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快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法: 本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：(1)用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；(2)对辐照后的LED芯片进行封...; 缑洁张崇宏宋银杨义涛杨华段利敏谭继廉王柱生

快重离子辐照改性介电聚合物的结构演变与储能性能提升: 2024年; 由于薄膜电容器具有低极性,绝缘阻抗高,频率响应宽等优点,具有旁路、去耦、滤波和储能的功能,广泛应用于通信、电子、航空航天、医疗设备、新能源等行业。近年来,由于行业的发展,低介电损耗、高击穿场强与高能量密度的新型介电材料的研发变得愈发重要。采用氙重离子束对聚(偏二氟乙烯–六氟丙烯)进行辐照改性,系统地研究了辐照注量对材料微观结构、介电性能和储能性能的影响。结果表明,^(129)Xe^(27+)快重离子辐照促进了优势相变与表面交联结构形成,提高了材料的储能效率与击穿场强。同时,辐照断键提高了材料的介电常数,增强了有效极化。多种效应协同作用下,成功制备了高击穿场强(540 MV/m)、高放电能量密度(16.3 J/cm^(3))的辐照改性聚合物材料,为促进聚合物介质电容器的发展提供了理论与实验依据。; 黄帅康郭鹏张琦忠王文涛谭划张晓东段敬来李飞郭新胡永明张海波; 关键词：快重离子辐照介电材料相变交联

快重离子辐照引起SiC纤维微结构变化: 2023年; 借助场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析技术,研究不同注量的246.8MeV的Ar^(16+)离子辐照SiC纤维后的表面形貌、组分、直径以及SiC晶粒大小和相态随离子注量的变化规律。SEM结果表明,随着离子注量的增加,SiC纤维直径呈现先减小后增大的趋势;最大注量(2.7×10^(15)ions/cm^(2))辐照的SiC纤维表面粗糙度显著增大,且纤维脆性断裂;同时,纤维表面碳含量随注量逐渐减小,硅含量逐渐增大,并有氧的吸附。TEM结果表明,随着离子注量的增加,SiC晶粒的尺寸先减小后增大,局部出现了非晶化;最高注量辐照后,发生了再结晶现象。; 龙春琼张丽卿张丽卿张崇宏邱荣邱荣李建洋唐永建唐永建竹文坤; 关键词：快重离子辐照 SIC纤维 SEM TEM

快重离子微观尺度二维分布的模拟研究: 2022年; 在快重离子的辐照中,无论通过束流扫描还是束流散焦,在微观尺度上入射离子依然是随机分布的。最近,这种微观上的离子不均匀性对于快重离子的前沿应用,如高密度微孔膜的制备和航空电子器件的单粒子效应的评估等变得至关重要。本工作利用蒙特卡罗方法模拟了垂直于束流方向的二维平面上随机分布的离子。从统计角度来看,蒙特卡罗方法模拟的潜径迹的分布与相同离子注量下微孔膜的电镜观测结果相一致。根据模拟结果,微孔膜的有效孔隙率可以通过辐照注量和孔径来进行有效预测。另外,也提出了计算有效孔隙率的经验公式。利用此公式可以在一定程度上预测最优化的离子辐照和化学蚀刻参数,从而得到理想的孔隙率。同时,为了评估微孔膜的选择性,计算了形成重孔的概率,这有助于在膜的孔隙率和选择性之间达到平衡,从而获得最好的膜性能。通过蒙特卡罗模拟,还研究了微观尺度下离子辐照的均匀性问题,其结果可以为单粒子效应等应用提供重要参考。; 李彬博黄科京王文涛张家明薛海舟莫丹段敬来; 关键词：快重离子离子分布单粒子效应

快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法: 本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：(1)用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；(2)对辐照后的LED芯片进行封...; 缑洁张崇宏宋银杨义涛杨华段利敏谭继廉王柱生; 文献传递

β--Ga2O3单晶材料及其肖特基二极管的快重离子辐照效应研究: β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带半导体材料，它的禁带宽度达到4.8-4.9eV，远高于Si(1.1eV)、SiC(3.3eV)、GaN(3.4eV)的禁带宽度。而且β-Ga2O3的理论击穿场强为8MV/cm，几乎是Ga...; 艾文思; 关键词：肖特基二极管快重离子半导体材料

