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在光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合
本公开涉及在光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合器。一种光子集成电路芯片,包括衬底和在所述衬底上的晶片。所述晶片本身包括具有锥形部分和光栅特征的光子光栅耦合器。所述光栅特征从所述锥形部分向所述衬底延伸。
王黎明浦田良平简·佩蒂凯维奇吉尔·贝格尔
基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法
本发明公开基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法,所述方法是先在芯片衬底下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽;再采用芯片内部基于衬底‑氧化层‑金属层电容耦合脉冲失配检测的衬底耦合容性PUF实时检测芯片下方金...
万美琳彭定洋张寅贺章擎彭旷胡永明顾豪爽
一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构
本发明涉及半导体生长技术领域,特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中,一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法,关键技术如下:提供介质衬底,通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂...
蔡端俊王豪沈鹏杨谦益陈小红许飞雅
包括衬底以及与衬底耦合的高密度互连集成器件的封装件
封装件包括衬底、集成器件和互连集成器件。衬底包括第一表面和第二表面。衬底还包括多个互连件。集成器件被耦合衬底。互连集成器件被耦合衬底的表面。集成器件、互连集成器件和衬底被配置为针对集成器件的电信号提供电路径,电路径至...
R·莱尼L-S·翁C·D·佩恩特E·D·福隆达
在光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合
本公开涉及在光子集成电路中的衬底耦合光栅耦合器。一种光子集成电路芯片,包括衬底和在所述衬底上的晶片。所述晶片本身包括具有锥形部分和光栅特征的光子光栅耦合器。所述光栅特征从所述锥形部分向所述衬底延伸。
王黎明浦田良平简·佩蒂凯维奇吉尔·贝格尔
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基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法
本发明公开基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法,所述方法是先在芯片衬底下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽;再采用芯片内部基于衬底‑氧化层‑金属层电容耦合脉冲失配检测的衬底耦合容性PUF实时检测芯片下方金...
万美琳彭定洋张寅贺章擎彭旷胡永明顾豪爽
形成与器件衬底耦合的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构
描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括:在第一衬底上形成至少一个MEMS结构;在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层;以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底,其中所述第二衬底包括器...
R·巴斯卡兰
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低功耗直接衬底耦合QVCO的分析与设计
2016年
设计了一款基于TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的低功耗低相位噪声、直接衬底耦合形式的正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用电容抽头技术、丙类操作状态和衬底耦合技术,降低电路的功耗和面积.最终版图后仿真结果表明:该QVCO在仅消耗2 m W的情况下,在载频6 GHz处,相位噪声达到-119.11d Bc/Hz@1MHz.
戚玉华何如龙
关键词:压控振荡器衬底耦合低相位噪声低功耗
形成与器件衬底耦合的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构
描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括:在第一衬底上形成至少一个MEMS结构;在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层;以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底,其中所述第二衬底包括器...
R·巴斯卡兰
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高速多通道Flash ADC设计及衬底耦合噪声分析
模数转换是几乎所有种类电子产品中基础且重要的组成部分,根据精度和采样率的不同需求其应用领域涉及很广泛。而高速ADC是数字传输通信过程中实现快速读取的关键部分。 同时,由于大规模集成电路的发展,集成度和速度不断地提高...
杨华玲
关键词:多通道衬底耦合噪声
文献传递

相关作者

吴智
作品数:5被引量:7H指数:2
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院电子工程系
研究主题:衬底耦合 数模混合集成电路 边界元法 数值模拟 数模混合电路
黄均鼐
作品数:19被引量:38H指数:3
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:衬底耦合 数模混合集成电路 采样模块 VLSI设计 电路
杨银堂
作品数:1,623被引量:1,654H指数:16
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
朱樟明
作品数:1,033被引量:661H指数:12
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:模数转换器 电路 逐次逼近型模数转换器 逐次逼近型 硅
唐璞山
作品数:130被引量:172H指数:6
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:集成电路 VLSI CAD FPGA 版图