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- 异质结双极型晶体管
- 一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的基层；位于所述基层上沿第一方向排布的第一发射部、阻挡层和第二发射部，所述阻挡层位于所述第一发射部和所述第二发射部之间，所述第一方向平行于所述衬...
- 丁帼君李新宇赵亚楠姜清华
- 异质结双极型晶体管
- 本发明提供了一种异质结双极型晶体管，包含集电极层，且集电极层包含能隙渐变层，能隙渐变层能产生内建电场，内建电场能使能隙渐变层中的一些电子速度发生变化。
- 黄朝兴金宇中曾敏男陈凯伦
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- 异质结双极型晶体管
- 本发明提供一种异质结双极型晶体管，能够维持控制稳定性同时降低基极‑集电极间电容的集电极电压依存性。所述异质结双极型晶体管(HBT)具备：具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于半导体基板的第一主面侧的集电极层...
- 大部功梅本康成吉田茂柴田雅博
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- 异质结双极型晶体管
- 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向...
- 沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
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- 异质结双极型晶体管
- 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向...
- 沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
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- 异质结双极型晶体管
- 提供一种晶体管单元可进行均匀的动作的异质结双极型晶体管。上述晶体管的特征是：在把在发射极电极34与集电极电极33之间具备有发射极层7，基极层5和集电极层4的多个晶体管单元15并联形成的异质结双极型晶体管中，在上述发射极层...
- 采女丰门岩薰早藤纪生紫村辉之
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- 异质结双极型晶体管
- 该发明为一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向...
- 关键词：
- 关键词：异质结双极型晶体管双极晶体管低噪声系数
- 异质结双极型晶体管
- 本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到导电...
- H·L·小奥尔德里奇A·K·斯坦珀J·黄J·A·康塔洛夫斯基
- 一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法
- 本发明属于异质结双极型晶体管技术领域，具体涉及一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法。本发明提供的异质结双极型晶体管包括：设置在所述基区和所述发射层之间的过渡层，所述MOCVD外延生长方法包括在所述基区表面采用...
- 程志豪张永单智发朱仕源
- 异质结双极型晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种异质结双极型晶体管及其制备方法。异质结双极型晶体管包括半导体外延结构以及基极、发射极和集电极，所述半导体外延结构包括沿第一方向依次层叠设置的集电区、基区和发射区，所述基极与所述基区电连接，所述发射极与所述...
- 闫书萌孙钱刘建勋周宇孙秀建钟耀宗陈昕李倩杨辉
