架进料；步骤2、第一次芯片吸取；步骤3、第一次注焊料；步骤4、第一次焊接；步骤5、第二次芯片吸取；步骤6、第二次...
刘伟赵帅帅
一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管
本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管...
徐向涛沈志刚陈文锁张成方王航张力
具有高短路安全工作区SOA的绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种具有高短路安全工作区SOA的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：主体区域、漂移区域及N型场终止FS区；主体区域的上方设置有发射极以及栅极；所述N型FS区下方设置P型集电区，P型集电区的...
陆界江吴磊李娇周明江
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂...
陈文锁简鹏张澳航王玉莹徐向涛李剑廖瑞金
一种锗硅异质结双极型晶体管及其制备方法
本申请提供一种锗硅异质结双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长集电极层和基极层，得到第一样品；在所述第一样品远离所述衬底的表面制作一层碳量子点层，使得所述碳量子层与所述基极层形成原子级接...
钱坤张培建 易孝辉 唐新悦
与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管及制备方法
本发明涉及双极结型晶体管结构，具体涉及一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管及制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与双极结型晶体管集成的...
段宝兴唐春萍杨银堂
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本申请涉及半导体领域，公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：阱区设置与外延层内，阱区包括沿第一方向设置的基区和阳极区；外延层包括IGBT区域、二极管区域和隔离区域，隔离区域设...
张硕 陈远召 沈鑫 徐浩
一种列车牵引逆变器绝缘栅双极型晶体管寿命损耗估算方法
本发明公开了一种列车牵引逆变器绝缘栅双极型晶体管寿命损耗估算方法，包括：构建IGBT模块损耗预测模型；构建IGBT模块结温等效热阻网络模型；采集列车电机当前的牵引力、转速并设置初始结温，将上述参数输入到所述损耗预测模型，...
谷爱昱 朱圣源 鄢壮 倪强 黄国浩
异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管
本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管，该方法包括：在从下到上依次为基区外延层、发射区InP层和发射区帽层的晶圆上表面溅射金属层和淀积介质层；对介质层和金属层刻蚀，对发射...
周国陈卓宋洁晶崔雍孙虎付兴中高三磊高昶孙天玲张力江
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张波
作品数：4,938被引量：6,950H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
李泽宏
作品数：1,002被引量：112H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
孙伟锋
作品数：1,108被引量：566H指数：11
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 电路
时龙兴
作品数：1,193被引量：345H指数：9
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 氧化层 栅氧化层 金属 绝缘体上硅
张金平
作品数：542被引量：66H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 漂移区