搜索到852篇“ 复合衬底“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
一种复合衬底及半导体器件
本实用新型提供了一种复合衬底及半导体器件，复合衬底包括依次层叠设置的支撑衬底底层、AlN层、第一插入层以及生长衬底层。第一插入层的设置能够帮助释放应力，衰减由生长衬底层传向支撑衬底层的应力，以提高复合衬底的机械强度，同时...
程凯
氮化铝单晶复合衬底的制备方法
一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法，属于复合材料制备领域。氮化铝单晶复合衬底的制备方法包括：在衬底的表面沉积氮化铝多晶膜层，退火使氮化铝多晶膜层重结晶形成氮化铝单晶膜层，保持退火气氛及退火温度，自衬底背离氮化铝单晶膜层的一...
王新强袁冶卢同心万文婷曹家康李泰罗巍
氮化铝单晶复合衬底的制备方法
一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法，属于复合材料制备领域。氮化铝单晶复合衬底的制备方法包括：在衬底的表面沉积氮化铝多晶膜层，退火使氮化铝多晶膜层重结晶形成氮化铝单晶膜层，保持退火气氛及退火温度，自衬底背离氮化铝单晶膜层的一...
王新强袁冶卢同心万文婷曹家康李泰罗巍
复合衬底及其制备方法、及外延片
本发明涉及一种复合衬底，其包括硅衬底层以及用于生长外延层的蓝宝石衬底层；所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。上述复合衬底，由蓝宝石衬底层与硅衬底层采用键合工艺成为一体，该复合衬底，可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层...
林岳明
一种具有单晶碳化硅衬底的复合衬底
本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体公开了一种具有单晶碳化硅衬底的复合衬底，包括：S1、选择基底，S2、溅射沉积单晶碳化硅薄膜，S3、激光剥离，S4、沉积其他层，S5、加工和调制和S6、检测和测试；本发明使用激光剥离可...
李京波张梦龙柯茜
一种包含图形化复合衬底的复合薄膜及其制备方法
本申请提供一种包含图形化复合衬底的复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜从下至上依次包括衬底层、介质层、位于介质层内的图形化层以及有源层；所述介质层以及所述图形化层的材质为无机材料，其中，所述介质层和所述图形化层材质不同；其...
杨超胡文韩智勇侯文青
复合衬底、复合薄膜的加工方法及复合衬底、复合薄膜
本申请提供一种复合衬底、复合薄膜的加工方法及复合衬底、复合薄膜，所述复合衬底的加工方法包括：准备衬底晶圆；对所述衬底晶圆的表面进行热氧化处理，得到带有二氧化硅层的衬底晶圆；当所述二氧化硅层的厚度大于或等于500nm时，对...
刘桂银张秀全刘亚明
复合结构氮化铝单晶复合衬底及其制备方法、紫外发光器件
本申请提供一种复合结构氮化铝单晶复合衬底及其制备方法、紫外发光器件，涉及复合材料领域。复合结构氮化铝单晶复合衬底包括：具有C轴取向的衬底、形成于衬底的表面的单晶氮化铝薄膜，以及形成于单晶氮化铝薄膜的表面的柱状晶氮化铝薄膜...
袁冶王新强卢同心万文婷曹家康李泰罗巍
提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底
本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括：将碳化硅供体材料与支撑层进行连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；对连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；...
王坤高文琳母凤文郭超
一种LED外延用条状复合衬底及其制备方法和制备装置
本发明涉及一种LED外延用条状复合衬底及其制备方法和制备装置，衬底为蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上的图形呈条状，若干图形呈周期排列，且相邻的两个图形之间存在间隔；各图形的取向一致；图形底部宽度大于顶部宽度；图形的材料为Al<S...
侯想刘熠新陈峰钟梦洁林赛罗荣煌卢文瑞游庆勇许珂
加载更多 ∨

相关作者

乔在祥
作品数：166被引量：68H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所
研究主题：铜铟镓硒 太阳电池 柔性衬底 薄膜太阳电池 复合衬底
冯少君
作品数：56被引量：15H指数：2
供职机构：天津理工大学
研究主题：铜铟镓硒 苏打 复合衬底 铜锌 氧化锌薄膜
薛玉明
作品数：122被引量：128H指数：8
供职机构：天津理工大学
研究主题：铜铟镓硒 苏打 复合衬底 太阳电池 薄膜太阳电池
宋殿友
作品数：92被引量：70H指数：4
供职机构：天津理工大学
研究主题：铜铟镓硒 苏打 复合衬底 薄膜太阳电池 铜锌
张嘉伟
作品数：31被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学
研究主题：铜铟镓硒 复合衬底 苏打 太阳电池 聚酰亚胺