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一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法: 本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法，包括如下步骤：确定所需优化的元素种类以及半导体种类；利用密度泛函计算各半导体的晶格常数，调节泛函参数或/和元素的赝势和基组，实现各半导体的晶格常数的优化，使计算出的各...; 黄立薛堪豪王晓碧刘永锋杨晟鑫吴佳周文洪

一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法: 本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法，包括如下步骤：确定所需优化的元素种类以及半导体种类；利用密度泛函计算各半导体的晶格常数，调节泛函参数或/和元素的赝势和基组，实现各半导体的晶格常数的优化，使计算出的各...; 黄立薛堪豪王晓碧刘永锋杨晟鑫吴佳周文洪

HgCdTe多层异质结红外探测材料与器件研究进展被引量：2: 2022年; HgCdTe多层异质结技术是未来主流红外探测器发展的重要技术方向,在高工作温度、双/多色和雪崩光电管等高性能红外探测器中扮演着重要的角色。近年来基于多层异质结构的Hg Cd Te高工作温度红外探测器得到了快速发展,尤其是以势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构为主的器件受到了广泛的研究。本文系统介绍了势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构HgCdTe红外探测器的暗电流抑制机理,分析了制约两种器件结构发展的关键问题,并对国内外的研究进展进行了综述。对多层异质结构Hg CdTe红外探测器的发展进行了总结与展望。; 陈正超唐利斌郝群郝群王善力庄继胜孔金丞姬荣斌; 关键词：碲镉汞势垒焦平面器件

硅基阻挡杂质带红外探测材料与器件研究进展被引量：1: 2021年; 红外探测在天文物理研究领域具有极其重要的应用前景,由于天文深空探测对象的特殊性,对红外探测器的性能要求十分苛刻.阻挡杂质带(BIB)红外探测器,因其具有响应波段宽、噪声低、灵敏度高以及抗辐射性能好等优点,在过去30年中发展成为国际上天文领域首选的红外探测器.BIB红外探测器的探测波长覆盖中红外到远红外波段,它的推广应用促进人类在天文深空探测领域取得了一系列重大的科学成果.我国在BIB红外探测器的研究起步较晚,近年来也取得了较大进展,但是与国际领先水平相比尚有较大差距.本文主要回顾、评述了过去5年多我国在BIB红外探测器领域的研究进展,对BIB红外探测材料及其相应BIB器件的制备工艺、物性表征和光电响应特性,以及表面等离激元对器件光电响应的调控等做了详尽介绍,为我国BIB红外探测器的发展提供参考和实验依据.; 朱家旗朱贺徐翰纶王垚陈岩松刘梦娟吴惠桢; 关键词：表面等离激元

中、长波锑化物Ⅱ类超晶格红外探测材料的制备及性能研究: 锑化物Ⅱ类超晶格(T2SL)红外探测器是极具潜力的第三代红外探测器,其所探测的中波(3-5μm)与长波(8-14μm)波段在军事和民用领域有着广泛的应用。其中,基于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SL)的长波红外探测...; 魏国帅; 关键词：红外探测器电子辐照分子束外延

金掺杂碲镉汞红外探测材料及器件技术被引量：5: 2021年; 采用金掺杂替代作为深能级缺陷中心的汞空位,可明显提高P型碲镉汞材料少子寿命,进而降低以金掺杂P型材料为吸收层n-on-p型碲镉汞器件的暗电流,明显提升了n-on-p型碲镉汞器件性能,是目前高灵敏度、高分辨率等高性能n-on-p型长波/甚长波以及高工作温度中波碲镉汞器件研制的一种技术路线选择。本文在分析评述金掺杂碲镉汞材料现有研究技术要点的基础上,结合昆明物理研究所目前的研究成果,总结了碲镉汞金掺杂相关工艺技术,重点分析了金掺杂对碲镉汞器件性能的影响。; 宋林伟孔金丞李东升李雄军吴军秦强李立华赵鹏; 关键词：少子寿命暗电流稳定性

GaSb基双色红外探测材料与器件研究: 红外探测尤其双色红外探测技术因其探测波段范围广、特征信息丰富、分辨能力强、抗干扰等优点在军事及民用领域均发挥着重要的作用。在红外探测领域,根据大气窗口通常划分为短波红外(1-3 μm),中波红外(3-5 μm)和长波红外...; 马晓乐; 关键词：分子束外延

新型非制冷抗辐照红外探测材料碲铟汞单晶及器件制备技术: 2020年; 红外探测技术是推进我国军事和民用领域装备发展所需的重要技术,而新型红外探测材料及其器件的研发则是发展红外探测技术的关键和核心.随着人类探索领域不断扩展到特殊环境中,发明具有良好稳定性、响应度和抗辐照性能的非制冷红外探测材料及其器件制备技术,成为了材料科学和光电器件研制领域的研究热点.碲铟汞(Hg3-3xIn2xTe3)具有较宽的使用温度范围和良好的温度稳定性,是近年来发现的可在非制冷条件下工作的红外探测材料.与现有的红外探测器性能相比,碲铟汞探测单元器件在300,K室温下的响应光谱波长宽(1~2.5,μm),量子效率大于80%,室温探测率不低1010,cm·Hz1/2·W^-1,其在非制冷条件下的探测性能优良.此外,Hg3In2Te6作为缺陷型化合物半导体材料,具有良好抗辐照特性,能够在高能射线辐照环境下保持高量子效率,是适合太空探测、核电站监测、核舰船等领域的红外探测材料,也是适用1.3,μm和1.5,μm这两个"窗口"波段信号收集的光通信材料.; 傅莉王涛孙颉李亚鹏张小雷罗林; 关键词：红外探测技术非制冷探测率响应度

两类典型的低温应用红外探测材料研究被引量：2: 2018年; 红外探测器件是现代军用武器装备目标识别的核心构件,而红外探测材料的性能将直接影响器件的性能水平。综述了两类典型的低温应用红外探测材料研究进展,以红外探测材料研究和应用的尺度为分类标准,分别对微米尺度的窄带隙直接半导体碲镉汞和基于量子效应的四种低维材料进行了介绍,并指出了当前红外探测材料研究存在的问题和发展的方向。; 罗炳威刘大博罗飞田野陈冬生周海涛; 关键词：碲镉汞红外探测

InAs/InAsSbⅡ类超晶格红外探测材料的理论设计: Sb基Ⅱ类超晶格具有良好的生长质量、灵活精确可调的带隙、优异的光学性能,在红外探测领域有着广阔的发展前景。其中不含Ga的InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格同InAs/Ga（In）Sb相比,有更长的少数载流子寿命,近年来在...; 马玲丽; 关键词：少子寿命跃迁矩阵元; 文献传递

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