搜索到2108篇“ 结构相变“的相关文章
- 一种Al@AlN-C复合核壳结构相变蓄热材料及制备方法
- 本发明涉及相变复合材料技术领域,具体涉及一种Al@AlN‑C复合核壳结构相变蓄热材料及制备方法,将质量比3:1:(0.1~0.3)的铝粉、氮源和锂源混合均匀得固体混合物,将固体混合物在焙烧气氛中500~1000℃焙烧1~...
- 顾振华陈敬李明陈玉余琼粉王云峰李国良马逊
- 磁弹性相变和磁结构相变材料的磁性与相变研究
- 薛佳运
- 一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法
- 本说明书实施例提供了一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法,相变存储器包括:在相变存储器的主体结构上设置孔结构;沿垂直于所述孔结构底部的方向,所述孔结构内壁上设置有多个凹陷结构;各所述凹陷结构中设置有插入电极。本申请提供...
- 高建峰刘卫兵李俊杰周娜杨涛李俊峰罗军
- 外场调控下无铅反铁电基陶瓷体系的结构相变研究
- 材料的宏观性质受到其微观结构的影响,因而建立结构与性能之间的内在联系并探究结构相变是凝聚态物理领域的核心科学问题。随着经济社会的高速发展,能源转型迫在眉睫,这对新型高性能储能材料的研发提出了严苛的要求。近年来,无铅反铁电...
- 戴凯
- 关键词:结构相变
- 高压下几种典型低维限域体系的电输运及结构相变研究
- 低维限域体系有着丰富的组成元素,多维度的组成形式,复杂的电子结构和输运性质,是研究凝聚态物理的重要平台。这类材料常常展现出与三维体系不同的物理现象和新颖的量子行为,在能源存储、生物医学、催化和光电子器件等方面有广泛应用。...
- 李晨一
- 关键词:结构相变超导电性
- O,O'-二烷基二硫代磷酸金属配位化合物的合成及结构相变研究
- 固-固相变材料在外界刺激(如温度)下,具有可逆的物理性质变化,使得其在智能开关、信息存储、数据通信等方面展现出巨大的应用前景。有机-无机杂化化合物由于其独特的结构多样性与可调节性,成为了研发高性能固-固相变材料的理想选择...
- 甘甜
- 关键词:结构相变
- 高压下Th_(2)N_(2)S的结构相变:第一性原理计算研究
- 2024年
- 基于第一性原理计算和粒子群优化算法,研究了Th_(2)N_(2)S在0~200 GPa压强范围内的晶体结构和物理性质.研究结果成功再现了常压下的实验相:P3m1相,同时预测了2个高压下的新结构,即I4/mmm相和Cmmm相.确定了一系列由压强诱导的结构相变序列:由P3m1.相转变为I4/mmm相,然后转变为Cmmm,相应的相变压强分别为4.8.2 GPa和156.2 GPa.Th_(2)N_(2)S材料声子色散曲线及弹性常数的.结果表明,Th_(2)N_(2)S的3相是动力学和力学稳定的.力学性质的计算结果表明,P3m1相、I4/mmm相和Cmmm相均为韧性材料,其中,Cmmm相的各向异性程度是3相中最大的.电子结构的计算表明,P3m1相到I4/mmm相的相变是一个半导体-金属相变.
- 杜润润王珊柯学志
- 关键词:晶体结构第一性原理计算
- 一种核壳结构相变颗粒及其应用
- 本发明提供一种核壳结构相变颗粒及其应用,利用该核壳结构相变颗粒能够有效抑制锂离子电池电芯的热失控反应,提升锂离子电池的安全性。所述核壳结构相变颗粒包括外壳和被所述外壳包裹的内芯,所述外壳包括相变材料,所述内芯包括能够抑制...
- 郑鹏马亚强
- 压力诱导下CsGeBr_(3)的结构相变
- 2024年
- 近年来,压力下卤化物钙钛矿成为新的研究热点,呈现出许多优异的电学和光学等特性。高压下钙钛矿结构演变研究是所有物性研究的基石和重点。利用金刚石对顶砧压机,结合原位高压同步辐射X射线衍射、原位高压拉曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计测量技术和第一性原理计算,对全无机卤化物钙钛矿CsGeBr_(3)在高压下的结构演变进行了系统研究。结果表明:CsGeBr_(3)在常压下是菱方相变;在更高的压力下保持立方结构;菱方步探索卤化物钙钛矿在压力下的性质、拓展其应用前景提供了重要的科学依据。
- 曲佳王弈铭王欣杨文革
- 关键词:结构相变
- 结构相变引起单层RuSe_(2)载流子迁移率的提高
- 2024年
- 过渡金属二硫族化合物(TMDs)是二维材料家族中的重要成员,具有丰富多样的晶体结构和物理特性,是近年来在科学研究和器件应用领域关注度较高的材料之一.本文通过第一性原理计算研究了单层RuSe_(2)的结构和相变,在确定其基态为二聚相(T′相)的同时,发现该材料存在能量相近的三聚相(T′″相).分别从动力学和热力学角度预测了该晶相结构的稳定性.结合相变势垒的计算和分子动力学模拟,预测在室温下对相结构施加较小的应力就可以实现晶格从T′相到T′″相的转变.相变后的能带结构以及载流子迁移率都发生了明显的改变,其带隙由1.11 eV的间接带隙转变为0.71 eV的直接带隙,载流子迁移率有了大幅的提升,空穴迁移率达到了3.22×10^(3)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1).本文对比研究了RuSe_(2)单层中可能共存的两种畸变相,分析了不同晶相的电子结构和迁移率,为实验上研究二维RuSe_(2)材料及其在未来器件中的应用提供了理论依据.
- 陆康俊王一帆夏谦张贵涛陈乾
- 关键词:结构相变载流子迁移率第一性原理计算
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