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铟锡氧化物陶瓷材料在半导体领域的应用: 2024年; 本文阐述了铟锡氧化物(ITO)陶瓷材料在半导体领域的应用。本文就ITO材料的基本性质,并探讨其在半导体技术,特别是在触摸屏、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)以及太阳能电池板等方面的应用。通过分析ITO的电学和光学特性,旨在展示这种材料如何为现代电子设备的发展做出贡献,并探讨其未来潜在的应用前景。; 杨志伟; 关键词：铟锡氧化物陶瓷材料半导体技术光电性能

高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法: 本发明属于无机材料制备技术领域，涉及高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法，包括如下步骤：以氧化铟、氧化锡为原料，加入纯水和分散剂，在球磨机中进行混合球磨后加入消泡剂，搅拌均匀，转入砂磨机中并加入粘结剂进行砂磨，得...; 陈杰熊富迪孙本双齐超刘洋何季麟

高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法: 本发明属于无机材料制备技术领域，涉及高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法，包括如下步骤：以氧化铟、氧化锡为原料，加入纯水和分散剂，在球磨机中进行混合球磨后加入消泡剂，搅拌均匀，转入砂磨机中并加入粘结剂进行砂磨，得...; 陈杰熊富迪孙本双齐超刘洋何季麟

铟锡氧化物薄膜、其制法及包含其的光吸收元件: 本发明涉及铟锡氧化物薄膜、其制法及包含其的光吸收元件，具体地，本发明提供的铟锡氧化物薄膜的制法包含步骤(a)：提供一铟锡氧化物靶材；及步骤(b)：在一混合气体中溅镀该铟锡氧化物靶材，以获得该铟锡氧化物薄膜；该混合气体包含...; 洪英展黄圣涵

微流体沉淀剂法制备铟锡氧化物纳米粉体及其表征: 2023年; 采用微流体沉淀法,以InCl_(3)·4H_(2)O和SnCl_(4)·5H_(2)O作为原料、NH_(3)·H_(2)O和Na_(2)CO_(3)分别作为沉淀剂,在毛细管微反应器中成功制备出铟锡氧化物(ITO)纳米粉体。利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对其物相和形貌进行分析,并测量其粒径尺寸和分布,通过选区电子衍射(SAED)确定晶体结构,利用傅里叶变化红外光谱仪(FT-IR)和四探针方阻电阻率测量仪对其光电性能进行表征。结果表明,前驱体在650℃下煅烧2 h可以得到良好结晶度和立方体的纯净ITO纳米粉体,均为分散性良好、粒径分布窄的椭球形多晶晶体。与Na_(2)CO_(3)作为沉淀剂相比,NH_(3)·H_(2)O制备得到的ITO纳米粉体粒径更小、分布更均匀,因此具有更为优异的光电性能,对红外光的透过率及电阻率值分别为0.31%和(1.56±0.19)Ω·cm,而Na_(2)CO_(3)条件下分别为0.81%和(5.79±0.33)Ω·cm。; 夏先禹杨四齐张利华张利华姚浩; 关键词：铟锡氧化物纳米粉体微反应器光电性能

一种用于铟锡氧化物薄膜低温熔接的合金材料及熔接方法: 本发明公开了一种用于铟锡氧化物薄膜低温熔接的合金材料及熔接方法，该材料包括低熔点金属以及镓、磷和/或稀土元素等改性元素，低熔点金属包括的金属元素为铟、银、铜、锡、铋、锌和/或铅，通过将各金属元素混合在800℃以下进行真空...; 宋东明杨志恒

一种基于微流体快速沉淀的铟锡氧化物纳米粉体制备方法: 本发明涉及铟锡氧化物纳米粉体的制备领域，具体涉及一种基于微流体快速沉淀的铟锡氧化物纳米粉体制备方法，将铟锡的金属盐按比例配置成反应水相，碱性溶液作为沉淀相，利用流量泵精准地将反应相和沉淀相泵入微反应器中混合、反应，固‑液...; 张利华夏先禹郭胜惠张利波杨四齐巨少华尹少华许磊

一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置: 本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。所述铟锡氧化物薄膜的制作方法，制作方法包括：形成氧化铟薄膜的步骤；形成氧化锡薄膜的步骤；以及交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设...; 夏玉明卓恩宗; 文献传递

一种用于铟锡氧化物薄膜低温熔接的合金材料及熔接方法: 本发明公开了一种用于铟锡氧化物薄膜低温熔接的合金材料及熔接方法，该材料包括低熔点金属以及镓、磷和/或稀土元素等改性元素，低熔点金属包括的金属元素为铟、银、铜、锡、铋、锌和/或铅，通过将各金属元素混合在800℃以下进行真空...; 宋东明杨志恒

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