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一种用于半导体制造的ICP等离子刻蚀装置
本实用新型公开了一种用于半导体制造的ICP等离子刻蚀装置,涉及半导体制造技术领域,包括等离子刻蚀箱体和清扫组件,所述等离子刻蚀箱体的顶部内壁设置有送气管,所述等离子刻蚀箱体的底部内壁固定连接有提升架,用于进行清扫的所述清...
王硕
一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁和方法
本发明公开了一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁,包括帽部和杆部,所述杆部的一端与帽部固定连接,所述杆部的侧面设置有槽口,所述杆部连接于帽部上偏离帽部中心的位置,所述槽口的宽度等于栅网的金属片的厚度,所述杆部上具有多个槽口,多个...
唐云俊王昱翔
离子刻蚀腔的加工时间预测方法、系统及维护方法
本发明提供一种等离子刻蚀腔的加工时间预测方法、系统及维护方法,该加工时间预测方法通过实验获取新制程下与边缘环材质相同或相近的测试控片边缘的至少一个位置的消耗速率,作为新制程下边缘环的对应位置的消耗速率,由此可以根据现有制...
请求不公布姓名
基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法
本发明公开基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法,属于薄膜材料制备技术领域。等离子刻蚀方法包括:在磁控溅射设备真空室中,样品架上安装基片,阴极上安装硼靶材;对磁控溅射设备真空室抽真空,通入氩气,对所述基片施加双极脉...
刘凤琼卢子伟李荣华张宏斌李海霞李占奎王秀华陈翠红
电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法
本发明公开电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法,包括以下步骤:1)制备卤化物钙钛矿薄膜;2)离子刻蚀阵列图形:在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板,掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应,利用电感耦合等...
赵振璇张建刚孙伟杰陈墨冯雅晴
一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法
本发明公开了一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法,包括以下步骤:1)衬底/基底清洗;2)沉积钙钛矿薄膜;3)钙钛矿薄膜的反应离子刻蚀。本发明首次提出利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿,为钙钛矿阵列图案化...
赵振璇高志廷张建刚张丽萍王爽
一种晶圆等离子刻蚀设备
本说明书实施例提供一种晶圆等离子刻蚀设备,包括:热台,晶圆放置于热台上,热台周向边缘处开设有若干气体馈入孔;管道组件,管道组件用于向若干气体馈入孔内通入气体;调节机构,调节机构可对若干气体馈入孔吹向晶圆的气体速度和/或气...
向浪王兆祥李可涂乐义梁洁王亮彭国发
一种离子刻蚀微调机用挡板装置
本发明公开了一种离子刻蚀微调机用挡板装置,涉及离子刻蚀微调机领域,该离子刻蚀微调机用挡板装置包括:挡板控制电源,用于控制高频电压输出;挡板控制数据线,用于将挡板控制电源输出电压输出给挡板安装控制电路板;挡板安装控制电路板...
廖占武
电场分布调节装置和等离子刻蚀
本发明公开了一种电场分布调节装置,包括第一屏蔽板和第二屏蔽板;第一屏蔽板设有镂空孔;第二屏蔽板和第一屏蔽板相连,并且两个屏蔽板能相对运动;第二屏蔽板相对于第一屏蔽板运动时能够调节镂空孔的开度。第一屏蔽板和第二屏蔽板分别能...
郭颂王海东刘磊张彪贺小明张亦涛胡冬冬许开东
离子刻蚀机及其辅助电场变径装置
本发明公开了一种等离子刻蚀机的辅助电场变径装置,包括屏蔽板,所述屏蔽板能屏蔽电场,且所述屏蔽板的中部设有透孔;所述屏蔽板为整块板,并且所述屏蔽板为多个,各所述屏蔽板的透孔尺寸不同;或者所述屏蔽板包括多个活动屏蔽板,各所述...
郭颂王海东刘磊刘小波贺小明张亦涛胡冬冬许开东

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王跃林
作品数:721被引量:798H指数:14
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:微机械 各向异性腐蚀 硅 制作方法 键合
赵海波
作品数:133被引量:262H指数:8
供职机构:四川大学
研究主题:离子刻蚀 氧化铝 刀具涂层 涂层 阻燃
鲜广
作品数:123被引量:111H指数:5
供职机构:四川大学
研究主题:离子刻蚀 氧化铝 涂层 电弧离子镀 硬质合金
殷华湘
作品数:753被引量:17H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
顾长志
作品数:320被引量:236H指数:9
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:金刚石膜 衬底 金刚石 石墨烯 金刚石薄膜