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双向瞬态电压抑制器
一种双向瞬态电压抑制器、结构及其相关方法。该双向瞬态电压抑制器装置包括衬底硅层、第一硅基极层和第二硅基极层,衬底硅层被耦合到第一硅基极层,并且被耦合到第二硅基极层。该装置还包括第一外层,其被耦合到第一硅基极层;第二外层,...
高超周继峰顾兴冲
瞬态电压抑制器及其制造方法
本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法,该瞬态电压抑制器包括半导体衬底;位于所述半导体衬底第一表面上的第一外延层;位于外延层中的埋层;位于第一外延层上的第二外延层;分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第一...
周源郭艳华李明宇张欣慰
瞬态电压抑制器及其制造方法
本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法,瞬态电压抑制器包括:第一掺杂类型的半导体衬底;位于半导体衬底表面上的第一掺杂类型的第一外延层;位于外延层中的第二掺杂类型的埋层;位于第一外延层上的第一掺杂类型的第二外延层;分别从第...
周源郭艳华李明宇张欣慰
瞬态电压暂降波形捕获方法及系统
本发明公开了一种瞬态电压暂降波形捕获方法及系统,获取测点电压数据;将电压数据与相位进行关联;基于电压波形峭度变化趋势自适应调整滑动时间窗大小;基于滑动时间窗的相域滑动函数获取电压数据的相域信息;基于电压数据的相域信息将当...
费骏韬史明明刘建缪惠宇袁晓冬
双向非对称瞬态电压抑制器器件
公开了一种双向非对称瞬态电压抑制器器件,以及一种瞬态电压抑制(TVS)器件和形成方法。TVS器件可以包括:第一层,其被设置在基板的第一表面上,该第一层包括第一P+层;第二层,其被设置在基板的与第一表面相对的第二表面上,该...
鲍里斯·罗森萨夫特斯特凡·斯泰因霍夫顾兴冲
IGBT开通瞬态电压计算方法及装置
本申请公开了一种IGBT开通瞬态电压计算方法及装置,所述方法包括:计算半桥电路中的漂移区压降;计算半桥电路中的空间电荷区压降;根据所述漂移区压降和所述空间电荷区压降得到所述IGBT器件开通瞬间的IGBT芯片瞬态压降。本申...
袁文迁季一润谢丽芳袁茜槐青高岩峰宋鹏李雨杨敏祥黄彬刘蓁
一种新型的热保护瞬态电压抑制器
本实用新型提供一种新型的热保护瞬态电压抑制器,包括:壳体以及设置在壳体内的安装框、TVS部件、弹簧、滑块和簧片;所述簧片连接在TVS部件上;所述滑块可滑动的装置在安装框上,所述滑块和安装框上均设置有凸起的弹簧柱,所述弹簧...
汤跃聪江建国曹安平张祥贵
不对称瞬态电压抑制器的封装结构
本发明公开了一种不对称瞬态电压抑制器的封装结构。一种表面安装装置、结构及其相关方法。表面安装装置包括外壳、至少部分地被外壳封装的引线框架。引线框架包括具有芯片安装垫的芯片安装表面和设置在芯片安装表面外部的一个或多个第一应...
张锋高超何磊
瞬态电压钳位电路及电源管理系统
一种瞬态电压钳位电路以及电源管理系统,该电路通过比较输出电压信号的输出电压微分是否超出阈值,从而可以快速检测输出电压信号所在通路上是否发生电流突变,实现快速瞬态响应,并依据检测结果向瞬态电压钳位模块的输出端灌电流或拉电流...
李威
一种大功率瞬态电压抑制器及其制造方法
本发明涉及一种大功率瞬态电压抑制器及其制造方法,大功率瞬态电压抑制器采用P型衬底硅片,在现有大功率瞬态电压抑制器(TVS)结构基础上,在P型衬底与P型外延之间增加了N+埋层,深N+多晶硅或深N+区与N+埋层连接,通过深N...
蒋骞苑赵德益赵志方吕海凤张啸王允

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李理
作品数:134被引量:0H指数:0
供职机构:北大方正集团有限公司
研究主题:功率器件 外延层 氧化层 导电类型 硅晶片
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作品数:88被引量:145H指数:8
供职机构:苏州市职业大学
研究主题:反向漏电流 频率特性 掺杂 台体 刻蚀深度
张常军
作品数:39被引量:1H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:电容 TVS器件 外延层 二极管 半导体集成
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作品数:174被引量:154H指数:6
供职机构:清华大学
研究主题:集成电路 布线 VLSI 供电网络 物理设计
周强
作品数:283被引量:817H指数:15
供职机构:清华大学
研究主题:布线 汉语 集成电路 布线方法 中文信息处理