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场板结构优化方法、装置、设备及介质
本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种场板结构优化方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取初始场板结构优化模型；获取调整前的电学性能评价参数；获取多组调整结构参数；获取调整后电学性能评价参数；若调整后电学性能评价参数属...
赵东艳陈燕宁吴波刘巾溆程勇鹏高大为刘芳邓永峰郁文罗宗兰
一种含多电势场板结构的器件及其制备方法
本发明公开了一种含多电势场板结构的器件及其制备方法，方法包括如下步骤：制备基础结构并在基础结构的第二介质层上进行刻蚀，形成栅电极孔；在栅电极孔中沉积n层金属并刻蚀，以形成n层场板金属；n层场板金属中，每层场板金属的热膨胀...
刘伟任永硕王荣华梁辉南董莉徐玲锐
一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件
本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述G...
李月华万发雨徐儒张瑞浩徐佳闰
场板结构及制备方法、半导体器件及制备方法
本发明提供一种场板结构及制备方法、半导体器件及制备方法，该场板结构的制备方法包括以下步骤：提供一半导体结构，形成覆盖半导体结构上表面的叠层结构，叠层结构包括依次层叠的N层介电层，第一层介电层覆盖半导体结构上表面，第N层介...
徐哲
具有浮空场板结构的氧化镓MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种具有浮空场板结构的氧化镓MOSFET器件及其制作方法，包括浮空复合场板，形成为沿沟道长度的平行方向排布的多个场板区段，浮空复合场板插置于场介质层中以使场介质层包围浮空复合场板的侧壁和底部。本发明利用浮空复合...
艾治州王东升
集成场板结构的平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法
本发明公开了一种集成场板结构的平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法，器件包括：位于相邻第二导电类型阱区之间且位于第一外延层之中的特征沟槽，位于特征沟槽底部的第一特征介质层，位于特征沟槽侧壁的第二特征介质层；位于...
张跃柏松宋晓峰李士颜黄润华杨勇
场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型
本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元，以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻R<Sub>s</Sub>、寄生漏极等效电阻R...
周春宇杨荣尚建蕊陈帅徐超孙继浩贾仁需
场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型
本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元，以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻R<Sub>s</Sub>、寄生漏极等效电阻R...
周春宇杨荣尚建蕊陈帅徐超孙继浩贾仁需
一种基于氧化镓的台面离子注入与场板结构复合终端的垂直肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于氧化镓的台面离子注入与场板结构复合终端的垂直肖特基二极管及其制备方法，包括：欧姆电极、β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
周弘李智睿张进成党魁张雅超刘志宏郝跃
具有场板结构的半导体装置
本公开涉及具有场板结构的半导体装置。一种半导体装置包括：硅层，具有电绝缘背面以及所述硅层的正面和所述电绝缘背面之间的10μm到200μm的范围中的厚度；高电压区和低电压区，被形成在所述硅层中，并且沿侧向彼此分隔开；和第一...
L·穆勒-梅斯坎普 R·鲁道夫 A·莫德 A·温泽 D·普里费尔特 C·希佩尔 T·昆齐格
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郝跃
作品数：2,568被引量：1,233H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
张进成
作品数：1,023被引量：116H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
张波
作品数：4,960被引量：7,029H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
李泽宏
作品数：1,006被引量：113H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
张金平
作品数：542被引量：66H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 漂移区