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插入多晶硅发射极层的二端双稳态电阻器及其制造方法
本发明公开插入多晶硅发射极层的二端双稳态电阻器及其制造方法。本发明一实施例的二端双稳态电阻器制造方法包括:在基板上形成第一类型的第一半导体层的步骤;在上述第一半导体层的上部形成第二类型的第二半导体层的步骤;在上述第二半导...
崔梁圭孙准佑许在
一种亚微米多晶硅发射极结型晶体管及其制造方法
本发明公开一种亚微米多晶硅发射极结型晶体管及其制造方法,晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电多晶硅多晶硅发射极、注入发射区、注入集...
刘建张培健税国华刘青朱坤峰黄磊王鹏飞赵明琪
多晶硅发射极精确制造工艺研究
2023年
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件,CD尺寸侧向钻蚀小于0.5μm。
杨小兵孙金池盖兆宇
一种多晶硅发射极IGBT器件、制备方法及其应用
本发明涉及H01L29/49领域,更具体地,本发明涉及一种多晶硅发射极IGBT器件、制备方法及其应用。该器件包括多晶硅推阱后形成的N+发射极和N型高掺杂多晶硅。本发明使用N型高掺杂多晶硅发射极替代传统的N+注入形成的发射...
张庆雷王波
一种亚微米多晶硅发射极结型晶体管及其制造方法
本发明公开一种亚微米多晶硅发射极结型晶体管及其制造方法,晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电多晶硅多晶硅发射极、注入发射区、注入集...
刘建张培健税国华刘青朱坤峰黄磊王鹏飞赵明琪
多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究被引量:2
2021年
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间均匀性从12%改善至9%,显著提升了产品的成品率。
孙建洁张可可许帅张明
关键词:多晶硅发射极晶体管退火
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究
2020年
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。
阚玲刘建
关键词:多晶硅发射极晶体管电流增益
插入多晶硅发射极层的二端双稳态电阻器及其制造方法
本发明公开插入多晶硅发射极层的二端双稳态电阻器及其制造方法。本发明一实施例的二端双稳态电阻器制造方法包括:在基板上形成第一类型的第一半导体层的步骤;在上述第一半导体层的上部形成第二类型的第二半导体层的步骤;在上述第二半导...
崔梁圭孙准佑许在
文献传递
一种平面型多晶硅发射极晶体管及其制造方法
本发明提供一种平面型多晶硅发射极晶体管,在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的衬底片的上表面有多个N型的高掺杂浓度的发射区,该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层,其特点是:所述P型浓基区为平面型,所述P型浓基...
李思敏
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一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法
本发明公开了一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法。一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法包括:S1:在衬底片上形成第一发射极窗口;S2:在第一发射极窗口内生长超薄氧化层;S3:在第一发射极窗口内淀积多晶硅;...
张培健刘建朱坤峰
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相关作者

张利春
作品数:70被引量:75H指数:4
供职机构:北京大学
研究主题:多晶硅 晶体管 肖特基势垒 砷化镓 快速热退火
王阳元
作品数:465被引量:771H指数:13
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
郭维廉
作品数:253被引量:271H指数:8
供职机构:天津大学
研究主题:共振隧穿二极管 RTD 负阻器件 共振隧穿器件 负阻
李荣强
作品数:22被引量:29H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:模拟集成电路 互补双极工艺 多晶硅发射极 BICMOS D/A转换器
李树荣
作品数:67被引量:138H指数:7
供职机构:天津大学电子信息工程学院
研究主题:硅光电负阻器件 光电双基区晶体管 光电负阻器件 光电探测器 CMOS图像传感器