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一种优化栅电容的SGT器件及制备方法
本发明提供了一种优化栅电容的SGT器件及制备方法，属于SGT器件技术领域，包括N型重掺杂区和外延层，所述外延层内开设有沟槽，所述沟槽的内部设有源多晶硅，所述源多晶硅的外侧和沟槽的内壁之间设有侧壁氧化层，所述侧壁氧化层的顶...
杨国江姚兆铭
叠栅电容测试结构的制造方法和叠栅电容测试结构
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种叠栅电容测试结构的制造方法和叠栅电容测试结构。其中，方法包括提供半导体基底层，所述半导体基底层上形成隧穿介质层和浮栅多晶硅层；在所述浮栅多晶硅层上依次形成叠栅间介质层和控...
程国庆刘宪周周海洋王会一沈权豪
一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
本发明涉及一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法，属于微电子领域，四部分电容为并联状态，故总栅电容C<Sub>G</Sub>＝2(C<Sub>1</Sub>+C<Sub>2</Sub>+C<Su...
崔鹏王柳韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
本发明涉及一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法，属于微电子领域，四部分电容为并联状态，故总栅电容C<Sub>G</Sub>＝2(C<Sub>1</Sub>+C<Sub>2</Sub>+C<Su...
崔鹏王柳韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
基于MOS栅电容及电容分压结构的物理不可克隆函数电路
本发明公开了一种基于MOS栅电容及电容分压结构的物理不可克隆函数电路，该电路包括两组单元阵列及动态比较器；每一单元阵列均由多个单元结构组成，且两个单元阵列中包含的单元结构的数量相等，每一单元结构均由第一开关、第二开关、第...
关宇斌赵晓锦林浩涛左海彪罗逸安
基于复合介质栅电容的电压式全局快门光敏探测器及方法
本发明提供了一种基于复合介质栅电容的电压式全局快门光敏探测器及方法。该探测器的单元中，全局快门结构设置在复合介质栅MOS电容和读取晶体管之间，具体包括开关晶体管和开关电容，开关晶体管的结构包括底层绝缘介质层、控制栅极和源...
闫锋朱千琳常峻淞陈辉王子豪沈凡翔刘泉
带有增强的浮栅到浮栅电容耦合的FINFET分裂栅非易失性存储器单元
形成在半导体衬底的向上延伸的鳍片上的存储器单元，各个存储器单元包括：在两者间具有沟道区的源极区和漏极区、沿该沟道区延伸并环绕该鳍片的浮栅、沿该沟道区延伸并环绕该鳍片的字线栅、在该浮栅上方的控制栅以及在该源极区上方的擦除栅...
F·周X·刘S·莱姆克H·V·特兰N·多
基于栅电容的抗线串扰与非门电路
本发明公开了一种基于栅电容的抗线串扰与非门电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、低阈值反相器和两个信号采样电路，第一MOS管作为第一个容值调节单元，第二MOS管作为第二个容值调节单元，第三MO...
赵志伟张跃军张会红
带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法
本发明题为“具有改善的控制栅电容耦合的分裂栅闪存存储器单元及其制造方法”。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层；在该第二绝缘层中形成沟槽以暴露该第一导电层...
邢精成王春明X·刘N·多宋国祥
一种降低trench DMOS栅电容的制造方法
本发明公开一种降低trench DMOS栅电容的制造方法，属于半导体功率器件技术领域。在高密度低导通电阻的分离栅器件基础上，在trench结构中间插入氧化层，其厚度为<Image file="DDA00026770743...
廖远宝徐政吴锦波徐海铭
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张波
作品数：4,965被引量：7,038H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
张金平
作品数：543被引量：66H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 半导体功率器件
李泽宏
作品数：1,006被引量：113H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
刘竞秀
作品数：200被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 功率半导体器件 栅电荷 槽栅
王康
作品数：64被引量：18H指数：2
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 功率半导体器件 栅电容 IGBT