搜索到131篇“ 超薄栅介质“的相关文章
- 二维半导体超薄栅介质层集成与低功耗电子器件
- 在过去的六十年间,硅基半导体互补场效应(CMOS)场效应晶体管沿着摩尔定律,朝着器件尺寸不断微缩、晶体管密度不断增加的方向快速发展,使得芯片运算速度越来越快,让人类充分享受着信息技术带来的便捷生活。如今,最新的硅基芯片已...
- 李卫胜
- 关键词：界面态
- 纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法
- 本发明提供了一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，包括：向器件施加第一频率的交流测试信号，确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量包括幅值与相角；向器件施加第二频率的交流测试信号，确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量包括幅值与...
- 殷华湘梁擎擎钟汇才
- 文献传递
- 超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
- 2007年
- 采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。
- 许胜国徐静平季峰陈卫兵李艳萍
- 关键词：隧穿电流金属-氧化物-半导体场效应晶体管超薄栅介质
- 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
- 2004年
- 为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移 ,改善了 Si/Si O2 界面质量 ,提高了栅介质和器件的可靠性 ,制备出了性能良好的4 .6 nm超薄栅介质 .
- 谭静荣许晓燕黄如程行之张兴
- 关键词：注氮
- 超薄栅介质MOS结构中的电致光子泵效应
- 自1968年起,对于SiO<,2>的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主流模型可用于TDDB(时变相关介质击穿).
- 谭长华许铭真何燕冬
- 关键词：超薄栅介质MOS结构
- 文献传递
- 超薄栅介质(SiO<,2>)TDDB的非阿尔赫留斯温度特性模型
- 在早期的温度加速研究中,广泛采用阿尔赫留斯(Arrhenius)方程来描述介质的时变相关击穿时间(TDDB),随着超大规模集成电路集成度的迅速增大,当SiO<,2>厚度小于7nm以后,人们发现,t<,BD>不仅与应力电压...
- 许铭真谭长华何燕冬段小蓉
- 关键词：超薄栅介质
- 文献传递
- 超薄栅介质的制备研究
- 贾林徐秋霞钱鹤
- 关键词：超薄栅介质
- 文献传递网络资源链接
- 超薄栅介质的制备研究
- 贾林徐秋霞钱鹤
- 关键词：超薄栅介质
- 关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究被引量：1
- 1999年
- 研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。
- 熊大菁项雪松
- 关键词：热氮化一氧化氮二氧化硅
- 超薄栅介质膜生长前硅表面处理的研究
- 1998年
- 在超薄栅介质膜的制备技术中，膜生成前，用稀ＨＦ酸进行表面处理，能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高，从而使膜的击穿、漏电得到改善。
- 熊大菁侯苇
- 关键词：表面处理超薄膜完整性ULSI集成电路
相关作者
- 谭静荣
- 作品数：8被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
- 研究主题：超薄栅介质 SIO 栅介质 硼扩散 软击穿
- 张兴
- 作品数：872被引量：586H指数：12
- 供职机构：北京大学
- 研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
- 黄如
- 作品数：1,253被引量：361H指数：11
- 供职机构：北京大学
- 研究主题：场效应晶体管 晶体管 沟道 存储器 超大规模集成电路
- 许晓燕
- 作品数：39被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学
- 研究主题：超大规模集成电路 多晶硅 淀积 SIO 线条
- 田大宇
- 作品数：138被引量：79H指数：4
- 供职机构：北京大学
- 研究主题：刻蚀 探测器 硅 离子注入 成品率
