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抛光晶片
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
抛头及
抛光
晶片
监控方法
本发明提供了一种抛头及
抛光
晶片
监控方法,属于
晶片
抛光
技术领域,解决了现有技术
抛光
设备停机次数多的问题。本发明的抛头包括壳体,壳体内设有安装面;软基垫,软基垫设置于壳体底部,软基垫用于吸附
晶片
,且软基垫与安装面之间形成一腔...
朱亮
李阳健
郑猛
黄金涛
抛头及
抛光
晶片
监控方法
本发明提供了一种抛头及
抛光
晶片
监控方法,属于
晶片
抛光
技术领域,解决了现有技术
抛光
设备停机次数多的问题。本发明的抛头包括壳体,壳体内设有安装面;软基垫,软基垫设置于壳体底部,软基垫用于吸附
晶片
,且软基垫与安装面之间形成一腔...
朱亮
李阳健
郑猛
黄金涛
一种双面
抛光
晶片
的加工方法
本申请涉及
晶片
加工技术领域的一种双面
抛光
晶片
的加工方法,包括以下步骤:选取经过单面研磨的
晶片
;其中,
晶片
经过单面研磨的面为
晶片
正面;选用
抛光
液对
晶片
正面进行超轻压技术
抛光
;使用研磨液对
晶片
背面进行深度研磨;选用
抛光
液对经...
林骞
余雅俊
占俊杰
徐良
刘建哲
一种单面
抛光
晶片
背面打字、蚀刻工艺
本发明公开了一种单面
抛光
晶片
背面打字、蚀刻工艺,具体包括以下步骤,步骤一、
晶片
的初次蚀刻,初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一;步骤二、
晶片
的打字作业,待加工的
晶片
送到打字工站,按照设计的打字标识进行打字作业;步骤三、
晶片
...
古新远
赵波
刘宏伟
高伟
一种用于双面
抛光
晶片
的清洗系统
本实用新型涉及半导体加工技术领域,公开了一种用于双面
抛光
晶片
的清洗系统,包括清洗槽、支撑座、喷淋冲洗单元和甩干单元,清洗槽内由隔板分成若干个清洗池,各清洗池均设置有支撑座,相邻的两个清洗池之间设置有喷淋冲洗单元和/或甩干...
吴倩
王金灵
周铁军
田玉莲
一种石英
抛光
晶片
频率分选装置
本实用新型公开了一种石英
抛光
晶片
频率分选装置,包括底座,所述底座的顶部固定连接有加工箱,所述加工箱的顶部固定连接有电机,所述电机连接有传动结构,所述加工箱中设置有
抛光
盘,所述
抛光
盘的正下方设置有加压板,所述底座中开设有储...
徐大四
王万云
文献传递
一种双面
抛光
晶片
的加工方法
本申请涉及
晶片
加工技术领域的一种双面
抛光
晶片
的加工方法,包括以下步骤:选取经过单面研磨的
晶片
;其中,
晶片
经过单面研磨的面为
晶片
正面;选用
抛光
液对
晶片
正面进行超轻压技术
抛光
;使用研磨液对
晶片
背面进行深度研磨;选用
抛光
液对经...
林骞
余雅俊
占俊杰
徐良
刘建哲
一种蓝宝石双面
抛光
晶片
的加工工艺
本申请提供了一种蓝宝石双面
抛光
衬底的加工工艺,通过高温蚀刻的作用,达到消除应力及去除部分研磨损伤层的效果,将传统加工制程中上蜡、铜抛、下蜡、清洗、退火、反面上蜡、铜抛、下蜡8个步骤变更为一个蚀刻替代,简化整体的工序,节省...
莫康
郑贤良
余学志
沈祥海
一种单面
抛光
晶片
背面打字、蚀刻工艺
本发明公开了一种单面
抛光
晶片
背面打字、蚀刻工艺,具体包括以下步骤,步骤一、
晶片
的初次蚀刻,初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一;步骤二、
晶片
的打字作业,待加工的
晶片
送到打字工站,按照设计的打字标识进行打字作业;步骤三、
晶片
...
古新远
赵波
刘宏伟
高伟
文献传递
用于
抛光
晶片
的背面的高强度
抛光
垫
本申请涉及用于
抛光
晶片
的背面的高强度
抛光
垫。所述
抛光
垫包括
抛光
层,其中,所述
抛光
层在
抛光
面内具有凹凸单元格栅,所述
抛光
层的硬度为60肖氏D至90肖氏D。根据本申请的用于
抛光
晶片
的背面的高强度
抛光
垫具有优异的杂质去除效果以...
金八坤
刘永俊
吴承泽
李都炯
文献传递
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郑红军
作品数:27
被引量:31
H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
卜俊鹏
作品数:25
被引量:28
H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
惠峰
作品数:30
被引量:19
H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
朱蓉辉
作品数:13
被引量:6
H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
赵冀
作品数:10
被引量:6
H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
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