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一种电吸收调制器
本申请实施例提供了一种电吸收调制器，所述电吸收调制器用于对连续光进行调制并输出调制后的光信号，所述电吸收调制器包括：硅层，所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区；与所述硅层接触的第一光吸收层和第二光吸收层，所述第一光吸收层和所...
胡晓张宇光陈代高肖希王磊刘敏刘佳张红广徐路
一种电吸收调制器
本实用新型公开一种电吸收调制器，包括衬底、第一壁垒层、第一量子阱层、第二量子阱层；所述衬底和所述第一壁垒层、所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间应力搭配层叠设置；所述第一壁垒层贴合在所述衬底上，所述第一量子阱层和所述第...
文博昱吴芳
一种电吸收调制器
本实用新型公开了一种电吸收调制器，包括衬底、多量子阱结构以及覆盖层，所述衬底、所述多量子结构以及所述覆盖层层叠设置；所述多量子阱结构层叠在衬底表面；在所述多量子阱结构顶表面设置所述覆盖层；所述多量子阱结构由多个半导体层组...
文博昱
一种电吸收调制器
本发明公开一种电吸收调制器，包括衬底、第一壁垒层、第一量子阱层、第二量子阱层；所述衬底和所述第一壁垒层、所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间应力搭配层叠设置；所述第一壁垒层贴合在所述衬底上，所述第一量子阱层和所述第二量...
文博昱吴芳
一种电吸收调制器及其制备方法
本发明涉及一种电吸收调制器及其制备方法。该电吸收调制器包括第一脊波导、第二脊波导和楔形波导；其中，所述第一脊波导与所述第二脊波导为对接耦合；所述第一脊波导的平板区和脊区分别高于所述第二脊波导的平板区和脊区；所述楔形波导的...
李志华周国奇李彬尹旺旺
电吸收调制激光器及其制备方法
本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上表面生长有源层，其中，有源层包括第一有源区、第二有源区、第三有源区，第一有源区、第二有源区、第三有源区分别位于第一调制器区、激光器区、第二调制器区内；在第...
周代兵安欣贺卫利陆丹梁松赵玲娟
一种新型电吸收调制激光器制造方法
本发明公开了一种新型电吸收调制激光器制造方法，涉及电吸收调制激光器技术领域；而本发明包括DFB区域为BH掩埋波导与Ridge波导相混合的波导结构，BH掩埋结构可以为P‑N blocking或者为半绝缘SIblocking...
李玉同黄马波
一种电吸收调制激光器及其制造方法
本发明提供一种混合波导结构电吸收调制激光器及其制造方法，DFB区域与EAM区域分别具有BH结构与深刻蚀Ridge结构的波导，基于该混合波导结构电吸收调制激光器一体成型，解决了混合结构波导的对准问题。本发明制造工艺简单稳定...
李玉同黄马波
电吸收调制器激光器及其制备方法
本发明涉及芯片技术领域，提供了一种电吸收调制器激光器的制备方法，包括S1，经过掩膜、生长和刻蚀，在EAM区出光端形成窗口结构；S2，接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3，接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中...
韩宇
一种高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法
本发明涉及一种高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法，包括DFB激光器和EA调制器，DFB激光器的一端刻蚀出凹槽，EA调制器二次外延生长于凹槽内，EA调制器包括缓冲层、EA有源区、InP层、一次掩埋结构和二次掩埋结构，EA...
高承浩章曙东
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王圩
作品数：367被引量：189H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
朱洪亮
作品数：253被引量：105H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 多量子阱 磷化铟 分布反馈激光器 半导体激光器
赵玲娟
作品数：201被引量：118H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单片集成 激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 半导体激光器
孙长征
作品数：188被引量：199H指数：7
供职机构：清华大学
研究主题：波导 电吸收调制器 分布反馈半导体激光器 氮化镓 电光调制器
梁松
作品数：153被引量：26H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 波导 半导体激光器 光栅 盖层