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异质场效应晶体管
本发明公开了一种异质场效应晶体管,主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题,其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面...
毛维王海永杨翠张金风马佩军郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃
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异质场效应晶体管
本发明公开了一种异质场效应晶体管,主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题,其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面...
毛维王海永杨翠张金风马佩军郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃
异质场效应晶体管
异质场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短,第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏...
藤井敬久永久哲三久保胜
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异质场效应晶体管
异质场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短,第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏...
藤井敬久永久哲三久保胜
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异质场效应晶体管
本发明提供异质场效应晶体管。其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,并且不产生短沟道效应。作为解决手段,异质场效应晶体管具有在基底(20)上依次层积的作为沟道层(40)的第1GaN...
玉井功户田典彦星真一
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异质场效应晶体管
提供一种在实现低驱动电压化的同时,可以抑制发射极、基极之间的再合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率...
丰田健治幸康一郎高木刚大西照人久保实
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异质场效应晶体管
提供一种在实现低驱动电压化的同时,可以抑制发射极、基极之间的再合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率...
丰田健治幸康一郎高木刚大西照人久保实
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异质场效应晶体管器件构及其制备方法
本发明提供了一种异质场效应晶体管器件构及其制备方法,该异质场效应晶体管器件构包括:衬底;异质晶圆设置在衬底上,异质晶圆包括量子阱层,量子阱层内形成埋沟通道;栅氧化层设置在异质晶圆上;栅极设置在栅氧化层上;P...
曹刚 李宗祜 王保传 李海欧 郭国平
一种超低导通电阻鳍型异质场效应晶体管
本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质场效应晶体管,包括:第一导电类型衬底;漏极金属层;第一导电类型漂移层;第一导电类型第一导电层;所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部;第二导电类型...
陈文锁黄嘉伟文徐向涛张成方王航张力
一种金刚石氮化铝异质场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种金刚石氮化铝异质场效应晶体管及其制备方法,该方法包括:在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理,得到氧终端。去除目标区域的保护层,并在氧终端的遮蔽下,在目标...
蔚翠冯志红刘庆彬何泽召周闯杰郭建超马孟宇余浩李鹏雨张栋曜杨玉章王维

相关作者

于奇
作品数:562被引量:233H指数:9
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
杜江锋
作品数:127被引量:20H指数:3
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒层 势垒
郝跃
作品数:2,568被引量:1,233H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
毛维
作品数:193被引量:16H指数:3
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 势垒层 电力电子系统 功率器件 淀积
杨翠
作品数:132被引量:191H指数:5
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 势垒层 空场 功率器件 淀积