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提高长沟道金属栅极高度的方法
本发明提供一种提高长沟道金属栅极高度的方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底、伪栅极、刻蚀阻挡层及层间介质层；利用第一化学机械研磨工艺对层间介质层进行研磨直至露出形成于伪栅极表面的刻蚀阻挡层；利用第二化学机械研磨工...
却玉蓉张健李虎
金属栅极及其形成方法
本公开涉及金属栅极及其形成方法。一种方法，包括：在栅极电介质层之上沉积第一导电层；在第一导电层之上沉积第一功函数调整层；从第一导电层的第一区域之上选择性地去除第一功函数调整层；用掺杂剂掺杂第一功函数调整层；以及在掺杂第一...
李欣怡洪正隆徐志安
一种金属栅极的形成方法
本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供一基底，在基底上形成多个多晶硅伪栅，且相邻两个多晶硅伪栅之间具有间隔空间；在间隔空间内形成介质层，且介质层的上表面与多晶硅伪栅的上表面平齐；对介质层的远离基底的部分进行重离子注...
吕欢张海良柳会雄陈武佳
一种形成NAND金属栅极的方法
本发明涉及集成电路技术领域，具体为一种形成NAND金属栅极的方法。包括以下步骤：步骤1：以晶圆为衬底，在其表面生长栅氧，随后依次沉积多晶硅、牺牲层；多晶硅和牺牲层形成栅极；得到中间产品A；步骤2：将中间产品A的栅极侧面进...
陈春晖王永成毛文铭
制作金属栅极的方法
本发明提供一种制作金属栅极的方法，提供衬底，在衬底上形成有第一层间介质层以及形成于第一层间介质层上的金属栅极结构，金属栅极结构中的金属栅极部分填充为能够去除的牺牲层；在第一层间介质层和金属栅极结构上形成第二层间介质层，在...
谢玟茜
一种金属栅极制作方法
本申请涉及半导体元件制造领域，公开了一种金属栅极制作方法，包括：获得预制半导体结构件，预制半导体结构件包括衬底、伪栅和侧壁；去除部分伪栅，得到处理后伪栅；在处理后伪栅和侧壁的表面沉积介质层；刻蚀介质层和位于栅极开口顶端的...
何佳伟 戴秋贇 俞新杰
用于CMOS缩放的金属栅极堆叠
本公开涉及一种用于CMOS缩放的金属栅极堆叠。多种应用可包含具有存储器装置的设备，所述存储器装置经构造有存储器单元的阵列和耦合到所述阵列的互补金属氧化物半导体CMOS装置。所述CMOS装置可包含在所述CMOS装置的p沟道...
郑鹏园永军·杰夫·胡
一种金属栅极高压器件及其工艺方法
本发明提供一种金属栅极高压器件及其工艺方法，衬底上形成被第一高压区N型扩散区包裹的第一STI区；回刻第一STI区形成第一凹槽；在第一凹槽内覆盖栅极氧化层和高介电层；沉积多晶硅层以填充第一凹槽；在第一凹槽的多晶硅层上依次沉...
田志陈昊瑜邵华
一种晶体管金属栅极结构及晶体管
本实用新型属于半导体的技术领域，公开了一种晶体管金属栅极结构及晶体管。其中，晶体管金属栅极结构包括过渡层和AlCu金属栅层，所述过渡层包括N层的AlCuSi层，N＝1～3。本实用新型提供的晶体管金属栅极结构，可很好地解决...
陈燕珠苏柳青
金属栅极结构及其形成方法
本发明提供了一种金属栅极结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在栅介质层的表面形成阻挡层，并将衬底置于破真空环境中以在栅介质层表面自然吸附若干层氧原子和/或氮原子；将阻挡层置于硅源气体氛围中，以形成覆盖阻挡层的抗...
王燕吴佳宏张文广
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相关作者

赵超
作品数：567被引量：37H指数：4
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
尹海洲
作品数：522被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
殷华湘
作品数：753被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
朱慧珑
作品数：1,193被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
李俊峰
作品数：524被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极