快重离子辐照对氧化锌材料内部结构特性的影响: 2020年; 使用拉曼光谱和透射电镜等分析手段研究了高能快重离子辐照对ZnO单晶内部结构特性的影响。结果表明,经过快重离子辐照后,在ZnO单晶的拉曼光谱中出现了两个新的振动吸收峰。采用不同轴向的拉曼入射光表征方法,证实了位于576 cm-1的振动吸收峰与氧空缺位(V0)密切相关。经离子辐照后透射电镜图像显示出现了许多间隙原子、空位和位错等缺陷,而电子衍射图表明试样没有出现明显的非晶化。这个结果表明,较高的能量和辐照剂量对氧化锌的整体结构和性能几乎没有影响,也充分证明ZnO单晶具有良好的抗辐照性能。; 宋银吕康源张胜霞; 关键词：无机非金属材料快重离子拉曼光谱透射电镜

快重离子辐照引起二维材料MoS2的结构损伤及光学性能变化研究: 快重离子辐照作为缺陷工程的一种有力工具可以实现在原子尺度对二维材料进行改性，可以制备出纳米过滤膜、用于单个生物分子检测的纳米孔、纳米离子泵等，同时在新型纳米电子结构器件、催化、光学等领域有着重要应用。另一方面，随着半导体...; 徐丽君; 关键词：半导体材料二硫化钼快重离子辐照改性处理光学性能; 文献传递

快重离子辐照对YBa2Cu3O7–δ薄膜微观结构及载流特性的影响被引量：1: 2020年; 钇钡铜氧(YBCO)高温超导材料在能源、交通等方面具有广泛的应用前景,然而强磁场下出现的低临界电流密度问题严重限制了其应用.利用快重离子辐照技术可在YBCO中形成潜径迹对磁通涡旋进行钉扎,从而有效改善其在磁场下的超导性能.本文利用能量为1.9 GeV的Ta离子对YBCO高温超导薄膜进行辐照,系统地研究了不同离子注量下YBCO薄膜的微观结构及磁场下电流传输特性的变化情况.研究表明,Ta离子辐照在薄膜中沿入射路径方向产生贯穿整个超导层的一维非晶潜径迹,其直径在5 nm到15 nm之间.结合Higuchi模型分析了快重离子辐照对薄膜中磁通钉扎机制的影响.研究发现:在原始样品中本征面缺陷钉扎是主要的钉扎机制;随着辐照注量的增加,薄膜中的钉扎类型逐渐转变为由快重离子辐照引入的正常相缺陷钉扎.临界电流密度与磁场的关系可用函数Jc∝B?α 进行拟合.指数α随着注量的增加而降低,当注量为5.0 × 1011 ions/cm2时已由最初的0.784降低至0.375,说明临界电流密度对磁场的依赖关系大大减弱.当辐照注量为8.0 × 1010 ions/cm2时,潜径迹对磁通涡旋的钉扎效果最佳.在该注量下,高场(B > 0.3 T)下临界电流密度达到最大值且钉扎力提升了近两倍,临界转变温度无明显变化(△Ton ≈ 0.5 K).实验结果表明,快重离子辐照产生的潜径迹可以在不影响临界转变温度的前提下有效改善磁场下超导载流能力.; 刘丽刘杰曾健曾健张胜霞翟鹏飞胡培培张胜霞艾文思; 关键词：快重离子辐照钉扎

Optical Properties of GaN Irradiated with Swift Heavy Ions: 2018年; In the past decade,III-V semiconductor material such as gallium phosphide(GaP),gallium nitride(GaN)and related nitride compounds,have been developing very rapidly due to their wide range of applications.Ion beams were proven to be an efficient method to modify the structure and properties of the materials.In the present work,lattice defects produced in GaN crystal by 350 MeV 56Fe21+ions were characterized by using various methods including Raman scattering,XRD and photoluminescence(PL)spectrometry at room temperature.; Song YinChen XiaoxuZhang XianlongYang YitaoDing ZhaonanZhang Chonghong; 关键词：SCATTERING GAN

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