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深亚微米 工艺 低温阈值电压解析模型研究2023年 工艺 物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机理出发,通过分段线性化和主项近似积分法结合常温下的边界条件建立4~423 K深亚微米 工艺 阈值电压解析模型。常温下的边界条件获取过程中,在均匀掺杂长沟道器件阈值电压表达式基础上,分别考虑横向、纵向非均匀掺杂,以及漏致势垒下降效应带来的影响,通过求解简化的耗尽区准泊松方程,得到常温边界条件通式。实际使用过程中,可针对不同工艺 通过测试得到通式里包含的4个因子。在SMIC 0.18μm工艺 下用该模型与MEDICI软件仿真结果对比发现极其吻合,验证了低温建模方法的可行性。关键词：阈值电压 解析模型 深亚微米 工艺 下抗辐照数字集成电路研究工艺 的迅速发展，芯片功能越来越复杂，空间环境、工业环境等产生的辐射对半导体器件及电路系统产生影响，并且可能导致器件和电路系统的失效，器件的辐射效应备受关注。为了保证数字集成电路在辐射环境中的可靠性和性能，必须...关键词：深亚微米工艺 抗辐照加固 文献传递 基于超深亚微米 工艺 的嵌入式SoC低功耗设计与优化 关键词：片上系统 低功耗优化 中央处理器 功耗管理 文献传递 一种基于CMOS深亚微米 工艺 的EEPROM结构 深亚微米 工艺 的EEPROM结构，包括：控制栅，浮栅，氧化层，其特征在于，CMOS深亚微米 工艺 低压逻辑部分的栅和金属布线结构包括一层多晶硅和四层金属；所述EEPROM结构存储器部分栅和金属布线结构包...文献传递 深亚微米 工艺 片内偏差建模方法研究与分析深亚微米 阶段，晶体管特征尺寸不断缩小，片内偏差(On-Chip Variation，OCV)现象变的越发明显，已经严重影响芯片的性能、良率乃至功能的正确性。目前，静态时序分析(Static timin...关键词：集成电路 深亚微米工艺 静态时序分析 文献传递 基于深亚微米 工艺 ESD防护器件与防护网络研究 深亚微米 工艺 进行ESD防护器件与防护网络研究...关键词：标准CMOS工艺 静电放电 版图 BCD工艺 深亚微米 工艺 中MOS器件的版图效应2015年 关键词：MOS器件 深亚微米工艺 传输特性 PROXIMITY 迁移率 基于超深亚微米 工艺 的卫星导航基带SoC电路设计 关键词：超深亚微米工艺 卫星导航 深亚微米 工艺 下SoC多点温度低功耗测试调度方法被引量：2 2015年 深亚微米 技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器,通过内建的温度传感器来感应温度,在SoC的核心部位进行多点采集,取温度的最高值反馈到控制系统,进行温度的调节控制。在测试过程中,在温度、功耗和总线带宽都满足条件的情况下进行调度,避免出现由制程变异引起的芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,与文献[2]比较,该方法在保证芯片热安全的同时,使CPU使用时间平均多减少10.33%,使测试应用时间平均多减少11.14%。关键词：深亚微米工艺 多点温度 片上系统 超深亚微米 工艺 下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法 2015年 深亚微米 时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米 工艺 下,漏电功耗、空闲芯核唤醒功耗、分区开销和热量等约束条件对So C芯片测试的影响,利用叠加原理迅速而准确地计算功耗和热量分布,提出了一种基于热量分区的热感知测试调度方法,避免出现芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,该方法在保证芯片热安全的同时,能有效地减少测试时间。关键词：超深亚微米 片上系统
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