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负性光刻胶在纳米压印光刻技术的应用前景
2024年
光刻技术在微纳米制造领域具有关键作用,而负性光刻胶因其低成本、高黏度的特点备受青睐。然而,负性光刻胶的分辨率限制在光刻线宽小于3μm时成为制约其应用的主要问题。结合纳米压印光刻技术的发展,探讨了负性光刻胶在纳米压印光刻领域的新趋势。纳米压印光刻技术的物理方法使其不受光刻胶分辨率限制,为负性光刻胶的应用提供了新的机遇。结合负性光刻胶的低成本优势,纳米压印光刻技术与负性光刻胶相结合,呈现出了不可替代的应用前景。
杨志伟吕薪羽
关键词:光刻技术纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术在中国半导体领域的应用与挑战被引量:1
2024年
光刻技术作为半导体制造的核心工艺,对提高集成电路(IC)的功能性和复杂性起着至关重要的作用。随着半导体行业对更高分辨率的追求,传统的光刻技术面临着光源波长与成本效益的限制。纳米压印光刻(Nanoimprint lithography,NIL)技术作为一种非传统的光刻方法,以其低成本和高分辨率的优势,为光刻机领域提供了新的发展方向。本文将探讨NIL技术的原理,以及它如何为中国光刻机行业的破局提供技术支持,从而促进产业技术的进步。
杨志伟
关键词:纳米压印光刻光刻机半导体制造
一种利用纳米压印光刻技术制造生物特征成像装置的方法
本发明涉及一种制造用于图像识别装置的光学传感器的方法,所述图像识别装置包括用于在显示面板下方的生物特征成像装置,如指纹检测器。本发明所述方法提供了一种节省成本的制造工艺,优选地采用纳米压印光刻技术,以使光学传感器结构紧凑...
薛伟琦乔根·科尔斯高·詹森向鹏
纳米压印光刻技术的研究与发展被引量:2
2013年
介绍纳米压印光刻技术的研究现状和发展状况,分析常用的热压印(Hot Embossing Lithography,HEL)、紫外固化压印(Ultra Violet Nanoimprint Lithography,UV-NIL)及微接触压印(Micro Contact Printing,μ-CP)三种光刻的工艺过程。探讨纳米压印光刻方法的优缺点及影响压印图形质量的主要因素,旨在加深对纳米压印光刻工艺过程(模具制作、压印过程及图形转移)深层次的理解和认识,从而解决纳米压印光刻过程中存在的一些关键问题,为新型纳米压印技术的研究和发展提供必要的科学依据。
陈建刚魏培陈杰峰赵知辛何雅娟
关键词:纳米压印工艺过程
我国纳米压印光刻技术专利态势分析被引量:1
2013年
由于具有高分辨率、高产量、低成本等特点,纳米压印光刻技术被IC业界认为是最具发展前景的下一代光刻技术之一。本文旨在通过对纳米压印光刻技术中国专利申请进行统计分析,为我国进行具有自主知识产权的纳米压印光刻技术研发和制定有效的专利战略提供参考。
戴翀
关键词:纳米压印光刻统计分析
利用纳米压印光刻技术的图案形成方法
本发明提供一种具有良好的对氧气的抗蚀刻性、同时可以防止转印图案的剥离、并且解决了在基板上的保持时间的问题、转印性也良好的用于纳米压印的膜形成组合物以及感光性光阻、纳米结构体、使用它们的图案形成方法以及用以实现所述图案形成...
坂本好谦山下直纪石川清
文献传递
纳米压印光刻技术综述被引量:12
2012年
文章在阐述纳米压印工艺构成要素的基础上,对几种传统压印技术工艺及其工艺变种进行了简要介绍,总结出了纳米压印中所涉及的几个关键技术问题,并对纳米压印在集成电路制造中所面临的挑战进行了分析。
魏玉平丁玉成李长河
关键词:纳米压印光刻
纳米压印光刻技术及其发展现状
2012年
纳米压印光刻技术的研究始于普林斯顿大学纳米结构实验室Stephen Y.Chou教授,是将一具有纳米图案的模版以机械力(高温、高压)在涂有高分子材料的硅基板上等比例压印复制纳米图案,其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关,而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。目前NIL技术已经可以制作线宽在5nm以下的图案。由于省去了光学光刻掩模版和使用光学成像设备的成本,因此NIL技术具有低成本、高产出的经济优势。此外,NIL技术可应用的范围相当广泛,涵盖纳米电子元件、生物或化学的硅片实验室、微流道装置(微混合器、微反应器)、超高存储密度磁盘、微光学元件等领域。
李洪珠
关键词:光刻技术纳米压印纳米图案光学光刻微光学元件掩模版
新型纳米压印光刻技术的研究和应用被引量:2
2009年
纳米压印(nanoimprint)这个词汇从1995年发明到现在,目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印纳米,已经越来越走进我们的生活,随着纳米技术的大量应用,纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电视宣传所赐,越来越多人知道我们使用的电脑里Intel双核CPU采用的芯片是“45纳米技术”.这个技术就是目前大规模集成电路生产技术
屈新萍
关键词:纳米压印光刻技术大规模集成电路双核CPU电视宣传
纳米压印光刻技术
传统的光学光刻技术由于受光波波长和数值孔径等因素的限制,难以制作成线宽小于100nm的图案。有可能成为下一代光刻技术的极紫外线光刻、X光光刻、电子柬投影等技术,虽然能克服线宽小于100nm时引起的衍射限制,但系统复杂,造...
范细秋张鸿海汪学方贾可刘胜
关键词:光刻纳米压印
文献传递

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董晓文
作品数:16被引量:14H指数:2
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周雷
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研究主题:铁电随机存取存储器 铁电薄膜 条带 紫外纳米压印 畴结构