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- 本实用新型公开了一种晶体管设计电路用测试装置，涉及晶体管测试技术领域，该晶体管设计电路用测试装置，包括底座，所述底座后表面固定安装有板架，所述板架表面固定安装有万能表，所述板架表面安装有接线筒。本实用新型通过托放架表面开...
- 张道宇
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- InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计被引量：1
- 2022年
- 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。
- 刘涛刘燚王冯涛
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- 薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏
- 本申请实施例提供的薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏，通过计算栅极所在的第一金属层的面积，并通过以沟道的数量为变量，获得第一金属层的面积为最小时，该最小面积对应的沟道的数量。采用该沟道的数量设计薄膜晶体管，可以使...
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- 张一攀
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