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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
闪存
存储
器装置
本公开涉及
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器装置。
闪存
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器装置包括具有非易失性
存储
器单元阵列的
闪存
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器和易失性
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器。
闪存
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器接口设置在
闪存
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器的外部,并且第一通信总线将
闪存
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器接口耦合到
存储
器单元阵列。第二通信总线将
闪存
存储
器接口耦...
J·本哈马迪
一种
闪存
存储
芯片
本申请公开了一种
闪存
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芯片,包括
存储
模块,
存储
模块包括数据
存储
单元和页缓存器;转换模块,转换模块包括
存储
控制单元和数据接收单元,转换模块连接
存储
模块以控制
存储
模块的数据访问;其中,数据接收单元用于接收指令和
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的数据信...
段星辉
与式
闪存
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器
本发明公开了一种与式
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器,该与式
闪存
存储
器包括
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单元阵列、多个页缓冲器以及多个电压偏移电路。
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单元阵列耦接多条位线以及源极线。页缓冲器分别通过多个开关以耦接至位线,并分别提供多个控制信号。其中,控制信号在第一电...
叶腾豪
吕函庭
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闪存
存储
器数据保护
访问计算设备的
闪存
存储
器设备中的受保护数据能够包括使用虚拟坏块指示符信息确定块在该
闪存
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器设备中的位置。该块还能够具有
存储
在其中的坏块标记。然后能够读取
存储
在该块的页的数据部分中的数据。
S·V·兰奇
闪存
存储
器的制造方法
本发明提供一种
闪存
存储
器的制造方法,包括:提供衬底,其上依次堆叠有浮栅介质层、浮栅材料层及硬掩模材料层;在硬掩模材料层上形成图形化的掩模,并执行图形化工艺形成沟槽贯穿硬掩模材料层、浮栅材料层及浮栅介质层,并延伸至衬底中;...
张连宝
闪存
存储
器及其制造方法
本发明的一种
闪存
存储
器及其制造方法。该方法中,在形成至少部分顶表面低于初始浮栅层的隔离层后,将之后形成的掩模功能层其覆盖隔离层的部分与覆盖初始浮栅层的部分的顶表面平齐设置,从而使得掩模功能层中位于隔离层上的部分不会相对于...
汤志林
王卉
付永琴
曹子贵
闪存
存储
器的形成方法
本发明提供一种
闪存
存储
器的形成方法,在所述的
闪存
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器的形成方法中,先采用第一刻蚀工艺去除部分控制栅层,并去除部分厚度的介质层,以暴露出部分所述介质层,暴露出的所述介质层的底面与所述浮栅层的表面之间形成有阻挡物;然后,采...
付博
曹启鹏
闪存
存储
器的制造方法
本发明提供一种
闪存
存储
器的制造方法,包括:提供衬底,依次形成有浮栅材料层、栅间介质层、控制栅材料层及图形化的掩模层;在第一开口的侧壁形成第一侧墙,并在控制栅材料层中蚀刻形成第二开口,控制栅材料层靠近第二开口一侧暴露有凸出...
杨辉
王俊凡
闪存
存储
器的制造方法
本发明提供一种
闪存
存储
器的制造方法,通过减薄侧墙材料层的厚度,能够增大侧墙材料层中的第二开口的开口尺寸,如此,可以增大后续刻蚀所述侧墙材料层的工艺窗口,使得在刻蚀所述侧墙材料层以形成侧墙层后,能够暴露出部分所述控制栅材料...
付博
曹启鹏
王卉
曹子贵
闪存
存储
器及其制造方法
本发明提供一种
闪存
存储
器及其制造方法,其在执行等离子体膜沉积工艺,以在沟槽和掩模层上形成隔离材料层时,衬底边缘区域的等离子沉积的速率慢于衬底中心区域等离子沉积的速率。进而使得在对衬底边缘区域进行等离子体沉积时的速率比较缓...
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王明
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