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辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究被引量：5: 2013年; 由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定。引入等效累积剂量的概念,用于将MOS器件实际工作中的各类偏置映射为最劣偏置状况,进而利用实测数据求取对应的电学响应。所得单管解析表达式应用到电路仿真中能反映电路在不同偏置情况下的总剂量效应,可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态。; 丁李利郭红霞陈伟范如玉王忠明闫逸华陈雷孙华波; 关键词：总剂量效应 MOS器件解析模型

超深亚微米MOS器件单粒子翻转截面计算方法研究: 超深亚微米器件具有特征尺寸小、体积小、集成度高、功能强等特点。为了满足现代航天器性能不断提高的要求，需采用超深亚微米器件。而这些新型元器件在空间应用过程中，受到空间辐射环境影响一旦发生失效，将会对系统和航天器产生重大的影...; 刘肇卿; 关键词：超深亚微米单粒子效应; 文献传递

超深亚微米MOS器件RTS噪声研究: 原生和强场诱生并与电场奇异性密切相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一。随着器件尺寸的不断缩小和栅介质厚度的降低，边界陷阱引起的沟道噪声也正逐渐增大，同时器件的1/f噪声退化为RTS噪声。这使得深亚微...; 鲍立; 关键词：MOS器件超深亚微米特征参数; 文献传递

基于深亚微米MOS器件沟道的热噪声浅析被引量：1: 2007年; 随着MOS器件工艺尺寸的不断减小,其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频/模拟电路的工作要求。然而,随着沟道长度的变短,沟道噪声对电路的贡献增大,噪声是电路关注的主要性能之一。由于二级效应,经典的长沟道噪声模型不再精确。本文总结了沟道热噪声产生的机理,以及短沟道载流子有效迁移率的计算。系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS器件的热噪声的模型。在文章的最后,介绍了沟道噪声的仿真和测试方法。; 曾献芳; 关键词：深亚微米热噪声短沟道载流子

超深亚微米MOS器件的Halo结构研究: 随着MOS集成电路的集成度不断提高，器件特征尺寸的不断缩小，MOS器件中的短沟道效应、DIBL效应等二级物理效应日益严重，MOS器件按比例缩小已经面临着诸多挑战和困难。同时电子产品正在向着小型化和便携化方向发展，这对MO...; 汪洋; 关键词：MOS集成电路 HALO结构短沟道效应; 文献传递

深亚微米MOS器件热载流子可靠性的物理建模: 该论文中,实现了从热载流子向栅注入开始,到产生损伤,引起器件特性退化,直至对器件寿命影响的的物理描述.首先,我们用流函数方程在热载流子向栅注入过程的精确描述方面取得了突破.依据'幸运电子'概念,基于我们已创建的沟道和衬底...; 赵守臣; 关键词：热载流子效应 MOS器件; 文献传递

Direct Tunneling Currents Through Gate Dielectrics in Deep Submicron MOSFETs被引量：6: 2002年; A direct tunneling model through gate dielectric s in CMOS devices in the frame of WKB approximation is reported.In the model,an im proved one-band effective mass approximation is used for the hole quantization, where valence band mixing is taken into account.By comparing to the experiments, the model is demonstrated to be applicable to both electron and hole tunneling c urrents in CMOS devices.The effect of the dispersion in oxide energy gap on the tunneling current is also studied.This model can be further extended to study th e direct tunneling current in future high-k materials.; 侯永田李名复金鹰; 关键词：MOSFET

深亚微米MOS器件的热载流子效应被引量：11: 2001年; 对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影响晶体管热载流子效应的因素有 :晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置 .通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化 .; 刘红侠郝跃孙志; 关键词：深亚微米 MOS器件热载流子效应可靠性

深亚微米MOS器件的物理、结构与工艺被引量：5: 2000年; 本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。; 刘艳红赵宇王美田胡礼中魏希文; 关键词：深亚微米 MOS器件集成电路

深亚微米MOS器件热载流子效应研究: 该论文对深亚微米MOS器件热载流子效应中的几个问题进行了研究.在幸运热载流子模型的基础上,从流函数方程求解获得了MOS器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型.在此基础上,建立了nMOSFET的电子和空穴栅电流的解...; 张卫东; 关键词：MOS器件热载流子效应; 文献传递

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