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衬底耦合
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
在光子集成电路中的
衬底
耦合
光栅
耦合
器
本公开涉及在光子集成电路中的
衬底
耦合
光栅
耦合
器。一种光子集成电路芯片,包括
衬底
和在所述
衬底
上的晶片。所述晶片本身包括具有锥形部分和光栅特征的光子光栅
耦合
器。所述光栅特征从所述锥形部分向所述
衬底
延伸。
王黎明
浦田良平
简·佩蒂凯维奇
吉尔·贝格尔
基于
衬底
耦合
容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法
本发明公开基于
衬底
耦合
容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法,所述方法是先在芯片
衬底
下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽;再采用芯片内部基于
衬底
‑氧化层‑金属层电容
耦合
脉冲失配检测的
衬底
耦合
容性PUF实时检测芯片下方金...
万美琳
彭定洋
张寅
贺章擎
彭旷
胡永明
顾豪爽
一种悬空二维材料的非
衬底
耦合
低密度外延方法及外延结构
本发明涉及半导体生长技术领域,特别涉及一种悬空二维材料的非
衬底
耦合
低密度外延方法及外延结构。其中,一种悬空二维材料的非
衬底
耦合
低密度外延方法,关键技术如下:提供介质
衬底
,通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂...
蔡端俊
王豪
沈鹏
杨谦益
陈小红
许飞雅
包括
衬底
以及与
衬底
耦合
的高密度互连集成器件的封装件
封装件包括
衬底
、集成器件和互连集成器件。
衬底
包括第一表面和第二表面。
衬底
还包括多个互连件。集成器件被
耦合
到
衬底
。互连集成器件被
耦合
到
衬底
的表面。集成器件、互连集成器件和
衬底
被配置为针对集成器件的电信号提供电路径,电路径至...
R·莱尼
L-S·翁
C·D·佩恩特
E·D·福隆达
在光子集成电路中的
衬底
耦合
光栅
耦合
器
本公开涉及在光子集成电路中的
衬底
耦合
光栅
耦合
器。一种光子集成电路芯片,包括
衬底
和在所述
衬底
上的晶片。所述晶片本身包括具有锥形部分和光栅特征的光子光栅
耦合
器。所述光栅特征从所述锥形部分向所述
衬底
延伸。
王黎明
浦田良平
简·佩蒂凯维奇
吉尔·贝格尔
文献传递
基于
衬底
耦合
容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法
本发明公开基于
衬底
耦合
容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法,所述方法是先在芯片
衬底
下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽;再采用芯片内部基于
衬底
‑氧化层‑金属层电容
耦合
脉冲失配检测的
衬底
耦合
容性PUF实时检测芯片下方金...
万美琳
彭定洋
张寅
贺章擎
彭旷
胡永明
顾豪爽
形成与器件
衬底
耦合
的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构
描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括:在第一
衬底
上形成至少一个MEMS结构;在管芯第一
衬底
的顶部表面上形成第一接合层;以及然后将设置在第一
衬底
上的第一接合层
耦合
到第二
衬底
,其中所述第二
衬底
包括器...
R·巴斯卡兰
文献传递
低功耗直接
衬底
耦合
QVCO的分析与设计
2016年
设计了一款基于TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的低功耗低相位噪声、直接
衬底
耦合
形式的正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用电容抽头技术、丙类操作状态和
衬底
耦合
技术,降低电路的功耗和面积.最终版图后仿真结果表明:该QVCO在仅消耗2 m W的情况下,在载频6 GHz处,相位噪声达到-119.11d Bc/Hz@1MHz.
戚玉华
何如龙
关键词:
压控振荡器
衬底耦合
低相位噪声
低功耗
形成与器件
衬底
耦合
的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构
描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括:在第一
衬底
上形成至少一个MEMS结构;在管芯第一
衬底
的顶部表面上形成第一接合层;以及然后将设置在第一
衬底
上的第一接合层
耦合
到第二
衬底
,其中所述第二
衬底
包括器...
R·巴斯卡兰
文献传递
高速多通道Flash ADC设计及
衬底
耦合
噪声分析
模数转换是几乎所有种类电子产品中基础且重要的组成部分,根据精度和采样率的不同需求其应用领域涉及很广泛。而高速ADC是数字传输通信过程中实现快速读取的关键部分。 同时,由于大规模集成电路的发展,集成度和速度不断地提高...
杨华玲
关键词:
多通道
衬底耦合噪声
文献传递
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相关作者
吴智
作品数:5
被引量:7
H指数:2
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院电子工程系
研究主题:衬底耦合 数模混合集成电路 边界元法 数值模拟 数模混合电路
黄均鼐
作品数:19
被引量:38
H指数:3
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:衬底耦合 数模混合集成电路 采样模块 VLSI设计 电路
杨银堂
作品数:1,623
被引量:1,654
H指数:16
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
朱樟明
作品数:1,033
被引量:661
H指数:12
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:模数转换器 电路 逐次逼近型模数转换器 逐次逼近型 硅
唐璞山
作品数:130
被引量:172
H指数:6
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:集成电路 VLSI CAD FPGA 版图
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