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磁随机存取存储器
提供一种磁随机存取存储器，其中数据选择线(写入线)被配置在TMR元件的正上方。利用有高导磁率的偏转线圈材料覆盖数据选择线的上表面及侧表面。偏转线圈材料利用阻挡层而互相分离。同样，写入字线配置在TMR元件的正下方。利用有高...
浅尾吉昭
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磁随机存取存储器
提供一种磁随机存取存储器，具备：存储器单元阵列，具有利用磁致电阻效应来存储数据的多个存储器单元在第1方向上排列，且上述多个存储器单元的一端连接到公共电极上的存储器单元块；第1功能线，在上述存储器单元阵列内沿上述第1方向延...
岩田佳久东知辉
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磁随机存取存储器
一种磁随机存取存储器，其具备磁性材料结构体，该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发...
杉林直彦本田雄士崎村升松寺久雄上条敦志村健一森馨
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磁随机存取存储器
提供一种磁随机存取存储器(MRAM)。其中，该MRAM的MTJ元件(35)，具有夹着隧道阻挡薄膜(36)配置的记录层(37)和参照层(38)、在记录层(37)中存储数据。为了有选择地对磁电阻元件(35)赋予磁场配设有电流...
福住嘉晃
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磁随机存取存储器
提供一种磁随机存取存储器。将MTJ元件在半导体衬底上边叠置成多层。MTJ元件的固定层上，连接有起读出线功能沿X方向延伸的第1导电线。MTJ元件的自由层上，连接有起写入线和读出线功能沿X方向延伸的第2导电线。写入线沿Y方向...
梶山健
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磁随机存取存储器
本实用新型公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WW...
彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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磁随机存取存储器
本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布...
彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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磁随机存取存储器
一种磁随机存取存储器，其具备磁性材料结构体，该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发...
杉林直彦本田雄士崎村升松寺久雄上条敦志村健一森馨
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磁随机存取存储器
本发明提供了一种使MRAM的存储单元的偏置磁场更有效地减少的技术。根据本发明的MRAM包括：具有能反转的自由自发磁化的自由层(11)；具有固定自发磁化的固定层(6)；和由非磁性体形成，插在所述自由层(11)和所述固定层(...
松寺久雄沼田秀昭
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磁随机存取存储器
MRAM中，在写入动作时，在线路上流动具有高电流密度的电流。对位于写入字线(WWL0)和位线(BL0)的交点上的存储单元进行写入时，流动从WWL驱动器(13)朝向降压变换器(20)的电流。之后，在写入字线(WWL0)上流...
伊藤洋
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韩秀峰
作品数：283被引量：94H指数：6
供职机构：中国科学院物理研究所
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作品数：101被引量：187H指数：6
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：磁性隧道结 隧道结 磁随机存取存储器 磁性 磁隧道结
彭子龙
作品数：24被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所
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魏红祥
作品数：129被引量：78H指数：5
供职机构：中国科学院物理研究所
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王伟宁
作品数：12被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：磁性薄膜 磁性隧道结 磁随机存取存储器 磁电阻 接触孔