搜索到321篇“ 汽相外延生长“的相关文章
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碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长被引量：5
1997年
利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。
宋炳文刘朝旺王跃王静宇杨玉林
关键词：碲镉汞薄膜MOVPE红外光学材料
氢汽相外延生长激光二极管质量的InP／Si
1995年
邸建华
关键词：激光二极管集成光学器件
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)
1994年
概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10^(14)cm^(-3)的程度,同时还允许用施主或受主控制反向掺杂。用内部扩散多层方法(IMP)有可能获得合金的大面积均匀性。然而,为了避免在混成结构上出现热应力,必须将焦平面列阵生长在Si衬底上。介绍了从一个256×256元中波红外列阵上获得的初步结果,还介绍了有关光学现场监视的结果。这些结果将形成今后改进外延控制方法的基础。
S.J.C.Irvine高国龙
关键词：碲镉汞汽相外延生长红外探测器
低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究
1994年
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。
卢励吾周洁封松林段树坤
关键词：半导体激光器能级汽相外延生长
光助金属有机汽相外延生长ZnSe的氮掺杂
1994年
关键词：硒化锌氮掺杂
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)
1994年
4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低温度下热解的DiPTe用作DETe的替换物。
S.J.C.Irvine高国龙
关键词：HGCDTE探测器
金属有机汽相外延生长CuGa（S0.65Se0.35）2／CuAl0.3Ga0.7（S0.65Se0.35）2双异
1994年
尤明秋
关键词：MOVPE双异质结受激发射
In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析被引量：1
1989年
本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.
徐宝琨李钟华宋利珠赵慕愚
关键词：热力学计算气相外延铟镓砷
低温氯化物汽相外延生长GaAs/InP复合材料的研究
杨东辉
半磁半导体HgCdMnTe的汽相外延生长及Hg-Te相图的研究
陈卫民
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段树坤
作品数：24被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOVPE生长 MOVPE 氮化镓 汽相外延生长 砷化镓
陆大成
作品数：77被引量：127H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOVPE GAN MOVPE生长 MOCVD
杨东辉
作品数：200被引量：536H指数：13
供职机构：吉林大学
研究主题：心房颤动 阵发性心房颤动 射频消融 肺静脉 心电图
宋炳文
作品数：50被引量：58H指数：4
供职机构：昆明物理研究所
研究主题：碲镉汞 MOVPE 碲镉汞薄膜 碲镉汞晶体 晶体生长
刘燕飞
作品数：1被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD生长 HBT材料 GAALAS/GAAS 化学汽相淀积 汽相外延生长