搜索到1502篇“ 碳化硅单晶“的相关文章
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一种碳化硅单晶生长装置
本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚、加热坩埚的炉体、管体、驱动组件、至少两个倾斜度不同的透孔、反射体、遮挡过滤组件、测温仪；管体支撑坩埚；驱动组件驱动管体升降和旋转；透孔输导炉体不同...
左雷杰庞宇黄义梁赫霍翱翔赵银龙李少卿
碳化硅单晶的生长方法
本发明涉及半导体长晶技术领域，提供一种碳化硅单晶的生长方法。该方法包括：将第一碳化硅原料放入碳化硅单晶生长容器内，其中，在碳化硅单晶生长容器中的碳化硅原料的上表面为水平面；将第二碳化硅原料放入预设形状的容器内，进行焙烧成...
刘东峰郑向光田越杨昆刘新辉路亚娟牛晓龙陈飒刘谦闫猛李扬
碳化硅单晶，半导体元件
一种碳化硅单晶，其特征在于，在从室温到400℃的温度范围，温度与电阻率显示正相关关系，在从室温到400℃的温度范围具有至少1×10<Sup>7</Sup>Ω·cm的电阻率，对于室温下的导电，不出现由电子引起的显著的导电特...
木下博之
碳化硅单晶的制造方法
在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为...
熊谷和人梅崎智典
一种碳化硅单晶生长炉
本实用新型属于碳化硅单晶炉技术领域，涉及一种碳化硅单晶生长炉，包括：埚桶，所述埚桶内用于容纳碳化硅原料；上盖，所述上盖覆盖所述埚桶的开口处，所述上盖的内侧固定有籽晶，所述上盖与埚桶构成炉体；环筒，所述环筒固定于炉体内，所...
吴喜成王裕鑫谢云生
一种碳化硅单晶生长装置
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，属于单晶硅生长装置技术领域，生长炉底部设有框体，框体上部设有通孔，生长炉底部设有与通孔相对应的开口，开口内设有底板，底板与开口封合，底板底部设有电推杆，电推杆底部设有固定板，框体内...
郭世杰李正委
一种碳化硅单晶生长装置
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，属于碳化硅技术领域，针对了现有技术中使用者不便于对碳化硅单晶生长状况进行查看和取用的问题，包括坩埚本体，坩埚本体的上部设置有坩埚盖，坩埚盖的上端口处设置有切换机构，切换机构包括翻转...
李立文
一种碳化硅单晶生长炉
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉，涉及生长炉技术领域，包括炉体，炉体内设有保温层，保温层内设有侧部加热器和底部加热器，侧部加热器和底部加热器之间设有托盘，托盘上用于放置坩埚，托盘的下端连接有升降旋转装置，侧部加热器位...
陈鹏飞李嘉琪苗浩伟杨倩倩
一种碳化硅单晶生长装置
本发明属于碳化硅技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置。本发明通过用于盛放碳化硅单晶生长原料的坩埚，以及加热筒，还包括设置在坩埚上的升降杆单元，设置在升降杆单元上的箱体单元，以及设置在箱体单元上并用于调整升降杆单元位置...
沈晓宇叶国伟刘博浩肯尼斯·奥佐门纳彼得·辛格张忠杰唐旭东韩江山李嘉炜
一种碳化硅单晶液相生长方法
本发明涉及碳化硅生产领域，具体公开了一种碳化硅单晶液相生长方法；本发明通过对原有石墨坩埚结构设计的改动，显著改善S i C长晶长时间生长的结晶质量和表面形貌，使用新结构的坩埚，在生长时相比原有水桶结构，表面低温区域面积大...
张梦龙钱昊柯茜李京波
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徐现刚
作品数：529被引量：435H指数：10
供职机构：山东大学
研究主题：碳化硅 SIC单晶 籽晶 单晶生长 单晶
胡小波
作品数：240被引量：291H指数：7
供职机构：山东大学
研究主题：SIC单晶 单晶 碳化硅 单晶生长 籽晶
陈秀芳
作品数：182被引量：132H指数：6
供职机构：山东大学
研究主题：SIC单晶 单晶 碳化硅 石墨烯 单晶生长
陈小龙
作品数：279被引量：96H指数：5
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：石墨烯 碳化硅 籽晶 晶体结构 晶体生长
彭燕
作品数：106被引量：33H指数：4
供职机构：山东大学
研究主题：单晶 SIC单晶 籽晶 坩埚 金刚石