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- 一种源场板结构的金刚石场效应晶体管模型
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- 关键词：击穿电压
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- 高电子迁移率晶体管模型与高效率MMIC放大器研究
- 随着大流量移动宽带业务、大规模物联网技术以及工业自动化设备的需求不断高涨，未来无线通信系统需要更快的数据传输速度、更大的数据容量以及更低的信号延迟，而这也对无线射频发射机的性能指标提出了更高的要求。作为射频发射机末端不可...
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- 关键词：高电子迁移率晶体管高次谐波功率增益
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- 随着MOSFET尺寸缩小至纳米尺度，已经接近其物理极限，尺寸缩小带来工艺成本增加、可靠性退化及功耗上升等问题已成为限制集成电路进一步发展的主要瓶颈。隧穿场效应晶体管(TFET)是一种利用量子隧穿机制导通电流的新型器件，与...
- 芦宾
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- 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展被引量：1
- 2018年
- 随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。
- 刘芳陈燕宁李建强付振袁远东张海峰唐晓柯
- 关键词：阈值电压饱和电流电荷密度
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型研究与功率放大器设计
- 现今时代，无线通信技术得到了长足的进步，同时人们对固态电子器件也有更为苛刻的期望。随着使用频率的不断提高，输出功率的不断增大，以Si和GaAs为代表的前两代半导体越来越难以满足需求。而像GaN这样的新一代宽带隙半导体材料...
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