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一种提高SiC外延少数载流子寿命的方法
一种提高SiC外延少数载流子寿命的方法，涉及半导体材料领域。S1、SiC衬底标准清洗后外延生长一层厚10μm以上的外延层；S2、再次标准清洗，在O<Sub>2</Sub>气氛下对4H‑SiC外延片高温氧化，在SiC表面形...
张峰张锐军洪荣墩邱宇峰张荣
一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统和方法
本发明公开了一种少数载流子寿命的纵向分布的测试系统和方法。该方法至少包括：照射激发部11，包含用于照射样品产生光致载流子的不同波长的光源14和产生对半导体材料照射的微波产生器15；经过加工的待测样品12；检测部13，用于...
张新河 杨安丽 陈施施 温正欣 高博 张国旗
有机半导体器件中少数载流子空间分布的测试方法
本发明公开了一种有机半导体器件中少数载流子空间分布的测试方法，包括以下步骤：将有机半导体器件与半导体分析仪连接，利用显微镜物镜对焦有机半导体器件；关闭显微镜光源，采用标准光谱采集模式，设置拉曼光谱仪激光参数和半导体分析仪...
刘琳琳柴惠
一种硅芯少数载流子寿命测试工作台
本实用新型公开了一种硅芯少数载流子寿命测试工作台，涉及硅芯生产技术领域，该硅芯少数载流子寿命测试工作台，包括测试台、支撑板、滑轨和电动伸缩杆，所述支撑板的一侧设置有一号电机，所述支撑板的上端开设有凹槽，所述凹槽的内侧设置...
赵昭李洁张继平
太阳电池少数载流子端接触电阻的测试方法
一种太阳电池少数载流子端接触电阻的测试方法，通过暗态I‑V曲线对应样品不同的正面电极面积S绘制出dV/d(lnI)‑I曲线，并结合双(二极管+电阻)等效电路模型对曲线进行分段分析，进而计算出电阻‑电极面积倒数曲线，经曲线...
沈文忠陈丽燕林豪高平奇李正平
一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命的方法
本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命的方法，通过从非晶硅薄膜中逸出的氢原子对所述碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的表面寿命；再通过对所述非晶硅薄膜进行激光照射，增加...
宋立辉皮孝东杨德仁刘帅茆威威熊慧凡
硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减-脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，...
基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法
本发明公开了一种基于准光腔的半导体材料少数载流子寿命检测系统及方法，包括微波信号源、准光腔、检波器、直流信号检测装置及脉冲激光源；微波信号源的输出端与准光腔的输入端相连接，准光腔的输出端与检波器的输入端相连，检波器的输出...
叶鸣杨放
避免场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管
本发明提供了一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管。该方法包括如下步骤：在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。...
揭建胜张秀娟张晓宏吴晓峰
窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置和方法
本发明公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置和方法，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测...
李天信谢天夏辉童中英陆卫
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张波
作品数：4,960被引量：7,029H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
李泽宏
作品数：1,006被引量：113H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
刘竞秀
作品数：200被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 功率半导体器件 栅电荷 槽栅
张金平
作品数：542被引量：66H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 漂移区
陈凤翔
作品数：20被引量：33H指数：4
供职机构：上海交通大学
研究主题：太阳电池 少数载流子寿命 纳米硅薄膜 少子寿命 灵敏度