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异质结电池接触电阻率的测量方法: 本申请提供了一种异质结电池接触电阻率的测量方法，异质结电池包括掺杂硅层、位于掺杂硅层上的透明导电层、多根间隔排列在透明导电层上的栅线，包括：对电池片进行划片，以获取待测单元电池片；测量栅线与透明导电层之间的第一接触电阻(...; 李宏伟姜倩倩胡匀匀孟子博杨广涛

晶硅异质结(HJT)太阳电池电子接触电阻率测量: 2025年; 对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在特定金属电极图案下测得,而难于在真实的太阳电池器件中测得。对于硅基异质结(HJT)太阳电池而言,接触电阻率(ρ_c)包含银(Ag)电极与氧化铟锡(ITO)的接触电阻率ρ_(c1),以及ITO与p或n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)。为此,要精确测得ρ_(c1)和ρ_(c2),需分别制备特定结构以便测量。该文提出一种新的TLM测试方法,在实际的HJT太阳电池器件上,同时测量出电子在Ag/ITO界面的接触电阻率ρ_(c1)值2.5~3.1 mΩ·cm^(2),ITO与n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)值21~24 mΩ·cm^(2)。这两个值与文献报道基本一致。; 吴坚李硕; 关键词：硅太阳电池异质结接触电阻

碳化硅压力传感器欧姆接触电阻率的测量方法被引量：1: 2024年; 鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳化硅的T-LTM测试图形,在氮气氛围下进行了700℃和1000℃的合金实验。最终实验结果显示合金温度对I-V线性关系的显著影响,结合T-LTM测试分析,测定接触电阻率值,验证是否形成良好的欧姆接触。该研究为碳化硅压阻式高温压力传感器的开发提供了技术参考。; 任向阳张治国刘宏伟李永清李颖贾文博祝永峰王卉如钱薪竹; 关键词：碳化硅压力传感器欧姆接触接触电阻率

一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法: 本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N<Sub>2</Sub>、H<Sub>2</Sub>混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层...; 宗华付建波蒋盛翔

一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法: 本发明涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，包括：(1)、在电池片上直径不同的圆形点状电极周围进行开槽处理，形成内径不同的圆形凹槽结构；(2)、测试内径不同的圆形凹槽结构对应的内径；(3)、测试直径不同的圆形点状电...; 包杰陈程黄策乔振聪刘志锋陈嘉林建伟

一种提高CTLM法测欧姆接触电阻率精确度的方法: 本发明涉及一种提高CTLM法测欧姆接触电阻率精确度的方法，属于半导体激光器制造技术领域，首先对基底表面进行清洗，通过光刻进行图形预制备，之后通过PECVD进行绝缘层的生长，通过剥离去胶法或腐蚀法保留非接触电极区域绝缘层。...; 王潇潇任夫洋苏建张晓东刘琦吴德华

一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构: 本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构，包括若干个相互并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞包括金属源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其中栅极的表面沉积有栅氧化层；所述半导体...; 许一力

一种改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法: 本发明提供了一种改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，包括以下步骤：在SiC芯片的背面生长欧姆金属层；在欧姆金属层上进行刻蚀形成第一CTLM图形层；对第一CTLM图形层进行退火；在退火后的第一CTLM图形层...; 钱志成孙西龙徐俊栗锐

一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法: 本发明提供一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法，上述GaN基HEMT器件包括衬底、缓冲层、非掺杂u‑GaN层、重掺杂n+GaN层及异质结；缓冲层设于衬底上；非掺杂u‑GaN层设于缓冲层上；重掺杂n+...; 潘磊卢双赞柳俊

一种基于光纤传感及非接触电阻率技术的海洋土触变特性测试系统及方法: 本发明属于土木工程技术领域，提供了一种基于光纤传感及非接触电阻率技术的海洋土触变特性测试系统及方法。一种基于光纤传感及非接触电阻率技术的海洋土触变特性测试系统，包括基于变压器原理的无电极非接触土体电阻率测试装置、利用光纤...; 裴华富孙安元杨庆杨钢田世豪张敏捷

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