搜索到20097篇“ 阈值电压“的相关文章
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调谐晶体管阈值电压的处理
本申请公开了调谐晶体管阈值电压的处理。一种方法包括：基于半导体区域的第一部分形成源极/漏极区域，基于半导体区域的第二部分形成高k电介质层，在高k电介质层上形成偶极子膜，使用包含氮气和氢气的工艺气体对偶极子膜执行处理工艺，...
江淳修赖蓓盈侯承浩徐志安廖善美吴宏基
阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置
本申请提供的阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置，通过新的侦测流程以及控制时序，实现在侦测过程中驱动晶体管的栅极电压维持稳定，然后通过迭代的方式，让驱动晶体管的栅源电压经多次降压迭代之后，降低至与驱动晶体管的阈值电压相等...
请求不公布姓名
存储器阈值电压均匀性的电性测试方法
本发明提供了一种存储器阈值电压均匀性的电性测试方法，包括：向选择管施加第一电压，让选择管一直开启；连接所有存储单元的接源线，连接所有存储单元的位线以及连接所有存储单元的基极区；向存储管施加第二电压，第二电压为扫描电压；第...
唐小亮李妍辻直樹陈昊瑜
场效应管的阈值电压测量方法及装置
本申请涉及半导体技术领域，提供了场效应管的阈值电压测量方法及装置，该方法包括基于初始栅极电压递增算法对待测场效应管施加栅极电压，并获取所述初始栅极电压递增算法对应的第一栅极电压‑漏极电流变化曲线；基于所述初始栅极电压递增...
张西刚李杲宇
一种LIN接口芯片的阈值电压检测系统和方法
本申请公开了一种LIN接口芯片的阈值电压检测系统和方法，设置直流电源、信号发生器、数据生成模块和测试设备，直流电源给被测芯片提供电压，信号发生器给被测芯片提供波形信号，数据生成模块给被测芯片提供隐性电平和显性电平，数据生...
赵瑞夏显召曹冬冬潘俊家张浩岩李予佳翟瑞卿李明阳李雨冉董长青
形成用于控制阈值电压的金属硅酸盐层的方法
公开了形成用于控制金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的金属硅酸盐层的方法。该方法包括通过使衬底与包含有机硅烷醇前体或硅氧化物前体的前体接触而在衬底上形成金属硅酸盐阈值调整层。
P·罗梅罗C·德泽拉
MOS场效应管阈值电压调节方法、装置、设备及存储介质
本发明涉及电压调节技术领域，公开了一种MOS场效应管阈值电压调节方法、装置、设备及存储介质，其中，该方法包括：基于初始结构参数对MOS场效应管进行多组栅极电压和漏极电压扫描，得到多维电压‑电流特性数据矩阵；进行特征提取和...
苏玫树苏奕翰
Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型
2025年
Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。
翟培卓洪根深王印权王印权谢儒彬郑若成
关键词：正交试验FLASH阈值电压
一种改善寄生器件阈值电压稳定性的方法
本发明公开了一种改善寄生器件阈值电压稳定性的方法，包括：将晶圆浸入酸液中进行酸洗，然后对晶圆进行干燥处理，按体积比计，酸液包括1：10的氢氟酸和水；以酸洗后的硅晶圆作为衬底制备寄生器件。本发明的方法通过器件生产步骤前增加...
葛大顺刘波胡明华初曦周星寅
一种可编程CTT结构及阈值电压快速稳定方法
本申请提供一种可编程CTT结构及阈值电压快速稳定方法，所述可编程CTT结构包括封装基板；漏极和源极，所述漏极和源极分别内置在所述封装基板相同一侧的两端；衬底，所述衬底设置在所述封装基板远离所述漏极的一侧；高介电常数绝缘层...
杜力林烨蒋安颖杜源
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朱慧珑
作品数：1,193被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所
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