搜索到224篇“ 脉冲功率晶体管“的相关文章
- 体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管
- 2011年
- 采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于直接采用管芯并联结构,省略了内匹配网络,器件的体积和重量较以往的Si微波双极功率晶体管大为降低;采用高温氧化技术克服了传统MESFET工艺中PECVD介质产生较高界面态的不足,减小了器件的泄漏电流,提高了器件性能。器件的研制成功,初步显示了SiC微波脉冲功率器件在体积小、重量轻、增益高、脉冲大功率输出和制作工艺简单等方面的优势。
- 田爱华潘宏菽
- 关键词:脉冲功率晶体管微波
- L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验被引量:4
- 2009年
- Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
- 黄雒光董四华刘英坤郎秀兰
- 关键词:可靠性
- 3.1~3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制
- 由于固态硅微波脉冲功率晶体管具有体积小、重量轻、大功率、高增益、高可靠等特点,如今广泛应用于通讯、雷达、电子对抗等领域。本文从硅微波功率晶体管的设计考虑出发,对管芯频率性能设计、功率增益性能设计进行了讨论。针对3.1~3...
- 娄辰
- 关键词:内匹配功率合成可靠性分析
- 文献传递
- 3.1~3.4GHz 45W S波段硅微波脉冲功率晶体管研制
- 本文对影响硅微波功率晶体管频率性能、功率性能和可靠性等因素进行了较全面的分析,对S波段45W硅微波功率器件各项参数进行了细致研究并优化设计;对影响硅微波功率器件生产的关键工艺技术进行了优化设计;研究并实现了等平面自对准工...
- 邓建国
- 关键词:S波段内匹配
- 文献传递
- 高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
- 2008年
- 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
- 邓建国刘英坤张鸿亮潘茹马红梅李明月胡顺欣崔现锋
- 关键词:硅微波脉冲功率晶体管
- 硅微波脉冲功率晶体管中的可靠性设计技术
- 本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、钝化技术、内匹配技术等几种可靠性设计技术及原理。
- 张鸿亮刘英坤徐守利寇彦雨
- 关键词:低热阻内匹配
- 文献传递
- 半导体分立器件3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
- 本规范规定了3DA516型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
- 关键词:功率晶体管半导体器件硅晶体管
- 半导体分立器件3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
- 本规范规定了3DA518型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
- 关键词:功率晶体管半导体器件硅晶体管
- 半导体分立器件3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
- 本规范规定了3DA519型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
- 关键词:功率晶体管半导体器件硅晶体管
- 半导体分立器件3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
- 本规范规定了3DA520型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
- 关键词:功率晶体管半导体器件硅晶体管
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- 作品数:41被引量:70H指数:6
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- 供职机构:中国电子科技集团公司
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- 康小虎
- 作品数:13被引量:18H指数:3
- 供职机构:南京电子器件研究所
- 研究主题:硅脉冲功率晶体管 硅 功率晶体管 微波功率晶体管 L波段
- 傅义珠
- 作品数:22被引量:36H指数:4
- 供职机构:南京电子器件研究所
- 研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 微波 功率晶体管 功率管
- 李相光
- 作品数:18被引量:46H指数:4
- 供职机构:南京电子器件研究所
- 研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS