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- 静态随机存取存储器
- 本发明公开一种静态随机存取存储器单元，包含一基底、一鳍状结构设于该基底上、一栅极结构设于该鳍状结构上、一第一层间介电层环绕该栅极结构、一第一接触插塞设于该第一层间介电层中并且重叠该鳍状结构的至少两边缘、一第二层间介电层设...
- 许智凯林昭宏洪裕祥傅思逸郑志祥
- 静态随机存取存储器
- 本发明提供一种静态随机存取存储器，包含多个静态随机存取存储器单元设于一基底上，其中各该静态随机存取存储器单元包含：至少一栅极结构设于该基底上，多个鳍状结构位于该基底上，其中各该鳍状结构的排列方向垂直于该栅极结构的排列方向...
- 黄俊宪郭有策王淑如洪裕祥傅思逸许智凯郑志祥
- 静态随机存取存储器
- 本发明公开一种静态随机存取存储器，包含多个静态随机存取存储器单元设于一基底上，其中各静态随机存取存储器单元包含：一栅极结构设于基底上；一第一层间介电层环绕栅极结构；一接触插塞设于第一层间介电层中；一第二层间介电层设于第一...
- 许智凯林昭宏洪裕祥傅思逸郑志祥
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- 静态随机存取存储器
- 本发明公开一种静态随机存取存储器，包含一基底，该基底包括一第一主动区以及一第二主动区邻近该第一主动区。一第一栅极结构，跨过该第一主动区以及该第二主动区。第二栅极结构，邻近该第一栅极结构的一第一侧并且跨过该第一主动区。一第...
- 许智凯陈建宏
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- 静态随机存取存储器
- 本发明的实施例提供了一种SRAM单位单元，包括第一至第四鳍结构。第一FinFET由第一栅电极和第一鳍结构形成。第二FinFET由第二栅电极和第一鳍结构形成。第三FinFET由第二栅电极和第三鳍结构形成。第四FinFET由...
- 廖忠志
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- 静态随机存取存储器
- 本发明公开一种静态随机存取存储器，包含多个静态随机存取存储器单元设于一基底上，其中各该静态随机存取存储器单元包含：至少一栅极结构设于该基底上，多个鳍状结构位于该基底上，其中各该鳍状结构的排列方向垂直于该栅极结构的排列方向...
- 黄俊宪郭有策王淑如洪裕祥傅思逸许智凯郑志祥
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- 静态随机存取存储器
- 本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括写入端口，该写入端口包括第一反相器和与第一反相器交叉连接的第二反相器，第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，并且第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下...
- 吕绍维张浩李坤锡罗国鸿徐康禹胡耀中
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- 静态随机存取存储器
- 本发明公开了一种静态随机存取存储器，存储单元包括6个鳍式场效应晶体管；各鳍式场效应晶体管包括鳍体、栅极结构、源区和漏区；鳍体和栅极结构的延伸方向垂直；栅极结构包括栅介质层和栅极导电材料层，在延伸到鳍体外部的栅极导电材料层...
- 白文琦李昆鸿王世铭黄志森胡展源
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- 静态随机存取存储器
- 本发明公开一种静态随机存取存储器，包含多个静态随机存取存储器单元设于一基底上，其中各该静态随机存取存储器单元包含：至少一栅极结构设于该基底上，多个鳍状结构位于该基底上，其中各该鳍状结构的排列方向垂直于该栅极结构的排列方向...
- 黄俊宪郭有策王淑如洪裕祥傅思逸许智凯郑志祥
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- 静态随机存取存储器
- 本发明公开一种静态随机存取存储器，包括至少一个静态随机存取存储单元。静态随机存取存储单元的栅极布局包括第一至第四条状掺杂区、凹入式栅极线、第一栅极线及第二栅极线。第一至第四条状掺杂区依序设置于基底中且彼此分离。凹入式栅极...
- 永井享浩
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