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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
背
接触
太阳能电池
背
电场结构及
背
电极制造方法
本发明提供了一种
背
接触
太阳能电池
背
电场结构及
背
电极制造方法,属于太阳能电池技术领域;提出如下技术方案,包括有硅基材,硅基材顶部为受光面,底部为
背
光面;硅基材底部开设有多组第一附着槽,多组第一附着槽在硅基材底部均匀排列,多...
许迪
杨艳
伍佩铭
一种
背
接触
电池的制备方法及
背
接触
电池
本发明属于
背
接触
太阳能电池技术领域,具体涉及一种
背
接触
电池的制备方法及
背
接触
电池,制备方法包括:硅片
背
面依次沉积隧穿氧化硅层、本征多晶硅层和掺磷多晶硅层,本征多晶硅层的厚度与掺磷多晶硅层的厚度的比值为0.0625~1,掺...
林楷睿
背
接触
电池及其制备方法以及
背
接触
电池组
本申请提供了一种
背
接触
电池及其制备方法以及
背
接触
电池组。
背
接触
电池包括:硅衬底,硅衬底包括靠近太阳光的衬底正面和
背
离太阳光的衬底
背
面;第一掺杂区、隔离区和第二掺杂区,位于衬底
背
面上,其中,第一掺杂区和第二掺杂区之间具有不...
柳伟
刘志远
陈达明
一种
背
接触
电池的制备方法及
背
接触
电池
本发明属于
背
接触
太阳能电池技术领域,具体涉及一种
背
接触
电池的制备方法及
背
接触
电池,制备方法包括:硅片
背
面依次沉积隧穿氧化硅层、本征多晶硅层和掺磷多晶硅层,本征多晶硅层的厚度与掺磷多晶硅层的厚度的比值为0.0625~1,掺...
林楷睿
一种
背
接触
光伏组件的生产方法及
背
接触
光伏组件
本发明涉及光伏组件组装领域,特别是涉及一种
背
接触
光伏组件的生产方法及
背
接触
光伏组件,通过将互联带与
背
接触
太阳能电池的目标电极对准,并在所述
背
接触
太阳能电池的
背
面覆盖有机胶膜,得到互连组件前置物;通过压具在第一温度区间内对...
金叶义
吴国星
何晨旭
徐伟智
杨驰
一种
背
接触
电池及其制造方法
本发明公开了一种
背
接触
电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,用于提高非烧穿型电极的载流子收集能力。所述
背
接触
电池包括半导体基底、表面钝化层、第一电极和第二电极。表面钝化层覆盖在半导体基底的
背
光面一侧、且设有导电窗口,导电窗...
童洪波
李振国
邓圣杰
於龙
靳玉鹏
硅片、
背
接触
电池、双面
接触
电池、电池组件和光伏系统
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种硅片、
背
接触
电池、双面
接触
电池、电池组件和光伏系统,硅片中掺杂有磷元素、硼元素、镓元素中的至少一种,所有掺杂元素的掺杂浓度之和小于5*10<Sup>14</Sup>atoms/c...
刘瑞珉
丁森
张骏凯
陈刚
一种TBC结构
背
接触
电池的制造方法及
背
接触
电池
本申请公开了一种TBC结构
背
接触
电池的制造方法及
背
接触
电池,属于太阳能电池制造技术领域。本申请的
背
接触
电池,其P区采用硼掺杂单晶硅的方式,避开了常见的硼掺杂多晶硅作为P区而带来的钝化效果不好的问题;同时使用非原位硼掺杂的...
卢爽
背
接触
太阳能电池的
背
面结构及
背
接触
太阳能电池
本实用新型公开了一种
背
接触
太阳能电池的
背
面结构,所述
背
面结构包括交替分布的发射结区和基区,所述基区周围设有绝缘区,所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线,所述发射结区上设置有负电极副栅线,所述基区中设置有激光开槽区...
石强
李懋鸿
陈刚
一种无主栅
背
接触
光伏组件及其制备方法
本发明涉及一种无主栅
背
接触
光伏组件及其制备方法,属于电池及组件技术领域,电池组件包括:支撑架、边框、电池串、接线盒、盖板,电池串包括正极细栅线、负极细栅线、锡膏点、绝缘胶点和互联线,所述正极细栅线和所述负极细栅线间隔配列...
付少剑
张满良
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王栩生
作品数:275
被引量:16
H指数:3
供职机构:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
研究主题:太阳能电池 太阳能电池片 背接触 晶体硅太阳能电池 硅片表面
冯良桓
作品数:328
被引量:372
H指数:11
供职机构:四川大学
研究主题:太阳电池 CDTE太阳电池 薄膜太阳电池 CDTE 多晶薄膜
章灵军
作品数:150
被引量:12
H指数:2
供职机构:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
研究主题:太阳能电池片 太阳能电池 背接触 晶体硅 硅片
武莉莉
作品数:262
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供职机构:四川大学
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张静全
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供职机构:四川大学
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