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沟槽肖特基器件: 本发明提供了一种沟槽肖特基器件，涉及半导体器件的技术领域，包括单晶层和设置在单晶层上的金属硅化物层、沟槽肖特基器件形成贯穿金属硅化物层以及贯穿部分单晶层的沟槽，沟槽包括宽径区、窄径区和变径区，变径区为由窄径区过渡到宽径区...; 左义忠杨寿国王修忠王鹏邢文超

肖特基器件的半导体结构: 提供了肖特基器件的半导体结构。N型阱区和P型阱区形成在P型半导体衬底上方。第一有效区形成在P型阱区上方，并且包括多个第一鳍。第二有效区形成在N型阱区上方，并且包括多个第二鳍。第三有效区形成在N型阱区上方，并且包括多个第三...; 邱士权胡嘉欣曾峥

肖特基器件结构及其制造方法: 本发明提供一种肖特基器件结构及其制造方法，包括：N型外延层，其形成有多个第一沟槽以及位于第一沟槽外围区域的第二沟槽；氧化层及多晶硅，形成于第一沟槽及第二沟槽内；第三沟槽，去除第一沟槽内的部分多晶硅及氧化层而成；金属硅化物...; 陈茜蒋建

肖特基器件及其形成方法: 本申请提供了一种肖特基器件及其形成方法。所述肖特基器件的形成方法包括：提供一半导体基底；于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域；对所述金属硅化物形成区域进行硅注入；形成金属硅化物于所述金属硅化物形成区域，所述金属硅化...; 岳泉霖苏东敏周贺雨张幼杰汪国维刘军

一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件及其制造方法: 本发明公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件；该器件具有复合结构的沟槽，沟槽的顶部有P型掺杂区，沟槽侧壁有绝缘层区，沟槽底部有P型掺杂区，沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成，较传统沟槽...; 关世瑛王金秋

一种肖特基器件及其制作方法: 本发明提供一种肖特基器件及其制作方法，制作方法包括：提供基底结构，形成位于基底结构中的具有N端有源区和P端有源区的N型高压阱，形成位于N型高压阱上表层的P阱，形成位于N型高压阱上的场氧化层，形成位于N型高压阱上表层的N阱...; 沈光临

一种多层外延肖特基器件的3D制造工艺及系统: 本发明提供了一种多层外延肖特基器件的3D制造工艺及系统，包括：通过工艺前端数据传输获取肖特基器件基本数据，运算肖特基器件结构参数，选择肖特基器件3D制造材料初始数据，获得3D制造工艺初始数据；根据3D制造工艺初始数据，自...; 洪学天林和牛崇实王尧林

肖特基器件用β-Ga2O3辐射诱导缺陷演化及机制研究: 随着空间探索技术的快速发展,对航天器用电子元器件提出了前所未有的严苛要求,传统半导体器件的性能表现已不足以满足这些新兴需求。β-Ga2O3能够在强辐射和高压环境下保持良好性能,在航天领域展现出巨大潜力。然而,β-Ga3O...; 黄垣婷; 关键词：肖特基器件本征缺陷

肖特基器件及制造方法: 本发明涉及肖特基器件及制造方法。本发明公开了一种肖特基器件，所述肖特基器件包括多个台面结构，其中所述台面结构中的一个或多个包括具有多浓度掺杂物分布的掺杂区域。根据一个实施方案，所述肖特基器件由第一导电类型的半导体材料形成...; M·T·库杜斯M·马德霍尔卡J·W·霍尔

一种集成式的肖特基器件及制备方法: 本发明公开了一种集成式的肖特基器件及制备方法，器件包括二极管单元、耗尽型器件和双向截止保护单元，其中，耗尽型器件的源极与二极管单元的负极级联，耗尽型器件的源极与双向截止保护单元级联，耗尽型器件的栅极与二极管单元的正极连接...; 朱廷刚章涛李亦衡李继华武乐可

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