搜索到63篇“ 射频CMOS开关“的相关文章
用于TD-SCDMA系统的集成CMOS对称式收/发开关的设计
2006年
本文用TSMC0.35μmCMOS工艺设计实现了一种应用于TD-SCDMA移动通信系统的全集成对称式串并结构的射频收/发开关,详细分析了影响这种射频收/发开关性能的各种因素,并采用了相应的优化方案。
刘冠红熊莉英
关键词:TD-SCDMA射频CMOS开关移动通信
全集成2.4GHzCMOS对称式收发开关的设计被引量:2
2005年
文章设计了一种应用于无线通信的2.4GHz全集成对称式串并型射频收发开关,详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素,并采用了相应的优化方案。经仿真,在2.5V电压下获得了插入损耗1.0dB、隔离度30.5dB和1dB压缩点为16.1dBm的较好结果。该开关采用TSMC0.25μm工艺设计实现,版图面积(包括pad)为0.6mm2。
曾令海池懿叶明王文骐
关键词:CMOS射频集成电路射频CMOS开关
一个2.4 GHz集成的SP3T射频开关和低噪声放大器
2024年
基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点.
马凯学王德建傅海鹏王科平
关键词:无线局域网低噪声放大器射频开关线性度
一种100MHz~12GHz高功率SPDT射频开关
2023年
基于0.13μm CMOS SOI工艺,设计并实现了一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关。该射频开关为吸收式射频开关,开关支路为串并联的拓扑结构。采用负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了隔离度。采用多级开关管堆叠设计,提高了开关的输入1 dB压缩点。测试结果表明,在100 MHz~12 GHz频率范围内,该射频开关插入损耗小于1.5 dB,隔离度大于31 dB,输入1 dB压缩点大于40 dBm。芯片尺寸为1.1 mm×1.1 mm。
袁波吴秀龙谢卓恒赵强秦谋
关键词:高功率高隔离度射频开关SOI
基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器
2022年
基于0.18μm SOI CMOS工艺研制了一款高集成度的天线调谐器芯片,该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路,面积仅为1433μm×760μm。芯片核心射频电路由5 bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成,其中电容阵列采用了基于射频开关的二进制加权并行结构,具有较高的电容值调节精度和调谐比。测试结果表明:电容阵列的电容值由0.3 pF步进到3.4 pF,每级步进0.1 pF,最大品质因数为36@1 GHz,SP3T开关的直流导通电阻为1Ω,关断电容为180 fF@2.7 GHz,插入损耗为0.86 dB@2.7 GHz,输入功率为35 dBm时的二次谐波和三次谐波分别为-62 dBm和-57 dBm。
单春燕卢新民蒋东铭钱峰周猛
关键词:射频开关天线调谐器
5G终端射频开关与天线调谐器的设计与研发
随着集成电路和无线通信技术的快速发展,手机成为了人们生活中的必需品。进入5G时代后,由于用户对数据收发速度和稳定性的要求不断提升,手机天线数量增加,体积减小,导致天线性能受到影响,采用天线调谐器对天线进行调谐是解决该问题...
单春燕
关键词:射频开关控制电路
加热器顶置间接加热GeTe相变的四端口高速射频开关
2022年
针对传统加热器中置间接加热相变开关的固有切换速度缓慢难题,本文提出一种加热器顶置的射频开关新结构,即加热器顶置的间接加热相变材料四端口开关(four-port indirect heating phase change switch with a top microheater,FIPCS-T),通过热传导过程自上而下的定向性,建立了更加有效的焦耳热能量利用方法.新结构中不同射频参数的仿真表明,FIPCS-T结构对升温过程和淬火过程均能有效缩短相变材料达到临界温度的时间,升温过程比淬火过程的缩短更加显著.相比于传统中置间接加热相变开关,FIPCS-T的升温-淬火环节时间缩短20%以上,这不仅显著提高了切换速度,同时还降低了相变材料的重结晶风险,结合相变材料本身具有的高频低损耗特征及其器件结构设计的灵活性,从而可在微波、毫米波、太赫兹等超大范围频段内提供反射小、插损低和端口隔离度高的高速射频开关.尽管人们对GeTe相变材料在信息存储等方面的应用开展了多年研究,但其特殊相变特征能否解决未来射频开关面临的高性能需求,仍然存在诸多挑战.本文研究结果表明,GeTe热相变机理与PIN二极管、微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)等其他原理相比,新射频开关的速度更快、工作频率更高、插入损耗更低.在射频开关特性验证的基础上,我们构建了由5个FIPCS-T单元组成的缺陷地结构(defected ground structure,DGS)可重构滤波器,实现了滤波器频率和带宽的重构,证明了开关状态组合对滤波器媒质特性的调控能力;再通过5个单元FIPCS-T开关状态的组合与电致热控制,实现了低通、带通滤波特征的可重构,为未来大规模天线、大规模电路等先进可重构无线电系统的智慧调控提供了全新的射频开关机理和方法.同时,引入类似相变存储器多值方案的控制方法,可有效提升相变开关的调控和选择维度,增加可调控的性能范围和参�
刘元安穆冬梅肖烽于翠屏
关键词:射频开关GETE可重构微波毫米波
Sub-8GHz超宽带射频接收机CMOS下变频器的设计
随着人们对于通信系统的要求不断提高,通信技术顺势不断地更迭发展,使得频率更高、覆盖范围更广的超宽带射频收发机及其模块的研究和设计成为当前的热点。下混频器是接收链路中的关键模块,极大的影响接收机整体的性能,也是研究和设计的...
刘凌超
关键词:超宽带
一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关
本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关,所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE...
高志强王蒙
文献传递
一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关
本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关,所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE...
高志强王蒙
文献传递

相关作者

刘冠红
作品数:2被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学
研究主题:TD-SCDMA系统 移动通信 CMOS集成 CMOS TD-SCDMA
王文骐
作品数:43被引量:144H指数:7
供职机构:上海大学通信与信息工程学院
研究主题:CMOS 毫米波 低噪声放大器 移动通信 GSM
熊莉英
作品数:24被引量:19H指数:2
供职机构:西南科技大学
研究主题:ADC BIC 标量乘 HANDEL-C VHDL语言设计
叶明
作品数:33被引量:45H指数:4
供职机构:上海大学通信与信息工程学院
研究主题:微带天线 电压比较器 双频微带天线 变换器 非线性校正
曾令海
作品数:3被引量:7H指数:2
供职机构:上海大学通信与信息工程学院
研究主题:CMOS 无线通信 双平衡混频器 开关 全集成