搜索到355篇“ 铝栅“的相关文章
一种低压双层芯片结构
一种低压双层芯片结构,本发明涉及芯片技术领域,一号芯片设置在二号芯片的上方,且两者均设置于外壳的内部,一号芯片的底表面设有锡圈,二号芯片的上表面开设有与锡圈相互嵌合设置的圈槽,一号芯片的两侧边连接有数个一号端子,一号...
刘军
太阳电池银线制备方法、太阳电池及制备方法和应用
本申请公开了一种太阳电池银线的制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:银浆料印刷于太阳电池的表面,烧结处理;银浆料以重量百分比计包括78%~92%的银粉、0.5%~7%的粉以及2%~17%的玻璃粉;烧结处理的条件...
邹杨刘成法王昆州李万里张雅倩吴晓鹏张帅陆玉刚陈红
改善金属损耗的方法
本申请提供一种改善金属损耗的方法,包括:步骤S1,提供一衬底,在衬底上形成伪极;步骤S2,去除伪极,在形成的凹槽中填充金属;步骤S3,实施研磨以去除凹槽外的金属;步骤S4,实施氧化处理以在金属的表面形成氧化...
周思敏潘宗延陈明志
后段工艺线宽为0.5um的CMOS器件
本实用新型公开了一种后段工艺线宽为0.5um的CMOS器件,所述CMOS器件中,前段工艺线宽为0.8um、即CMOS管的工艺线宽为0.8um,后段工艺使用小线宽工艺,即制备金属层、接触孔时的工艺线宽为0.5u...
蔡荣怀陈孟邦李泉福
具有三个金属层的互补金属氧化物半导体器件
本实用新型提供的具有三个金属层的CMOS器件,第二金属层、第三金属层作为缓冲层,且第三金属层还可作为压焊点,因此,采用所述CMOS器件的芯片在打线时不会损伤压焊点底下的电路,可在满足芯片集成度要求的前提下提高后段...
蔡荣怀陈孟邦曹进伟
HKMG化学机械平坦化的研究
杨露瑶
与非门
本实用新型实施例公开一种双与非门。在一具体实施方式中,该双与非门包括:围绕第一N型晶体管和第二N型晶体管的第一衬底环;位于衬底上的第一层和第二层、及设置在第一层与第二层之间的绝缘层,第一N型晶体管和第...
邢康伟朱恒宇张薇
反相器及反相器
本实用新型公开了一种双反相器及反相器,其中双反相器包括一组PMOS管和NMOS管,PMOS管和NMOS管的极并接作为反相器的输入端,PMOS管和NMOS管的漏极串接作为反相器的输出端,PMOS管的源极接...
张薇朱恒宇邢康伟
或非门
本实用新型实施例公开一种双或非门。在一具体实施方式中,该双或非门包括:第一金属层、第二金属层以及绝缘层,第一金属层中的第一子部将第一P型晶体管的极与第一N型晶体管的极电连接,第二子部将第二P型晶体管的极...
张薇朱恒宇邢康伟
一种低压器件
本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域,提供了一种低压器件,其中,包括:在已生成所述源极、漏极、极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属,形成第一金属布线层;在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层,所述隔离保护层由非...
胡建权何伟业梁观姐
文献传递

相关作者

刘玉岭
作品数:481被引量:754H指数:13
供职机构:河北工业大学
研究主题:化学机械抛光 CMP 抛光液 去除速率 ULSI
陈岚
作品数:904被引量:168H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:版图 电路 研磨 集成电路版图 CMP
徐勤志
作品数:84被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:研磨 研磨液 CMP 化学机械研磨 表面形貌
冯翠月
作品数:5被引量:6H指数:2
供职机构:河北工业大学电子信息工程学院
研究主题:铝栅 CMP 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率
张金
作品数:15被引量:26H指数:3
供职机构:河北工业大学电子信息工程学院
研究主题:CMP 去除速率 化学机械平坦化 化学机械抛光 抛光液