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一种移动加热器法单晶炉温场测试装置: 本发明公开了一种移动加热器法单晶炉温场测试装置，涉及移动加热器法单晶炉测温技术领域，包括移动式加热器单晶炉，所述移动式加热器单晶炉的底端安装有炉盖组件；所述炉盖组件包括炉壳外盖，所述炉壳外盖通过卡箍与移动式加热器单晶炉的...; 张继军

基于移动加热器法的碲锌镉晶体研究进展: 2024年; 碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride,CZT)具有优良的物理性质,可用于制备室温核辐射探测器以及用作碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)红外焦平面衬底材料。多种方法可被用来生长CZT晶体,但难点仍在于获得大体积、低缺陷的单晶。移动加热器法(Traveling Heater Method,THM)是一种主要的CZT晶体生长方法,它具有生长温度低、单晶率高、组分均匀性好等优点。对THM法生长CZT晶体进行了综述,介绍了其发展历程和相关研究结果。首先分析了THM生长的基本原理及工艺流程,然后对生长过程中的宏观形貌特征与关键影响因素进行了阐述,接着分析了Te夹杂缺陷与微观界面形貌的相关关系以及抑制手段,最后对比了THM法与布里奇曼法生长CZT晶体的Zn组分分布差异性,突出了THM法在宏观成分均匀性方面的优势。; 李尚书徐超; 关键词：碲锌镉移动加热器法晶体生长红外焦平面

一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法: 本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计...; 张香港蔡卓辰殷子昂王涛赵清华

一种移动加热器法生长晶体的坩埚装置: 本实用新型公开了一种移动加热器法生长晶体的坩埚装置，属于供水设备技术领域，包括：石英坩埚、真空密封件、电阻炉，所述真空密封件设置在石英坩埚上方，所述电阻炉设置在石英坩埚外壁中间位置，所述石英坩埚内部中间设有一组石英槽，所...; 高绪彬吴召平刘柱

移动加热器法制备GaInSb晶体的生长工艺研究: Ga1-xInxSb（0＜x＜1）晶体的晶格常数可通过改变其组分x值进行调整，因此可以匹配多种Ⅲ-V族化合物半导体材料的晶格常数，成为外延器件的理想衬底材料。其电学性质，例如禁带宽度、载流子浓度和电导率等，也可以通过组分...; 王充; 关键词：晶体材料移动加热器法炉膛温度光电性能

移动加热器法碲锌镉晶体生长系统热场研究: 2023年; 碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_(x)Te,简称CdZnTe或CZT)是一种在室温下工作的半导体核辐射探测材料,因其优越的光电特性近年来受到越来越多的关注,在医学成像、环境监测和空间探测领域的应用也愈发广泛。移动加热器法(THM)被认为是目前生长CZT单晶最有前景的方法之一。晶体生长过程中,合适的温场是获得优质晶体的前提条件。本文使用Fluent软件对电阻加热式THM生长CZT单晶生长系统展开热场研究,首先建立描述系统热输运的物理和数学模型,提出一种设立控温点的逆模拟方法解决了加热器功率并非既定值的模拟难点,设定功率分别为225.6、343.7、1045.9、92.5、199.6 W的5个加热器情况下的炉内温场计算值与实验测量值有了较好的吻合。进而研究加热器与炉膛管距离、散热区宽度等炉膛结构对坩埚内CZT原料区温度分布的影响。研究结果表明,Canthal炉管与加热器间距离由5 mm增大至10、15 mm后,最高温度减小3.7%、5.6%,散热区宽度由30 mm增大至50、80 mm后,熔区宽度分别减小32.7%、50.0%。; 徐哲人张继军曹祥智卢伟刘昊祁永武; 关键词：碲锌镉晶体移动加热器法半导体数值模拟炉膛结构

Fe2+:ZnSe晶体的移动加热器法生长及性能表征: 3-5μm中红外激光处于大气传输窗口，在遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。Fe2+:ZnSe 晶体可在此波段内调谐输出，具有良好的光学性能，是最有前景的中红外激光介质之一。掺杂均匀的大尺寸高质量F...; 杨达; 关键词：晶体生长移动加热器法光学性能

一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法: 本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计...; 张香港蔡卓辰殷子昂王涛赵清华; 文献传递

ZnSe晶体的移动加热器法生长及性能表征: ZnSe晶体是最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物半导体光电材料之一，在中远红外激光、高能辐射探测、蓝光LED、光通讯等领域有广阔的应用潜力和价值。然而，由于高熔点和高蒸气压，ZnSe晶体生长过程中易出现孪晶、位错、晶界、组分不均...; 李玉贤; 关键词：半导体材料移动加热器法光电性能

移动加热器法生长碲锌镉晶体的组分输运与界面形貌研究被引量：1: 2022年; 移动加热器法(THM)生长碲锌镉晶体时,界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了THM生长碲锌镉晶体的数值模拟模型,讨论了Te边界层与组分过冷区之间的关系,对不同生长阶段的物理场、Te边界层与组分过冷区进行仿真研究,最后讨论了微重力对物理场分布的影响,并对比了微重力与正常重力下的生长界面形貌。模拟结果表明,Te边界层与组分过冷区的分布趋势是一致的,在不同生长阶段,流场中次生涡旋的位置会发生移动,从而导致生长界面的形貌随着生长的进行发生变化,同时微重力条件下形成的生长界面形貌最有利于单晶生长。因此,在晶体生长的中前期,对次生涡旋位置的控制和对组分过冷的削弱,是THM生长高质量晶体的有效方案。; 张嘉泓张继军王林军徐哲人曹祥智卢伟; 关键词：碲锌镉移动加热器法微重力

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