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铝栅
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科技报告
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种低压
铝
栅
双层芯片结构
一种低压
铝
栅
双层芯片结构,本发明涉及芯片技术领域,一号芯片设置在二号芯片的上方,且两者均设置于外壳的内部,一号芯片的底表面设有锡圈,二号芯片的上表面开设有与锡圈相互嵌合设置的圈槽,一号芯片的两侧边连接有数个一号端子,一号...
刘军
太阳电池银
铝
栅
线制备方法、太阳电池及制备方法和应用
本申请公开了一种太阳电池银
铝
栅
线的制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:银
铝
浆料印刷于太阳电池的表面,烧结处理;银
铝
浆料以重量百分比计包括78%~92%的银粉、0.5%~7%的
铝
粉以及2%~17%的玻璃粉;烧结处理的条件...
邹杨
刘成法
王昆州
李万里
张雅倩
吴晓鹏
张帅
陆玉刚
陈红
改善金属
铝
栅
损耗的方法
本申请提供一种改善金属
铝
栅
损耗的方法,包括:步骤S1,提供一衬底,在衬底上形成伪
栅
极;步骤S2,去除伪
栅
极,在形成的凹槽中填充金属
铝
;步骤S3,实施研磨以去除凹槽外的金属
铝
;步骤S4,实施氧化处理以在金属
铝
的表面形成氧化...
周思敏
潘宗延
陈明志
后段工艺线宽为0.5um的
铝
栅
CMOS器件
本实用新型公开了一种后段工艺线宽为0.5um的
铝
栅
CMOS器件,所述
铝
栅
CMOS器件中,前段工艺线宽为0.8um、即
铝
栅
CMOS管的工艺线宽为0.8um,后段工艺使用小线宽工艺,即制备金属层、接触孔时的工艺线宽为0.5u...
蔡荣怀
陈孟邦
李泉福
具有三个金属层的
铝
栅
互补金属氧化物半导体器件
本实用新型提供的具有三个金属层的
铝
栅
CMOS器件,第二金属层、第三金属层作为缓冲层,且第三金属层还可作为压焊点,因此,采用所述
铝
栅
CMOS器件的芯片在打线时不会损伤压焊点底下的电路,可在满足芯片集成度要求的前提下提高后段...
蔡荣怀
陈孟邦
曹进伟
HKMG
铝
栅
化学机械平坦化的研究
杨露瑶
双
铝
铝
栅
与非门
本实用新型实施例公开一种双
铝
铝
栅
与非门。在一具体实施方式中,该双
铝
铝
栅
与非门包括:围绕第一N型晶体管和第二N型晶体管的第一衬底环;位于衬底上的第一
铝
层和第二
铝
层、及设置在第一
铝
层与第二
铝
层之间的绝缘层,第一N型晶体管和第...
邢康伟
朱恒宇
张薇
双
铝
铝
栅
反相器及
铝
栅
反相器
本实用新型公开了一种双
铝
铝
栅
反相器及
铝
栅
反相器,其中双
铝
铝
栅
反相器包括一组PMOS管和NMOS管,PMOS管和NMOS管的
栅
极并接作为反相器的输入端,PMOS管和NMOS管的漏极串接作为反相器的输出端,PMOS管的源极接...
张薇
朱恒宇
邢康伟
双
铝
铝
栅
或非门
本实用新型实施例公开一种双
铝
铝
栅
或非门。在一具体实施方式中,该双
铝
铝
栅
或非门包括:第一金属层、第二金属层以及绝缘层,第一金属层中的第一子部将第一P型晶体管的
栅
极与第一N型晶体管的
栅
极电连接,第二子部将第二P型晶体管的
栅
极...
张薇
朱恒宇
邢康伟
一种低压
铝
栅
器件
本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域,提供了一种低压
铝
栅
器件,其中,包括:在已生成所述源极、漏极、
栅
极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属,形成第一金属布线层;在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层,所述隔离保护层由非...
胡建权
何伟业
梁观姐
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相关作者
刘玉岭
作品数:481
被引量:754
H指数:13
供职机构:河北工业大学
研究主题:化学机械抛光 CMP 抛光液 去除速率 ULSI
陈岚
作品数:904
被引量:168
H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:版图 电路 研磨 集成电路版图 CMP
徐勤志
作品数:84
被引量:0
H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:研磨 研磨液 CMP 化学机械研磨 表面形貌
冯翠月
作品数:5
被引量:6
H指数:2
供职机构:河北工业大学电子信息工程学院
研究主题:铝栅 CMP 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率
张金
作品数:15
被引量:26
H指数:3
供职机构:河北工业大学电子信息工程学院
研究主题:CMP 去除速率 化学机械平坦化 化学机械抛光 抛光液
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