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Demonstration and operation of quantum harmonic oscillators in an AlGaAs–GaAs heterostructure
2023年
The quantum harmonic oscillator(QHO),one of the most important and ubiquitous model systems in quantum mechanics,features equally spaced energy levels or eigenstates.Here we present a new class of nearly ideal QHOs formed by hydrogenic substitutional dopants in an AlGaAs/GaAs heterostructure.On the basis of model calculations,we demonstrate that,when aδ-doping Si donor substitutes the Ga/Al lattice site close to AlGaAs/GaAs heterointerface,a hydrogenic Si QHO,characterized by a restoring Coulomb force producing square law harmonic potential,is formed.This gives rise to QHO states with energy spacing of~8–9 meV.We experimentally confirm this proposal by utilizing gate tuning and measuring QHO states using an aluminum single-electron transistor(SET).A sharp and fast oscillation with period of~7–8 mV appears in addition to the regular Coulomb blockade(CB)oscillation with much larger period,for positive gate biases above 0.5 V.The observation of fast oscillation and its behavior is quantitatively consistent with our theoretical result,manifesting the harmonic motion of electrons from the QHO.Our results might establish a general principle to design,construct and manipulate QHOs in semiconductor heterostructures,opening future possibilities for their quantum applications.
Guangqiang MeiPengfei SuoLi MaoMin FengLimin Cao
变组分变掺杂p-i-n型AlGaAs/GaAs微结构中子探测器性能表征
2023年
制备了一种在p-i-n型AlGaAs/GaAs材料上刻蚀微沟槽的中子探测器。通过MOCVD技术生长了变组分变掺杂的p-i-n型AlGaAs/GaAs,使用ICP技术在材料上刻出微沟槽,沟槽宽度为25μm,深度为10μm。探测器的探测面积为4 mm^(2),沟槽宽度和间距为1∶1,呈周期性排列,在沟槽中填充中子转换材料探测热中子信号。通过对平面和微结构p-i-n型AlGaAs/GaAs探测器的电学特性、α粒子以及中子探测性能的比较分析,发现两者在电学特性和α粒子能量分辨率方面有较大差别。5 V偏压下平面型和微结构AlGaAs/GaAs探测器的漏电流分别是-0.024 1μA、-0.627μA,两者相差近30倍,这是由于微结构刻蚀了部分异质结导致器件表面漏电流增加。0 V偏压下微结构探测器α粒子能量分辨率比平面型也有些许恶化,但在热中子探测上微结构效果更佳,中子总计数微结构比平面型多一倍。微结构降低了探测器的自吸收问题,同时增大了探测器的中子接触面积,在热中子探测上应用前景广阔。
周青邹继军叶鑫张明智
关键词:ALGAAS中子探测器微结构热中子
AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及制备方法
本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管,自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极,其中,栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构,上层鳍...
陈凯化宁沈晓唯章泉源王佳尚会锋姚崇斌王茂森张瑞珏戴杰黄硕
一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器
一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器,以p型GaAs作为衬底层,在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层,而后在高Al组分AlGaA...
汤彬邹继军陈大洪彭新村朱志甫
多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管,自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极,栅电极包括鳍式...
化宁王真昊沈亚飞王佳章泉源杜祥裕王茂森高翔姚崇斌黄硕麻仕豪
AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
2022年
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。
章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜
关键词:铝镓砷砷化镓PIN二极管毫米波
电场调控AlGaAs/GaAs Rosen-Morse量子阱非线性光学特性研究
2022年
在本工作中,我们运用密度矩阵和迭代的方法系统研究了外加电场调控下AlGaAs/GaAs Rosen-Morse量子阱的非线性光学性质。同时我们采用有限差分方法求解该系统的能级以及对应的波函数。研究发现:非线性光吸收和光整流的共振峰的大小和位置与外加电场和系统的结构参数有着密切的关系;随着结构参数和外加电场的增大,非线性光吸收系数和光整流的峰值强度呈现出非线性的变化,这意味着通过调制外加电场和结构参数可实现对系统非线性光学性质的有效调控,从而给出系统最优化的设计方案。
张志海袁建辉
关键词:ALGAAS/GAAS非线性光学性质非线性光学特性外加电场密度矩阵
光和电注入变带隙AlGaAs/GaAs负电子亲和势阵列阴极理论建模和结构特性分析
2022年
为了使具备光和电注入AlGaAs/GaAs负电子亲和势(NEA)阵列阴极获得较高的发射电流效率,基于变带隙发射阵列中电子输运的二维连续性方程,利用有限体积法进行数值求解和仿真,得到发射电流和发射电流效率.通过仿真得到既适合光注入又合适电注入的各层最佳参数范围.结果表明,选择占空比为2/3的阵列微纳米柱,获得光注入阴极的最佳入射光角度范围为10°—30°;光注入(电注入)情况下P型变带隙AlGaAs层阵列微纳米柱高度范围为0.3—0.6μm(0.1—0.3μm),N型变带隙AlGaAs层、N型AlGaAs层以及P型AlGaAs层最佳厚度范围分别为0.5—2.5μm(2—3μm),0.5—1.0μm(0.8—1.2μm)和0.2—0.5μm(0.1—0.3μm);P型AlGaAs层和N型AlGaAs层最佳掺杂浓度范围分别为5×10^(18)—1×10^(19) cm^(-3)(1×10^(18)—5×10^(18) cm^(-3))和1×10^(18)—5×10^(18) cm^(-3)(5×10^(17)—1×10^(18) cm^(-3)).光注入下发射电流效率最大为35.04%,单位长度最大发射电流为10.3 nA/μm;电注入下发射电流效率最大为31.23%,单位长度最大发射电流105.5μA/μm.
邓文娟周甜王壮飞吴粤川彭新村邹继军
关键词:光注入电注入
异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法
本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法,该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al<Sub>0.09</Sub>Ga<...
孙浩刘莉李彩艳张祁莲高一强钱蓉孙晓玮
文献传递
一种AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器在识别MIF潜在抑制剂中的应用
本发明提供一种AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器的制备及其在识别MIF潜在抑制剂中的应用。所述HEMT生物传感器包括换能器和识别原件,换能器为AlGaAs/GaAs HEMT器件,识别原件是修饰在HEMT器件上的...
吴志生马丽娟张扬

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邹继军
作品数:142被引量:222H指数:11
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作品数:60被引量:23H指数:2
供职机构:东华理工大学机械与电子工程学院
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作品数:72被引量:67H指数:3
供职机构:东华理工大学
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李献杰
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
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张益军
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