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籽晶生长
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种扩大金刚石
籽晶
生长
数量的基台装置
本实用新型公开了一种扩大金刚石
籽晶
生长
数量的基台装置,涉及金刚石
生长
技术领域,包括托盘和托环,所述托盘的表面设置有托盘竖棱柱和托盘横棱柱以形成具有摆放金刚石
籽晶
的间隔区域,所述托环中心一圈设置有托环间隔棱柱,所述托环间隔...
李明君
李志博
徐修阳
吕申申
李高金
一种异质高熔点弧形
籽晶
生长
稀土离子掺杂晶体的模具及
生长
方法
本发明提供了一种异质高熔点弧形
籽晶
生长
稀土离子掺杂的晶体的模具,包括圆锥体空腔和圆柱体空腔组成的坩埚,圆锥体空腔为弧形
籽晶
区,圆柱体空腔内中部设有散热孔的圆柱体模具;在圆柱体模具内设置有多个长条状的锥形孔,每个锥形孔的顶...
薛艳艳
徐军
吴锋
徐晓东
李东振
王东海
王庆国
一种
籽晶
固定结构、
籽晶
生长
装置及半导体工艺设备
本实用新型提供一种
籽晶
固定结构、
籽晶
生长
装置及半导体工艺设备,涉及半导体技术领域,
籽晶
固定结构应用于长晶设备,长晶设备包括坩埚,坩埚包括锅体和锅盖,
籽晶
固定结构包括:承载板,可拆卸地搭载在锅体的顶部,承载板上设置有相互连...
郝迥超
一种可用于不同形状
籽晶
生长
低应力晶体设备及其方法
本发明公开了一种可用于不同形状
籽晶
生长
低应力晶体设备及其方法,属于
籽晶
生长
领域。一种可用于不同形状
籽晶
生长
低应力晶体设备及其方法,包括坩埚盖,所述坩埚盖的底部设置有坩埚壳,所述坩埚壳的顶部开设有安装槽并在安装槽内设置有柱...
卢乙强
李哲
杨东风
一种用于提高大尺寸碳化硅
籽晶
生长
温度均匀性的坩埚
本发明涉及一种用于提高大尺寸碳化硅
籽晶
生长
温度均匀性的物理气相运输法坩埚结构,属于晶体
生长
中的热场设计技术领域。一种用于提高大尺寸碳化硅
籽晶
生长
温度均匀性的坩埚,包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体顶部外表的石墨材质的环形散...
高冰
叶宏亮
李俊
一种用于提高大尺寸碳化硅
籽晶
生长
温度均匀性的坩埚
本发明涉及一种用于提高大尺寸碳化硅
籽晶
生长
温度均匀性的物理气相运输法坩埚结构,属于晶体
生长
中的热场设计技术领域。一种用于提高大尺寸碳化硅
籽晶
生长
温度均匀性的坩埚,包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体顶部外表的石墨材质的环形散...
高冰
叶宏亮
李俊
一种大界面
籽晶
生长
YAG系列激光晶体的方法以及一种铱金
籽晶
杆
本发明涉及光电子材料技术领域,提供了一种大界面
籽晶
生长
YAG系列激光晶体的方法以及一种铱金
籽晶
杆。本发明采用大界面
籽晶
生长
YAG系列激光晶体,
籽晶
的直径和YAG晶体的目标直径一致,从而在预拉后可以直接进行等径
生长
,无需放...
权纪亮
黄晋强
柯观振
刘军
张雅丽
金宁昌
郭勇文
刘纪岸
李汉达
黄国伟
籽晶
生长
的工艺方法
本发明公开了一种
籽晶
生长
的工艺方法,
籽晶
生长
的工艺方法包括:将硅料放置于炉体内加热;对炉体加热至第一预定阶段,炉体内压力设定为90‑100mbar,炉体内进气量和出气量均小于10nl/min;对炉体加热至第二预定阶段,炉...
王全志
用于
籽晶
生长
的石墨坩埚
本实用新型公开了一种用于
籽晶
生长
的石墨坩埚,属于坩埚技术领域。其技术方案为:包括坩埚底座,坩埚底座上方设置有中继环,中继环上方盖合有坩埚盖,所述坩埚底座的内部设置有若干个中空的原料填充柱,坩埚底座上在中心处的原料填充柱下...
郭正富
蔡国基
一种
籽晶
生长
监测装置
本实用新型适用于
籽晶
生产技术领域,提供了一种
籽晶
生长
监测装置,包括:基座;加热套,设置在基座上,其用于对生成瓶进行加热。安装架,连接在基座上,其上固定安装有电机,电机的输出轴同轴固定连接有连接杆,连接杆同轴连接有主动齿轮...
陈志谋
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相关作者
邓自刚
作品数:390
被引量:451
H指数:9
供职机构:西南交通大学
研究主题:高温超导 磁悬浮列车 悬浮力 磁悬浮 高温超导块材
徐军
作品数:912
被引量:1,469
H指数:19
供职机构:同济大学
研究主题:激光晶体 晶体 晶体生长 籽晶 提拉法
郑珺
作品数:268
被引量:125
H指数:6
供职机构:西南交通大学
研究主题:高温超导 磁悬浮列车 悬浮力 高温超导块材 导向力
姚忻
作品数:137
被引量:13
H指数:2
供职机构:上海交通大学
研究主题:籽晶 REBCO 高温超导 液相外延生长 液相外延
张丽
作品数:45
被引量:12
H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司
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